Персона:
Бойченко, Дмитрий Владимирович

Организационные подразделения

Организационная единица

Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике

Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.

Фамилия

Бойченко

Имя

Дмитрий Владимирович

Полная страница элемента

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 10 из 20

Открытый доступ
Зависимость спектральных характеристик сигма-дельта аналого-цифровых преобразователей от поглощенной дозы ионизирующего излучения
(2023) Калашникова, М. О. ; Торшин, Р. С. ; Сорокоумов, Г. С. ; Бойченко, Д. В. ; Демидов, Александр Алексеевич; Бойченко, Дмитрий Владимирович; Сорокоумов, Георгий Сергеевич; Торшин, Роман Сергеевич
В работе проводилось исследование зависимости основных спектральных параметров аналого-цифровых преобразователей (АЦП) архитектуры сигма-дельта от поглощенной дозы. В исследованиях контролировались основные критериальные параметры АЦП: динамические, статические и электрические. Основными динамическими характеристиками сигма-дельта АЦП являются отношение сигнал-шум (SNR), динамический диапазон, свободный от гармоник (SFDR), отношение сигнала к шуму и искажениям (SINAD) и полные нелинейные искажения (THD), которые определялись по спектру оцифрованного синусоидального сигнала с помощью быстрого преобразования Фурье (БПФ). Статические параметры (интегральная нелинейность (ИНЛ), ошибки смещения и усиления) определялись с помощью прямой, линеаризирующей передаточную характеристику, по методике, описанной в стандарте IEEE Standard for Terminology and Test Methods for Analog-to-Digital Converters. В качестве контрольно-измерительного оборудования для тестирования критериальных параметров использовались модульные измерительные приборы фирмы National Instruments. Получены сравнительные данные о дозовой зависимости статических и динамических параметров микросхем сигма-дельта АЦП и сигма-дельта модулятора. На основании результатов сделан вывод, что наиболее чувствительными параметрами сигма-дельта АЦП к дозовому воздействию являются динамические параметры, поэтому при оценке стойкости сигма-дельта АЦП к воздействию поглощенной дозы необходим контроль его спектральных характеристик.
Открытый доступ
СПОСОБ ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ТЕПЛОВОГО И МЕХАНИЧЕСКОГО ДЕЙСТВИЯ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕМЕНТЫ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ С ПОМОЩЬЮ ПУЧКА ЭЛЕКТРОНОВ
(Федеральное государственное казенное учреждение "12 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации, 2023) Потапенко, А. И.; Ульяненков, Р. В.; Чепрунов, А. А.; Согоян, А. В.; Чумаков, А. И.; Бойченко, Д. В.; Дианков, С. Ю.; Горелов, А. А.; Герасимов, В. Ф.; Зайцева, А. Л.; Бойченко, Дмитрий Владимирович; Согоян, Армен Вагоевич; Чумаков, Александр Иннокентьевич
Изобретение относится к технике испытаний материалов и элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) с помощью воспроизведения термомеханических нагрузок высокоинтенсивным импульсным пучком электронов (ИПЭ) и может быть использовано для испытаний образцов многослойных материалов и элементов РЭА на стойкость к действию рентгеновского излучения (РИ). Способ воспроизведения теплового и механического действия РИ на элементы РЭА с помощью ИПЭ заключается в том, что выявляют конструктивные элементы РЭА, критичные к тепловым и механическим эффектам (КЭ). Рассчитывают пространственное распределение поглощенной дозы при воздействии РИ и при воздействии ИПЭ для каждого КЭ, определяют максимальные значения растягивающих механических напряжений и температур для каждого КЭ, проводят расчетную оценку по критерию равенства максимума растягивающих напряжений, значений флюенса энергии ИПЭ, эквивалентных значениям флюенса энергии РИ с заданными параметрами для каждого КЭ. Проводят расчетную оценку значений флюенса энергии ИПЭ, эквивалентных значениям флюенса энергии РИ по отношению к тепловым эффектам для каждого КЭ. Создают с помощью моделирующего воздействия ИПЭ механические и тепловые поля в КЭ, эквивалентные возникающим при воздействии РИ с заданными параметрами по критериям равенства максимальных значений растягивающих напряжений и максимальной температуры. Технический результат изобретения: обеспечение возможности определения и прогнозирования уровня стойкости современных изделий РЭА с учетом тепловых и термомеханических эффектов при воздействии РИ посредством применения ИПЭ. 3 ил.
