Персона: Рындя, Сергей Михайлович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Рындя
Имя
Сергей Михайлович
Имя
13 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 13
- ПубликацияОткрытый доступСпособ изготовления светоотражателя(Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семенова Российской академии наук Объединенный институт ядерных исследований Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 2024) Смолянский, А. С.; Белов, О. В.; Кирюхин, Д. П.; Кущ, Д. П.; Рындя, С. М.; Полунин, К. С.; Кошкина, О. А.; Трахтенберг, Л. И.; Рындя, Сергей МихайловичИзобретение относится к области оптического приборостроения и может быть использовано в фотометрии, экспериментальной ядерной физике, в фильтрах очистки воздуха от биоаэрозолей и др. Заявленный способ изготовления светоотражателя включает формирование заготовки из политетрафторэтилена и ее модифицирующую обработку. Заготовку формируют из пластины блочного политетрафторэтилена марки Ф-4 размером 100×100×10 мм методом микрофрезерования и затем подвергают радиационной обработке воздействием гамма-излучения изотопа 60Со на воздухе при температуре 55-65°С до поглощенной дозы в интервале от 0,1 до 15 кГр при мощности дозы 3±0,5 Гр/с. Технический результат - получение светоотражателя на основе политетрафторэтилена с высокой светоотражающей способностью в области длин волн от 250 до 850 нм. 1 з.п. ф-лы, 12 табл.
- ПубликацияОткрытый доступСиловой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом(НИЯУ МИФИ, 2024) Рыжук, Р. В.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Рындя, С. М.; Калошин, М. М.; Катков, А. В.; Цунваза, Д. М.; Захарченко, Р. В.; Рындя, Сергей Михайлович; Рыжук, Роман Валериевич; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай ИвановичИзобретение относится к приборам твердотельной электроники, и в частности к конструкции силового транзистора на основе соединений нитридов III группы. Силовой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом состоит из подложки, буферного слоя GaN, нанесенного на подложку, ультратонкого барьерного слоя AlN ультратонкий не более 7, нанесенного на буферный слой, защитного верхнего слоя GaN, нанесенного на барьерный слой, электродов истока, затвора и стока, нанесенных на защитный слой и пространственно отделенных друг от друга, пассивирующего слоя Si3N4, нанесенного на защитный слой между электродами, а также металлизации полевой пластины, нанесенной на пассивирующий слой и электрически соединенной с затвором, при этом расстояние между затвором и стоком, а также длина полевой пластины - взаимосвязанные величины, подобранные исходя из требуемого значения напряжения пробоя. Изобретение обеспечивает получение силового транзистора на основе III-нитридной гетероструктуры, характеризующейся величиной слоевого сопротивления менее 250 Ом/□, с топологией, обеспечивающей напряжение пробоя более 100 В. 4 ил.
- ПубликацияОткрытый доступЧИСЛЕННАЯ МОДЕЛЬ ВРЕМЯПРОЛЕТНОГО АНАЛИЗАТОРА ДЛЯ ПУЧКА КЛАСТЕРНЫХ ИОНОВ Ar(НИЯУ МИФИ, 2019) Бакун, А. Д.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Колодко, Д. В.; Рындя, С. М.; Сигловая, Н. В.; Агейченков, Д. Г.; Гусев, Александр Сергеевич; Колодко, Добрыня Вячеславич; Рындя, Сергей Михайлович; Каргин, Николай Иванович; Бакун, Алексей Дмитриевич; Сигловая, Наталия ВладимировнаPolishing with cluster ions makes it possible to obtain nanorelief on various materials. Often in such installations, the ion mass distribution is not known reliably. This paper presents the results of a time-of-flight mass analyzer simulation. The time-of-flight analyzer will be used for separation of cluster ions on the Exogenesis nAccel 100 unit.
- ПубликацияОткрытый доступМЕТОДИКА ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХГЛАДКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ СИТАЛЛА ИОННО-КЛАСТЕРНЫМИ И АТОМАРНЫМИ ПУЧКАМИ АРГОНА(НИЯУ МИФИ, 2019) Бакун, А. Д.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Рындя, С. М.; Сигловая, Н. В.; Бакун, Алексей Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Гусев, Александр Сергеевич; Рындя, Сергей Михайлович; Сигловая, Наталия ВладимировнаOptical glass ceramics (ex. sitall) is a promising material for the elements of devices operating in a wide temperature range. However, typical methods do not allow to form a substrate with a mean-square surface roughness of less than 0.2 nm in the spatial frequency range corresponding to the scattering of incident optical radiation. To obtain super-smooth substrates of optical glass ceramics it is proposed to use the method of gas cluster ion beam (GCIB) and accelerated neutral atom beam (ANAB) processing.
- ПубликацияТолько метаданныеStudy of the Processes of Mesoporous-Silicon Carbonization(2019) Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Sultanov, A. O.; Timofeev, A. A.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Рындя, Сергей Михайлович; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Сигловая, Наталия Владимировна; Султанов, Азрет Оюсович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: Experimental and theoretical studies of the processes of mesoporous-silicon carbonization during the formation of buffer layers for the subsequent epitaxy of 3C-SiC films and related wide-gap semiconductors are performed. Analytical expressions for the effective diffusion factor and diffusion length of carbon atoms in a porous system are obtained. The proposed model takes into account the processes of Knudsen diffusion, coagulation and the overgrowth of pores during the formation of a silicon-carbide layer.
