Publication:
Heavy-Ion-Induced Single Event Burnout in SiC Schottky Diodes: Safe Operating Area

Дата
2019
Авторы
Gromova, P. S.
Davydov, G. G.
Tararaksin, A. S.
Kolosova, A. S.
Boychenko, D. V.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт интеллектуальных кибернетических систем
Цель ИИКС и стратегия развития - это подготовка кадров, способных противостоять современным угрозам и вызовам, обладающих знаниями и компетенциями в области кибернетики, информационной и финансовой безопасности для решения задач разработки базового программного обеспечения, повышения защищенности критически важных информационных систем и противодействия отмыванию денег, полученных преступным путем, и финансированию терроризма.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 IEEE.Heavy-ion-induced single event burnout (SEB) is studied experimentally for several types of 4H-SiC Schottky power diodes with various bias voltages applied. Safe operating voltage area for each type was defined and analyzed. The comparison with Si power devices was carried out.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Heavy-Ion-Induced Single Event Burnout in SiC Schottky Diodes: Safe Operating Area / Gromova, P.S. [et al.] // 2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics, MIEL 2019 - Proceedings. - 2019. - P. 71-74. - 10.1109/MIEL.2019.8889645
URI
https://www.doi.org/10.1109/MIEL.2019.8889645
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85075356079&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000565455600011
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/18921
Коллекции
Публикации