Персона: Рыжук, Роман Валериевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Руководитель научной группы "Лаборатория дизайна и свч измерений центра радиофотоники и СВЧ-технологий"
Фамилия
Рыжук
Имя
Роман Валериевич
Имя
8 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 8 из 8
- ПубликацияТолько метаданныеAnalysis of Carrier Scattering Mechanisms in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier(2024) Gusev, A. S.; Sultanov, A. O.; Katkov, A. V.; Ryndya, S. M.; Siglovaya, N. V.; Klochkov, A. N.; Ryzhuk, R. V.; Kargin, N. I.; Borisenko, D. P.; Гусев, Александр Сергеевич; Султанов, Азрет Оюсович; Катков, Андрей Викторович; Рындя, Сергей Михайлович; Сигловая, Наталия Владимировна; Клочков, Алексей Николаевич; Рыжук, Роман Валериевич; Каргин, Николай Иванович; Борисенко, Денис Петрович
- ПубликацияОткрытый доступSYNTHESIS OF RADIO IMAGES BY MICROWAVE PHOTONICS METHODS(НИЯУ МИФИ, 2023) Valuev, V.; Kulagin, V.; Ryzhuk, R.; Kargin, N.; Cherepenin, V.; Каргин, Николай Иванович; Валуев, Виктор Васильевич; Рыжук, Роман ВалериевичThe radio vision is the most promising method for the maximum possible information about objects to obtain. Below are the basic methods for image synthesis by means of the radio vision: 1. Method of holography. The reference microwave signal is added to the microwave echo signal and then the intensity of an interference pattern is measured and digitized. After digital processing, the image of the object is reconstructed. 2. A method for determining the amplitude-phase distribution in the receiving antenna opening and obtaining an image of the object after digital data processing. 3. The inverse synthetic aperture radar (ISAR) method. This method uses versatile signal processing technique rather than large aperture antennas to identify and reconstruct a moving target. 4. The MIMO (multiple inputs, multiple outputs) method based on distributed radar network.
- ПубликацияОткрытый доступСиловой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом(НИЯУ МИФИ, 2024) Рыжук, Р. В.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Рындя, С. М.; Калошин, М. М.; Катков, А. В.; Цунваза, Д. М.; Захарченко, Р. В.; Рындя, Сергей Михайлович; Рыжук, Роман Валериевич; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай ИвановичИзобретение относится к приборам твердотельной электроники, и в частности к конструкции силового транзистора на основе соединений нитридов III группы. Силовой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом состоит из подложки, буферного слоя GaN, нанесенного на подложку, ультратонкого барьерного слоя AlN ультратонкий не более 7, нанесенного на буферный слой, защитного верхнего слоя GaN, нанесенного на барьерный слой, электродов истока, затвора и стока, нанесенных на защитный слой и пространственно отделенных друг от друга, пассивирующего слоя Si3N4, нанесенного на защитный слой между электродами, а также металлизации полевой пластины, нанесенной на пассивирующий слой и электрически соединенной с затвором, при этом расстояние между затвором и стоком, а также длина полевой пластины - взаимосвязанные величины, подобранные исходя из требуемого значения напряжения пробоя. Изобретение обеспечивает получение силового транзистора на основе III-нитридной гетероструктуры, характеризующейся величиной слоевого сопротивления менее 250 Ом/□, с топологией, обеспечивающей напряжение пробоя более 100 В. 4 ил.
- ПубликацияТолько метаданныеNitro Derivatives of Silaprismanes as High-Energy Compounds: Theoretical Study(2019) Kochaev, A. I.; Salem, M. A.; Gimaldinova, M. A.; Katin, K. P.; Ryzhuk, R. V.; Kargin, N. I.; Maslov, M. M.; Гимальдинова, Маргарита Александровна; Катин, Константин Петрович; Рыжук, Роман Валериевич; Каргин, Николай Иванович; Маслов, Михаил МихайловичWe present ab initio study of structures and properties of silaprismanes Si2nH2n and their nitro derivatives Si2nH2n-1NO2 (n = 3-10). We found that silaprismane Si10H9NO2 possesses the highest stability among all studied cages. Attached NO2 group results in weak decreasing of the HOMO-LUMO gap. The smaller prismanes bind with NO2 groups more strongly. The comparison between silaprismanes and carbon prismanes is also discussed.
- ПубликацияТолько метаданныеThermal stability of tantalum nitride based thin film resistors(2019) Shostachenko, S. A.; Zakharchenko, R. V.; Ryzhuk, R. V.; Leshchev, S. V.; Захарченко, Роман Викторович; Рыжук, Роман Валериевич; Лещев, Сергей Валерьевич© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. Tantalum nitride thin films were deposited on Al2O3 substrates by the dc-magnetron sputtering technique. The nitrogen content in the argon/nitrogen flow varied from 5 to 50%. Structural properties were studied using X-ray diffraction. The ratio of Ar:N2 was 4:1; the ratio of Ta:N became 1:1. Sheet resistance depends on thickness and is in the range of 20 - 80 Ω/□ due to thickness 100 - 50 nm. The TaN films deposited at a nitrogen/argon ratio of 20% show the thermal stability of the resistance in the 25-400°C temperature range. Sheet resistance degradation was ∼ 5%. The TCR value was determined in the range of 25 - 300 C and was equal to - 21 ppm/K.
- ПубликацияТолько метаданныеParametrization of a Microwave and the Noise Model of a Metamorphic 0.15 µm MHET InAlAs/InGaAs Transistor(2021) Gorelov, A. A.; Lokotko, V. V.; Kargin, N. I.; Vasilievsky, I. S.; Grishakov, K. S.; Ryzhuk, R. V.; Горелов, Андрей Алексеевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич; Гришаков, Константин Сергеевич; Рыжук, Роман Валериевич© 2021, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: AlGaAs MHEMT transistors are studied in the microwave frequency range with a gate length of 0.15 μm. It is found that the discrepancy between the experimental and theoretically calculated, within the model, S-parameters does not exceed 0.5% in the frequency range from 1 to 30 GHz. The static characteristics of the device are satisfactorily described by the indicated model in the voltage range of the runoff up to 2.5 V. For the analysis of the noise characteristics, the Fukui model is used. It is found that the influence of the parasitic drain capacitance and the values of the drain and source inductances do not significantly affect the noise characteristics of the transistor, and an increase in the parasitic capacitance and a decrease in the parasitic gate inductance can lead to a significant reduction in the high-frequency noise figure.
- ПубликацияТолько метаданныеDesign of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor(2023) Tsunvaza, D.; Ryzhuk, R. V.; Vasil'evskii, I. S.; Kargin, N. I.; Klokov, V. A.; Цунваза, Дамир; Рыжук, Роман Валериевич; Васильевский, Иван Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Клоков, Владимир Александрович
- ПубликацияТолько метаданныеOptically Detectable Magnetic Resonance of NV-Center Ensembles in CVD Diamond with Different 13C Contents(2024) Salkazanov, A.T.; Gusev, A.S.; Kaloshin, M.M.; Sauri, A.D.; Zharikov, A.M.; Nizovtsev, A.P.; Kilin, S.Ya.; Kargin, N.I.; Ryzhuk, R.V.; Салказанов, Александр Тотразович; Гусев, Александр Сергеевич; Калошин, Михаил Михайлович; Саури, Антон Давидович; Жариков, Александр Михайлович; Низовцев, Александр Павлович; Килин, Сергей Яковлевич; Каргин, Николай Иванович; Рыжук, Роман Валериевич