- ПубликацияТолько метаданныеPLD Grown SiC Thin Films on Al2O3: Morphology and Structure(2019) Kargin, N. I.; Gusev, A. S.; Ryndya, S. M.; Timofeev, A. A.; Grekhov, M. M.; Siglovaya, N. V.; Antonenko, S. V.; Каргин, Николай Иванович; Гусев, Александр Сергеевич; Рындя, Сергей Михайлович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич; Сигловая, Наталия Владимировна; Антоненко, Сергей Васильевич© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: In this paper, submicron SiC thin films are obtained on α-Al2O3 (0001) substrates from a ceramic target in vacuum by means of pulsed laser deposition. The influence of the substrate temperature on the composition, structure and surface morphology of the experimental samples is studied using scanning and transmission electron microscopy, scanning probe microscopy, X-ray diffractometry, Fourier transform infrared spectroscopy and Raman spectrometry. It is shown that at Tsub = 1000°C the heteroepitaxial growth of 3C-SiC is observed with the following preferential orientation with respect to the substrate: [0001]Al2O3||[111]SiС and [211A]Al2O3||[211]SiС, [100]Al2O3||[(Formula presented.)]SiС. The shape of the reflections from the {011} and {131} 3C–SiC planes on the electron diffraction pattern indicates the presence of local regions in the film that are rotated at angles of up to 7.5° around the growth axis. Thus, it is found that the 3C–SiC film obtained on α‑Al2O3 at a substrate temperature of 1000°C has a mosaic structure partially compensating for the mechanical stresses arising from a mismatch between the lattice parameters and thermal-expansion coefficients along the basal plane.
- ПубликацияТолько метаданныеRelaxation of Mechanical Stress in Epitaxial Films of Cubic Silicon Carbide on Silicon Substrates with a Buffer Porous Layer(2021) Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Smirnova, M. O.; Solomatin, I. O.; Sultanov, A. O.; Timofeev, A. A.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Рындя, Сергей Михайлович; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Сигловая, Наталия Владимировна; Смирнова, Марина Олеговна; Султанов, Азрет Оюсович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич© 2021, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of this study quantitatively and qualitatively illustrate the processes of mismatch stress relaxation upon epitaxy of cubic silicon carbide on silicon. The mechanical stress distribution in 3C–SiC/Si and 3C–SiC/por-Si heterostructures is analyzed. It is shown that a porous buffer layer plays a role in the reduction of mismatch stress. The data of the theoretical study are verified by experimental residual stress in 3C–SiC/Si and 3C–SiC/por-Si samples.
- ПубликацияТолько метаданныеThe Phenomenon of Artificial Radioactivity in Metal Cathodes under Glow Discharge Conditions(2022) Timashev, S. F.; Savvatimova, I. B.; Poteshin, S. S.; Kargin, N. I.; Sysoev, A. A.; Ryndya, S. M.; Тимашев, Сергей Федорович; Савватимова, Ирина Борисовна; Потешин, Сергей Станиславович; Каргин, Николай Иванович; Сысоев, Алексей Александрович; Рындя, Сергей Михайлович© 2022, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: It is shown that artificial radioactivity can be initiated under conditions of a glow-discharge plasma. When analyzing the isotopic and elemental composition in the near-surface region of Pd and Ni cathodes, initial and those treated for 40 hours under conditions of deuterium- or protium-containing plasma, changes were detected, respectively, in the isotopic ratios of Pt and Pb impurity isotopes in the Pd cathode and of Fe, Cu, and Znin the Ni cathode, as well as a significant reduction in the amount of these impurity elements in the cathodes and the formation of W isotopes in the Pd cathode. Possible nuclear processes that cause the established artificial radioactivity are considered.
- ПубликацияТолько метаданныеLocal laser annealing of 3C-SiC film deposited on the silicon substrate by CVD(2019) Mikhalik, M. M.; Avramchuk, A. V.; Komissarov, I. V.; Yu, Fominski, V.; Romanov, R. I.; Sultanov, A. O.; Siglovaya, N. V.; Ryndya, S. M.; Gusev, A. S.; Labunov, V. A.; Kargin, N. I.; Фоминский, Вячеслав Юрьевич; Романов, Роман Иванович; Султанов, Азрет Оюсович; Сигловая, Наталия Владимировна; Рындя, Сергей Михайлович; Гусев, Александр Сергеевич; Лабунов, Владимир; Каргин, Николай Иванович© Published under licence by IOP Publishing Ltd. In this work, we try to suite an approach, which concerns of epitaxial graphene growth by laser irradiation of 3C-SiC (111) film deposited on silicon substrate (111) by chemical vapor deposition method. Laser treatment was performed by pulsed 1064 nm laser with 20 Hz repetition rate and 15 ns pulse duration, the fluency was varied 0-1.5 J/cm 2 . Raman spectroscopy studies show that for fluence above 0.8 J/cm 2 2D band is noticeable revealing formation of high crystallographic quality graphitic (graphene) film.
- ПубликацияТолько метаданныеInitiation of Artificial Radioactivity of Impurity Elements in a Lead Cathode under Conditions of a Glow Discharge(2023) Timashev, S. F.; Savvatimova, I. B.; Poteshin, S. S.; Ryndya, C. M.; Kargin, N. I.; Тимашев, Сергей Федорович; Савватимова, Ирина Борисовна; Потешин, Сергей Станиславович; Рындя, Сергей Михайлович; Каргин, Николай Иванович