Publication:
Силовой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом

Файлы
elibrary_68602304_29393288.pdf(4.26 MB)
Дата
2024
Авторы
Рыжук, Р. В.
Гусев, А. С.
Каргин, Н. И.
Рындя, С. М.
Калошин, М. М.
Катков, А. В.
Цунваза, Д. М.
Захарченко, Р. В.
Показать ещё 2
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Изобретение относится к приборам твердотельной электроники, и в частности к конструкции силового транзистора на основе соединений нитридов III группы. Силовой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом состоит из подложки, буферного слоя GaN, нанесенного на подложку, ультратонкого барьерного слоя AlN ультратонкий не более 7, нанесенного на буферный слой, защитного верхнего слоя GaN, нанесенного на барьерный слой, электродов истока, затвора и стока, нанесенных на защитный слой и пространственно отделенных друг от друга, пассивирующего слоя Si3N4, нанесенного на защитный слой между электродами, а также металлизации полевой пластины, нанесенной на пассивирующий слой и электрически соединенной с затвором, при этом расстояние между затвором и стоком, а также длина полевой пластины - взаимосвязанные величины, подобранные исходя из требуемого значения напряжения пробоя. Изобретение обеспечивает получение силового транзистора на основе III-нитридной гетероструктуры, характеризующейся величиной слоевого сопротивления менее 250 Ом/□, с топологией, обеспечивающей напряжение пробоя более 100 В. 4 ил.
Описание
Патент на изобретение
Ключевые слова
III-нитридная гетероструктура , Полупроводниковые приборы , Силовой транзистор , Твердотельная электроника , Патент
Цитирование
Силовой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом / Рыжук Р. В. [и др.]. - № 2023135874 ; Заявл. 28.12.2023. - 2024.
URI
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=68602304
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/16241
Коллекции
Патенты