Publication:
Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor

Дата
2023
Авторы
Tsunvaza, D.
Ryzhuk, R. V.
Vasil'evskii, I. S.
Kargin, N. I.
Klokov, V. A.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor / Tsunvaza, D. [et al.] // Russian Microelectronics. - 2023. - 52. - № 3. - P. 160-166. - 10.1134/S1063739723700415
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063739723700415
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85163960650&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/30247
Коллекции
Публикации