Персона: Васильевский, Иван Сергеевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Научная группа
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Васильевский
Имя
Иван Сергеевич
Имя
67 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 67
- ПубликацияОткрытый доступТЕХНОЛОГИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ВАРИЗОННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ(НИЯУ МИФИ, 2012) Виниченко, А. Н.; Васильевский, И. С.; Грехов, М. М.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил НиколаевичДизайн гетероструктур А3В5 имеет достаточно много степеней свободы. Не только толщина и состав слоев, способ легирования, но и изменение профиля состава может обеспечить изменение зонной структуры и условий рассеяния носителей тока, улучшить параметры транзисторов. Использование варизонных слоев в РНЕМТ AlxGa1-xAs/ InyGa1-yAs структурах еще не освоено. Известно, что в транзисторных гетероструктурах сильное легирование и большая концентрация электронов в КЯ приводят к возникновению заметной асимметрии дна КЯ. Это отрицательно сказывается на подвижности двумерных электронов, так как, во-первых, эффективная ширина КЯ снижается, вследствие чего энергетический зазор между подзонами уменьшается, во-вторых, центроид двумерных электронов располагается ближе к ионизированным донорам. Варизонные слои InyGa1-yAs с неоднородным профилем состава y(z) обеспечивают дополнительный вклад в энергетические профили зон 'Еg(z) и 'ЕC(z), что может компенсировать электростатический вклад в формирование зонной диаграммы структур. Кроме того, неоднородное распределение InAs в РНЕМТ может расширить ограничения на псевдоморфный рост канала, а также снизить ударную ионизацию, по сравнении с однородной КЯ с высоким содержанием InAs. Цель работы состояла в реализации технологии варизонных РНЕМТ гетероструктур.
- ПубликацияТолько метаданныеComparison of the thermal interdiffusion phenomena in InGaAs/GaAs and InGaAs/AlGaAs strained heterostructures(2022) Vasilkova, E. I.; Klochkov, A. N.; Vinichenko, A. N.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Клочков, Алексей Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван СергеевичThe effect of 5 min high-temperature thermal annealing on InGaAs/GaAs strained superlattices and InGaAs/ AlGaAs PHEMT structures grown by molecular beam epitaxy was studied using the Hall measurements, pho-toluminescence spectroscopy, and high-resolution X-ray diffraction. InGaAs/GaAs superlattices are shown to undergo photoluminescence peak energy blueshift after 700 degrees C annealing and distinguishable heterointerface roughening after 800 degrees C annealing. The magnitude of quantum well smoothing, caused by annealing induced III-group atom interdiffusion, was estimated experimentally using secondary ion mass spectrometry and X-ray reflectivity, and calculated from the modelled electron energy spectra in the diffused wells. InGaAs/AlGaAs PHEMTs appear to be more sensitive to annealing, demonstrating optical and structural changes of a similar nature to InGaAs/GaAs heterostructures, as well as transport properties degradation, at a wider range of annealing temperatures starting 500 degrees C.
- ПубликацияТолько метаданныеPlasmonic-Metal Nanostructures-Enhanced Photoconductive Terahertz Emission and Detection(2024) Nomoev, S.; Vasilevskii, I.; Klochkov, A.; Vinichenko, A.; Номоев, Сергей Андреевич; Васильевский, Иван Сергеевич; Клочков, Алексей Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич
- ПубликацияОткрытый доступTHZ QUANTUM CASCADE LASERS WITH TWO-PHOTON DESIGN(НИЯУ МИФИ, 2023) Khabibullin, R. A.; Pushkarev, S. S.; Galie, R. R.; Ponomarev, D. S.; Vasil’evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Klochkov, A. N.; Bagaev, T. A.; Ladugin, M. A.; Marmalyuk, A. A.; Maremyanin, K. V.; Gavrilenko, V. I.; Ushakov, D. V.; Afonenko, A. A.; Клочков, Алексей Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Васильевский, Иван СергеевичThe possibility of implementing two radiation transitions in the gain module for THz QCL has been shown many times [1,2]. However, the activation of these transitions is achieved at diff erent bias points, which corresponds to the optimal alignment of energy levels for each transition. We propose to add an additional step to the ladder of energy levels in the gain module, equal to the energy of THz photon. Due to the low energy of THz photon, it becomes possible to design the gain module based on the conventional GaAs/Al0.15Ga0.85As heterojunction with two-photon emission at one bias point.
- ПубликацияТолько метаданныеFeatures of Pulsed Laser Annealing of BC3 Films on a Sapphire Substrate(2019) Zinin, P. V.; Filonenko, V. P.; Fominski, V. Y.; Romanov, R. I.; Solov'ev, A. A.; Vasil'evskii, I. S.; Safonov, D. A.; Ivanov, A. A.; Фоминский, Вячеслав Юрьевич; Романов, Роман Иванович; Соловьев, Алексей; Васильевский, Иван Сергеевич; Сафонов, Данил Андреевич; Иванов, Андрей Анатольевич© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The morphology, chemical composition, microstructure, and electrical properties of BC3 thin films subjected to melting by a nanosecond laser pulse are investigated. The original films have been created by pulsed laser codeposition of B and C onto a sapphire substrate at 150 and 350°C. Morphological changes in the films depended on their initial structural state. However, a “frozen” structure of both films after irradiation corresponded to the B-saturated graphite-like phase, the local composition of which varied due to the formation of inclusions of amorphous boron carbide. Before and after irradiation, the films exhibited a slightly decreasing dependence of the surface resistance with increasing temperature from 4.2 to 330 K. After laser irradiation, the films resistance has decreased by a factor of ~2.6.