Только метаданные
Advances in optical sensing techniques application for simulation of space radiation effects in microelectronic devices using wavelength-tunable femtosecond laser
(2020) Mavritskii, O. B.; Egorov, A. N.; Pechenkin, A. A.; Savchenkov, D. V.; Boychenko, D. V.; Маврицкий, Олег Борисович; Егоров, Андрей Николаевич; Печенкин, Александр Александрович; Бойченко, Дмитрий Владимирович
© COPYRIGHT SPIE. Downloading of the abstract is permitted for personal use only.Singe event effect (SEE) simulation in modern integrated circuits (ICs) by femtosecond laser irradiation through the substrate allows eliminating a lot of problems connected to the presence of multiple opaque metal layers above the IC active layer. With this irradiation geometry, the proper wavelength of laser radiation should be chosen to generate sufficient amount of nonequilibrium charge in the active layer on the one hand, and to avoid significant laser energy losses in the thick substrate on the other hand. In this paper several typical microelectronic ICs were selected to investigate the dependence of SEE generation effectiveness on the laser wavelength when irradiating through the substrate of various thickness. It was found, that the most appropriate laser wavelength for the silicon substrate thicknesses of 300 to 800 μm lies in the 1030 to 1070 nm range.
Только метаданные
Displacement Damage Effects Mitigation Approach for Heterojunction Bipolar Transistor Frequency Synthesizers
(2020) Sotskov, D. I.; Elesin, V. V.; Kuznetsov, A. G.; Zhidkov, N. M.; Metelkin, I. O.; Amburkin, K. M.; Amburkin, D. M.; Usachev, N. A.; Boychenko, D. V.; Elesina, V. V.; Сотсков, Денис Иванович; Елесин, Вадим Владимирович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Жидков, Никита Михайлович; Амбуркин, Константин Михайлович; Амбуркин, Дмитрий Михайлович; Усачев, Николай Александрович; Бойченко, Дмитрий Владимирович
© 1963-2012 IEEE.This work focuses on the design issues of radio frequency (RF) bipolar integrated circuits (ICs) as a part of frequency synthesizers for extreme environmental applications. It is shown that silicon-germanium (SiGe) and gallium arsenide (GaAs) heterojunction bipolar transistors (HBTs) as well as bipolar RF ICs (including frequency dividers, voltage-controlled oscillators, and wide-band amplifiers) are highly sensitive to ambient temperature and radiation-induced displacement damage. This article also presents a design approach based on specialized HBT macromodels and hardening techniques.
Только метаданные
Heavy-Ion-Induced Single Event Burnout in SiC Schottky Diodes: Safe Operating Area
(2019) Gromova, P. S.; Davydov, G. G.; Tararaksin, A. S.; Kolosova, A. S.; Boychenko, D. V.; Давыдов, Георгий Георгиевич; Тарараксин, Александр Сергеевич; Колосова, Анна Сергеевна; Бойченко, Дмитрий Владимирович
© 2019 IEEE.Heavy-ion-induced single event burnout (SEB) is studied experimentally for several types of 4H-SiC Schottky power diodes with various bias voltages applied. Safe operating voltage area for each type was defined and analyzed. The comparison with Si power devices was carried out.
Только метаданные
Proton Accelerator's Direct Ionization Single Event Upset Test Procedure
(2019) Akhmetov, A. O.; Sorokoumov, G. S.; Smolin, A. A.; Bobrovsky, D. V.; Boychenko, D. V.; Nikiforov, A. Y.; Сорокоумов, Георгий Сергеевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Бойченко, Дмитрий Владимирович; Никифоров, Александр Юрьевич
© 2019 IEEE.The paper presents single event upset (SEU) experimental results in Spartan-6 FPGA due to direct and indirect proton ionization. High energy proton beam and aluminum foils were used to decrease proton energy down to 1.. 20 MeV to observe proton direct ionization upsets.
Только метаданные
Practical Evaluation of Optocouplers TID-Hardness Research Method Using an X-ray Unit
(2019) Novikov, S. V.; Cherniak, M. E.; Mozhaev, R. K.; Boychenko, D. V.; Можаев, Роман Константинович; Бойченко, Дмитрий Владимирович
© 2019 IEEE.The article describes an optoisolators radiation hardness testing method to the effects of absorbed dose using an x-ray unit. Technological issues and features of the research are highlighted.
