Репозиторий НИЯУ МИФИ

Репозиторий предоставляет доступ к научным публикациям, монографиям, учебным изданиям и другим материалам авторов Национального исследовательского ядерного университета МИФИ:

  • Материалы конференций, статьи из научных журналов, авторефераты диссертаций.
  • Монографии, патенты, учебные издания.
  • Публикации о НИЯУ МИФИ в СМИ и др.

Сопровождение репозитория ведёт центр информационно-библиотечного обеспечения учебно-научной деятельности:

  • library@mephi.ru
  • http://library.mephi.ru
  • НИЯУ МИФИ, 115409, Москва, Каширское ш., 31
Site : openrepository.mephi.ru
 

Последние материалы

Публикация
Открытый доступ
Методы ядерно-физического мониторинга земной поверхности
(НИЯУ МИФИ, 2008) Задорожный, Ю. А.
Методы прикладной гамма-спектрометрии с полупроводниковыми детекторами из сверхчистого германия (HPGe детекторы) и сцинтилляционными детекторами на базе различных неорганических кристаллов (Na, Csl и т.д.) давно и эффективно применяются в исследованиях по ядерной и радиационной безопасности, радиационной экологии, ядерной энергетике, медицине, биологии, геофизике, геологии. Ниже представлены описания восьми лабораторных работ по прикладной гамма-спектрометрии, предназначенных для студентов старших курсов, специализирующихся в указанных направлениях исследований.
Публикация
Открытый доступ
ОТКЛИК ВИХРЕВОЙ СИСТЕМЫ В СЛОИСТОМ ВТСП-КОМПОЗИТЕ С РАДИАЦИОННЫМИ ДЕФЕКТАМИ НА КОРОТКИЙ ТОКОВЫЙ ИМПУЛЬС
(НИЯУ МИФИ, 2025) Максимова, А.Н., ; Мороз, А. Н.; Покровский, С. В.; Кашурников, В. А.; Кашурников, Владимир Анатольевич; Мороз, Анна Николаевна; Максимова, Анастасия Николаевна; Покровский, Сергей Владимирович
Методом Монте-Карло для вихревой системы выполнен расчет отклика слоистого высокотемпературного сверхпроводника, содержащий радиационные центры пиннинга, на токовый импульс микросекундной длительности. Проанализированы две различные формы импульса: прямоугольный и треугольный импульс. Показано, что форма отклика приближенно совпадает с формой исходного импульса. Исследован эффект “эха”, наблюдаемый во внешнем магнитном поле после выключения внешнего тока. Показано, что увеличение эффективности пиннига радиационными дефектами оказывает влияние на проявление эффекта, при этом интенсивность “эха” уменьшается.
Публикация
Открытый доступ
Численные методы расчета электронной структуры металлических материалов. Ч. 1 : Металлы
(НИЯУ МИФИ, 2008) Сурин, В. И.; Варятченко, Е. П.; Сурин, Виталий Иванович
В первой части пособия рассмотрены некоторые вопросы численных методов расчета электронной структуры металлов. Приведены компьютерные программы для расчета энергии электронов и плотности состояний в металлах. Рассмотрены примеры расчета электронной структуры металлов методами псевдопотенциала, присоединенных плоских волн и ячеек. Учебное пособие предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, занимающихся разработкой методов неразрушающего контроля и исследования материалов.
Публикация
Открытый доступ
ВЛИЯНИЕ ЗАЩИТНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ГИДРИДЕ ГАФНИЯ НА ЕГО ТЕРМИЧЕСКОЕ РАЗЛОЖЕНИЕ
(НИЯУ МИФИ, 2025) Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А.; Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А.; Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А.; Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А.; Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А.; Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А.; Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А.; Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А.; Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А.; Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А.; Самотаев, Николай Николаевич; Иванов, Георгий Андреевич; Стальцов, Максим Сергеевич; Михальчик, Владимир Валерьевич; Тенишев, Андрей Вадимович; Шорников, Дмитрий Павлович
В работе проведено исследование гидрида гафния в качестве поглотителя для реакторов на быстрых нейтронах. Отмечено высокое значение сечения поглощения нейтронов, которое сохраняется для всех изотопов гафния, образующихся в ходе нейтронного облучения в реакторе. Однако существует риск разложения гидрида гафния в диапазоне 600‒700°С, что соответствует рабочей температуре поглотителей в реакторах на быстрых нейтронах. Предложен подход, позволяющий снизить выделение водорода из гидрида гафния, заключающийся в нанесении на него защитного покрытия оксида гафния. Проведены отжиги образцов гидрида гафния до температур 1200°С в установке синхронного термического анализа в гелии. Началу десорбции водорода соответствует температура 640°С. Показано полное выделение водорода при температуре 1200°С. При отжиге образцов с нанесенными покрытиями показано значительное снижение выделения водорода при низких температурах. Разработана специальная установка, позволяющая проводить термические испытания гидридных материалов в среде жидкого натрия. Проведены отжиги гидрида гафния в жидком натрии при 700°С. Синхронный термический анализ образцов после выдержки в натрии показал снижение газовыделения, что связано с повышением толщины оксидного слоя на поверхности образцов.
Публикация
Открытый доступ
Измерение топографии модифицированной поверхности материалов
(НИЯУ МИФИ, 2008) Калин, Б. А.; Волков, Н. В.
Описано выполнение измерений параметров шероховатости поверхности по ГОСТ 2789-73 при помощи приборов профильного метода. Пособие предназначено для студентов и аспирантов, специализирующихся в области физики твердого тела, радиационного материаловедения и ускорительной техники. Оно будет также полезно для специалистов, занимающихся в области ионно-лучевых технологий и микроэлектроники. Пособие подготовлено в рамках Инновационной образовательной программы.