- ПубликацияТолько метаданныеNew Structure for Photoconductive Antennas Based on {LTG-GaAs/GaAs:Si} Superlattice on GaAs(111) A Substrate(2019) Galiev, G. B.; Trunkin, I. N.; Vasiliev, A. L.; Klimov, E. A.; Vasil'evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Васильевский, Иван Сергеевич; Виниченко, Александр Николаевич© 2019, Pleiades Publishing, Inc.Abstract: The structural characteristics of a new structure for photoconductive antennas have been investigated. This structure is a multilayered epitaxial film grown on a GaAs(111)A substrate; it consists of alternating undoped low-temperature grown GaAs (LTG-GaAs) layers and GaAs layers synthesized in the standard high-temperature regime and doped with silicon (GaAs:Si). The As4/Ga flow ratio γ is chosen such as to produce p-type GaAs:Si layers. LTG-GaAs layers were grown at an enlarged γ value. The samples grown on GaAs(100) substrates were single-crystal, whereas the single-crystal growth on GaAs(111)A substrates changed to polycrystalline when the film thickness reached 320–340 nm. The sizes of As precipitates in annealed samples, their distribution over the film thickness, and specific features of their crystal structure have been analyzed.
- ПубликацияТолько метаданныеModeling the absorption and refraction spectra of multiple quantum well structures(2023) Sibirmovsky, Y. D.; Vasil'evskii, I. S.; Kargin, N. I.; Сибирмовский, Юрий Дмитриевич; Васильевский, Иван Сергеевич; Каргин, Николай Иванович
- ПубликацияТолько метаданныеThe use of THz metamaterials for studying the adsorption of the SARS-CoV-2 virus spike protein by vibrational spectroscopy(2022) Konnikova, M. R.; Cherkasova, O. P.; Dizer, E. S.; Mankova, A. A.; Vasil'evskii, I. S.; Butylin, A. A.; Shkurinov, A. P.; Васильевский, Иван СергеевичAdhesion of the SARS-CoV-2 virus spike protein was studied by vibrational spectroscopy using terahertz metamaterials. Specific features of metastructure absorption by histidine, albumin, and receptor-binding domain of spike protein films were investigated. An original method for quantitative estimation of the efficiency of virus adhesion on the surface of metamaterials has been proposed and experimentally tested. © 2022 IEEE.
- ПубликацияТолько метаданныеPulsed laser modification of layered B-C and mixed BCx films on sapphire substrate(2021) Zinin, P. V.; Krasnoborodko, S. Y.; Vysokikh, Y. E.; Filonenko, V. P.; Fominski, V. Y.; Romanov, R. I.; Vasil'evskii, I. S.; Safonov, D. A.; Soloviev, A. A.; Ivanov, A. A.; Фоминский, Вячеслав Юрьевич; Романов, Роман Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич; Сафонов, Данил Андреевич; Соловьев, Алексей; Иванов, Андрей Анатольевич© 2021 Elsevier B.V.The effect of pulsed laser annealing (PLA, i.e., action of nanosecond laser pulses in air atmosphere) on surface morphology, structure, chemical state, and electrical properties of thin films consisting of boron and carbon atoms was studied. The nanolayered В/С and mixed ВСx~3 thin film precursors (with a thickness ~110–140 nm) were created on sapphire substrates by using the pulsed laser deposition. Scanning electron microscopy and Raman scattering measurements indicate that the process of stratification of the multilayer B/C films dominated during PLA of the films. The outer layers were removed, and closer to the substrate, the B and C layers were preserved, and they were not mixed. For the mixed ВСх films deposited at elevated temperatures, the PLA treatment enhances ordering of initially amorphous film structure. At the stage of melting of these films, oxygen (from surrounded air) penetrated inside the top layer of the film leading to the formation of a multiphase structure from g-BCx and B-doped GO/rGO after solidification. Studies of the chemical state of elements in the irradiated film have shown that О atoms, which penetrated the under-surface layers of the film, facilitated the formation of new chemical bonds in the B–C–O system. The concentration of O atoms in the depth of the film could reach 8%. The preferential oxidation of boron in a homogeneous mixture of B–C–O atoms indicated that intercalation of carbon matrix could be due to the incorporation of not only O atoms, but also B–O molecules. The laser irradiated ВСх films have a relatively low resistivity (~1.6 mΩ·cm) and semi-metallic dependence on temperature in the range 4.2–300 К. The spatial distribution of conductivity zones after PLA has an irregular structure, and its pattern looks like sand dunes, indicating that the PLA treatment leads to mixing zones of high with those of lower conductivity. The contact-tip resistivity inside the areas of high conductivity of the ВСx/Al2O3 samples may be significantly lower than that of pure graphite.
- ПубликацияТолько метаданныеDonor ionization tuning in AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT quantum wells with AlAs nanolayers in spacer(2019) Safonov, D. A.; Vinichenko, A. N.; Sibirmovsky, Yu. D.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Сафонов, Данил Андреевич; Виниченко, Александр Николаевич; Сибирмовский, Юрий Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. A comparison of the electron transport properties of pseudomorphic quantum well AlxGa1-xAs/In0.2Ga0.8As/GaAs with those of conventional donor layer (x = 0.15 and x = 0.25) and with AlAs nanoinserts around the delta-Si layer or AlAs: delta-Si donor layer is presented. The structures with added AlAs layers exhibit electron concentration decrease, combined with increased electron mobility. This effect is related to the suppression of remote ionized impurity electron scattering, change of band structure and decreasing efficiency of silicon atoms doping when incorporating in pure AlAs.