Персона: Васильевский, Иван Сергеевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Научная группа
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Васильевский
Имя
Иван Сергеевич
Имя
64 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 64
- ПубликацияТолько метаданныеModelling of Quantum-confined Stark Effect in III-V Heterostructures for Electro-optic Modulator Applications(2019) Sibirmovsky, Y. D.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Сибирмовский, Юрий Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич© 2019 IEEE.The problem of modelling the absorption coefficient and refractive index spectra of III-V heterostructures with multiple quantum wells and superlattices under applied electric field is considered. This is a crucial step in the design of efficient and compact electro-optic modulators. The goal of this work is to find a simple, fast and reliable method to qualitatively compare various heterostructure designs. Which is why two-band effective mass approximation is used here. The paper contains comparison of existing methods as well as some new results.
- ПубликацияОткрытый доступИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР С РАЗЛИЧНЫМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs В АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И InP(НИЯУ МИФИ, 2011) Галиев, Г. Б.; Васильевский, И. С.; Климов, Е. А.; Пушкарев, С. С.; Рубан, О. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
- ПубликацияОткрытый доступПОИСК ОПТИМАЛЬНОЙ КОНСТРУКЦИИ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА ДЛЯ МНЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР In0.68Al0.32As/In0.72Ga0.28As/GaAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Галиев, Г. Б.; Пушкарёв, С. С.; Васильевский, И. С.; Кванин, А. Л.; Климов, Е. А.; Васильевский, Иван СергеевичВ настоящее время обнаруживается тенденция вытеснения НЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP, являющихся базой для СВЧ электроники микроволнового диапазона, метаморфными НЕМТ (МНЕМТ) наногетероструктурами. Причина заключается в открывающейся возможности использовать более надёжные и дешёвые подложки GaAs вместо InP и выбирать нужный состав активной области. Эпитаксиально выращенные МНЕМТ наногетероструктуры характеризуются двумя важными параметрами. Первый параметр – плотность дислокаций, прорастающих в активные слои и на поверхность, – во многом определяет подвижность электронов. Второй параметр – шероховатость поверхности, имеющей характерный для метаморфных структур поперечнополосатый рельеф, эта величина влияет на успешное создание наноразмерных топологий при изготовлении МИС.
- ПубликацияОткрытый доступДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ НАСЫЩЕНИЯ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С СОСТАВНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ In0,53Ga0,47As/InAs/In0,53Ga0,47As/InAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Васильев, А. Л.; Субботин, И. А.; Васильевский, Иван СергеевичОдним из преимуществ использования гетеросистем InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP является возможность получения более высокой дрейфовой скорости Vдр насыщения электронов в квантовой яме (КЯ) InGaAs по сравнению с другими арсенидными гетеросистемами. В сильных электростатических полях Е~105 В/см, энергия электронов становится сравнимой с энергией полярных оптических фононов, что приводит к дополнительной фононной эмиссии и возрастанию темпа рассеяния “горячих” электронов.
- ПубликацияОткрытый доступПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ(НИЯУ МИФИ, 2012) Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Боков, П. Ю.; Васильевский, Иван СергеевичИсследование квантовых ям (КЯ), близких к поверхности, в гетероструктурах AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs является актуальной задачей для создания более совершенных транзисторных гетероструктур. При приближении КЯ к поверхности гетероструктуры, с одной стороны, возрастает модуляция потенциала КЯ затворным напряжением, что приводит к увеличению частоты. С другой стороны, при уменьшении толщины барьерного слоя AlxGa1-xAs возрастает влияние поверхностного потенциала, что приводит к изменению зонного профиля в гетероструктуре.
- ПубликацияОткрытый доступТЕХНОЛОГИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСЛОЕВ InAs И GaAs В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InAlAs/InGaAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильев, А. В.; Пресняков, М. Ю.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Васильевский, Иван СергеевичСлоевой дизайн гетероструктур для СВЧ электроники непрерывно совершенствуется для увеличения дрейфовой скорости насыщения электронов, снижения рассеяния, увеличения поля насыщения. Одним из интересных решений является переход к составным квантовым ямам, содержащим несколько монослоев (МС) чистого InAs. Такое решение позволяет уменьшить эффективную массу электронов в КЯ с одной или двумя вставками InAs. В то же время, этот путь требует оптимизации технологии формирования напряженных наноразмерных слоев. В представленной работе приведены данные исследования образцов гетероструктур с различной конструкцией активной области, с одной и двумя симметрично расположенными вставками InAs методами высокоразрешающей просвечивающей растровой электронной микроскопии (ВР ПРЭМ).
- ПубликацияОткрытый доступПОДВИЖНОСТЬ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs С НАНОВСТАВКАМИ InAs(НИЯУ МИФИ, 2011) Васильевский, И. С.; Пономарев, Д. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Юзеева, Н. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
- ПубликацияОткрытый доступАКТИВАЦИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs(НИЯУ МИФИ, 2019) Гудина, С. В.; Арапов, Ю. Г.; Дерюшкина, Ю. В.; Неверов, В. Н.; Савельев, А. П.; Подгорных, С. М.; Шелушинина, Н. Г.; Якунин, М. В.; Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Васильевский, Иван СергеевичThe longitudinal ρxx and Hall ρxy resistances in magnetic fields up to 12 T and temperature from 0.3 to 35 K in the n-InyGa1-yAs/InxAl1-xAs structures with high InAs content are measured. Indications pointing out the significant role of spin-orbit interaction for the values of the charge carrier parameters and in localization – delocalization processes are obtained.
- ПубликацияОткрытый доступРАЗРАБОТКА Р-НЕМТ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ ДЛЯ ПРИБОРОВ KA И V ДИАПАЗОНОВ(НИЯУ МИФИ, 2011) Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
- ПубликацияОткрытый доступИЗМЕРЕНИЕ МОЛЬНОЙ ДОЛИ АЛЮМИНИЯ В ТРОЙНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ AlxGa1-xAs МЕТОДОМ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИИ ВТОРИЧНЫХ ИОНОВ(НИЯУ МИФИ, 2012) Сарайкин, В. В.; Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Щербачев, К. Д.; Васильевский, Иван СергеевичВ квантовых ямах Р-НЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs гетероструктур с высокой подвижностью электронов структур, применяемых для создания приборов СВЧ электроники, слои AlxGa1-xAs являются и барьерными для квантовой ямы InyGa1-yAs, и одновременнодонорыми. Увеличение мольной доли х приводит к увеличению высоты потенциального барьера квантовой ямы и снижает утечки затвора. С другой стороны, при содержании Al x>24% DX-центры SiAlGaAs захватывают электроны, что ухудшает параметры транзистора - возникают паразитные гистерезис ВАХ, термо- и светочувствительность. При подгонке токов транзисторов верхний контактный слой n+GaAs(Si) стравливается в затворном заглублении, а слой AlxGa1-xAs обеспечивает селективность травления при x = 22-24%. Поэтому важнейшей задачей технологии Р-НЕМТ гетероструктур является метод контроля технологии и состава слоев AlxGa1-xAs. Масс-спектрометрия вторичных ионов (ВИМС) является одним из наиболее информативных аналитических методов для анализа гетероструктур из-за возможности измерения сложного профиля распределения состава по глубине.