Только метаданные
Smart Sub-Microelectronics Radiation Behavior Trends and Test Facilities Evolution
(2021) Nikiforov, A. Y.; Gorbunov, M. S.; Smolin, A. A.; Davydov, G. G.; Boychenko, D. V.; Никифоров, Александр Юрьевич; Давыдов, Георгий Георгиевич; Бойченко, Дмитрий Владимирович
© 2021 IEEE.We provide a brief evolution trends overview of the modern microelectronic devices and its radiation behaviour, focusing on new structures and materials effects due to Total Ionizing Dose (TID) and Single Event effects (SEE) in CMOS elements. Evolution of test facilities driven by these changes in radiation behaviour of modern devices is also considered.
Только метаданные
An Automated System of Lowered Temperature Setting for Long-Term Radiation Experiments
(2021) Muzafarov, M. V.; Kolosova, A. S.; Pechenkin, A. A.; Davydov, G. G.; Gromova, P. S.; Boychenko, D. V.; Demidova, A. V.; Музафаров, Михаил Валентинович; Колосова, Анна Сергеевна; Печенкин, Александр Александрович; Давыдов, Георгий Георгиевич; Бойченко, Дмитрий Владимирович
© 2021 IEEE.A description of the system for setting a lowered environment temperature based on Peltier modules is presented. The development was carried out taking into account the peculiarities of the radiation test: minimum distance from exposure source to DUT; stand-alone use during long-term radiation test; minimum overall dimensions, transportability and flexibility when conducting tests on various exposure sources. Cooling box consists of 3-level stacked assembly of the Peltier modules, which is cooled by liquid refrigerant. Control of the assembly of Peltier modules was performed according to proportional integral and differential algorithm, provided by microcontroller with feedbacks on Pt thermoresistors. The system provides temperature stabilization of the DUT up to 23×17×12 mm in size and with released heat power up to 0.4 W at minus (60 ± 3) °C. Temperature establishing time is less than 10 minutes. Typical power consumption of developed system is about 500W.
Открытый доступ
МЕТОДИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ ПИТАНИЕМ МИКРОСХЕМЫ РАДИОЧАСТОТНОЙ МЕТКИ СИСТЕМ ЦИФРОВОЙ МАРКИРОВКИ И ИДЕНТИФИКАЦИИ ОБЪЕКТОВ КРИТИЧЕСКОЙ ИНФРАСТРУКТУРЫ
(НИЯУ МИФИ, 2024) Сотсков, Д. И.; Котов, В. Н.; Зубаков, А. В.; Усачев, Н. А.; Никифоров, А. Ю.; Бойченко, Д. В.; Сотсков, Денис Иванович; Котов, Владислав Николаевич; Никифоров, Александр Юрьевич; Зубаков, Алексей Владимирович; Усачев, Николай Александрович; Бойченко, Дмитрий Владимирович
Представлена методика проектирования основной части блока управления питанием (БУП) микросхемы радиочастотной метки (РЧМ) УВЧ-диапазона. Методика представляет собой пошаговый алгоритм проектирования БУП и состоит из пяти взаимосвязанных этапов. На первом этапе осуществляется формирование требований к параметрам БУП (выходное напряжение, мощность постоянного тока на выходе, коэффициент полезного действия, емкость выходного конденсатора) и значению добротности аналогового тракта РЧМ. На втором этапе осуществляется проектирование электрической схемы умножителя напряжения (УН), предназначенного для преобразования напряжения входного радиочастотного (РЧ) сигнала в нестабилизированное постоянное напряжение. В ходе третьего этапа осуществляется проектирование электрической схемы ограничителя постоянного напряжения, необходимого для снижения уровня выходного напряжения УН до безопасного уровня. Результатом выполнения четвертого этапа является электрическая схема защиты от перенапряжения, предназначенной для обеспечения требуемого уровня стойкости микросхемы РЧМ к воздействию электростатического разряда и РЧ сигнала высокой мощности. В рамках заключительного этапа осуществляется оценка и приведение в соответствие с требуемым значением добротности аналогового тракта РЧМ. Предложенная методика может быть использована для оперативной разработки отечественных микросхем РЧМ УВЧ-диапазона (стандарты ISO 18000-6C, GJB 7377.1 и др.) на основе КМОП технологических процессов, в т.ч. микросхем РЧМ, предназначенных для применения на объектах критической инфраструктуры. С использованием представленной методики выполнено проектирование БУП с расчетным значением коэффициента полезного действия 70%, оценочной добротностью аналогового тракта РЧМ менее 15 при мощности входного РЧ сигнала 12,7 дБм.