Персона: Васильевский, Иван Сергеевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Научная группа
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Васильевский
Имя
Иван Сергеевич
Имя
69 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 69
- ПубликацияТолько метаданныеDevelopment of a 0.15 μm gaas phemt process design kit for low‐noise applications(2021) Dobush, I. M.; Zykov, D. D.; Bragin, D. S.; Salnikov, A. S.; Vasil'evskii, I. S.; Gorelov, A. A.; Kargin, N. I.; Васильевский, Иван Сергеевич; Горелов, Андрей Алексеевич; Каргин, Николай Иванович© 2021 by the authors. Licensee MDPI, Basel, Switzerland. This article is an open access article distributed under the terms and conditions of the Creative Commons Attribution (CC BY) license (https://creativecommons.org/license s/by/4.0/).This work presents a process design kit (PDK) for a 0.15 μm GaAs pHEMT process for low‐noise MMIC applications developed for AWR Microwave Office (MWO). A complete set of basic elements is proposed, such as TaN thin film resistors and mesa‐resistors, capacitors, inductors, and transistors. The developed PDK can be used in technology transfer or education.
- ПубликацияТолько метаданныеPlasmonic-Metal Nanostructures-Enhanced Photoconductive Terahertz Emission and Detection(2024) Nomoev, S.; Vasilevskii, I.; Klochkov, A.; Vinichenko, A.; Номоев, Сергей Андреевич; Васильевский, Иван Сергеевич; Клочков, Алексей Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич
- ПубликацияТолько метаданныеGeTe2 Phase Change Material for Terahertz Devices with Reconfigurable Functionalities Using Optical Activation(2023) Konnikova, M. R.; Khomenko, M. D.; Tverjanovich, A. S.; Bereznev, S.; Vasilevsky, I. S.; Васильевский, Иван Сергеевич
- ПубликацияОткрытый доступOPTICAL CHARACTERIZATION OF GETE2 PHASE CHANGE MATERIAL FOR TERAHERTZ APPLICATIONS(НИЯУ МИФИ, 2023) Konnikova, M.; Khomenko, M.; Tverjanovich, A.; Bereznev, S.; Mankova, A.; Parashchuk, O.; Vasil’evskii, I.; Ozheredov, I.; Shkurinov, A.; Bychkov, E.; Васильевский, Иван СергеевичRecently, photonics of phase-exchange materials (PCMs) has become a new research fi eld as the opti-cal properties of PCMs change during the amorphous-crystalline phase transition [1]. Activation of PCMs phase transition is possible by thermal, electrical or optical eff ects on the material [2]. The phase transition principles can be used in terahertz (THz) metamaterials [3], aff ecting their spectral characteristics [4]. By controlling the crystal fraction of the PCM fi lm, multilevel nonvolatile te-rahertz resonance switching states with long retention times can be realized. We investigated the optical, infrared (IR), and THz permittivity properties of thin fi lms of a new PCM GeTe2 during insulator-to-metal transition. Studies of the amorphous and crystalline phases as well as THz spectra are presented and studied using Lorentz and Drude models. It is proposed that the state of GeTe2 can be monitored by observing the intensity characteristics of the 155 cm-1 Raman peak. Molecular dynamics simulations showed that during crystallization, the intensity of the 155 cm-1 mode attributed to Te-Te stretching decreases and disappears during complete crystallization. Using the example of the new GeTe2 PCM, we demonstrate that the properties of PCM-based metasurfaces can be specifi ed at the initial design stage and modifi ed at the experimental stage. It has been shown that this PCM characteristic is of particular interest for achieving dynamic and tunable metasurface functionality. This work was supported in part by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (Grant No. 075-15-2021-1353) for the PCM material characterization; in part by the Interdisciplinary Scientifi c and Educational School of Lomonosov Moscow State University “Photonic and Quantum Technologies: Digital Medicine” for the sensor creation; in part by the European Union through the European Regional Development Fund project “Center of Excellence” TK141 for the thin fi lm preparation; and in part by the Ministry of Science and Higher Education within the State assignment FSRC “Crystallography and Photonics” RAS for the developements and prospects of THz photonics. The experimental Raman spectra were obtained at Lomonosov Moscow State University using the equipment purchased within the Lomonosov Moscow State University Program of Development.
- ПубликацияТолько метаданныеTHz Radiation of Photoconductive Antennas based on {LT-GaAa/GaAa:Si} Superlattice Structures(2020) Klochkov, A. N.; Klimov, E. A.; Solyankin, P. M.; Konnikova, M. R.; Vasil'evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Васильевский, Иван Сергеевич; Виниченко, Александр Николаевич© 2020, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: A material in the form of a multilayer structure based on low-temperature LT-GaAs grown on (111)A-oriented substrates is proposed for fabrication of THz photoconductive antennas. These structures contain active LT-GaAs layers and doping acceptor GaAs:Si-based layers. At the optical pump power of 19 mW and the bias voltage of 30 V, a photoconductive antenna based on the optimized {LT-GaAs/GaAs:Si} (111)A structure emits THz pulses with the average power of 2.3 μW at the pulse repetition frequency of 80 MHz; the conversion efficiency is 1.2 × 10–4. It is shown that the dependence of the integral power of THz pulses of the antenna based on the {LT-GaAs/GaAs:Si} (111)A structure on the applied voltage is superlinear; the dependence of this parameter on the optical pump power is plotted as a curve with saturation. It is shown that the designed antennas have a practical application in THz spectroscopy of biological solutions.
- ПубликацияОткрытый доступПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ(НИЯУ МИФИ, 2012) Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Боков, П. Ю.; Васильевский, Иван СергеевичИсследование квантовых ям (КЯ), близких к поверхности, в гетероструктурах AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs является актуальной задачей для создания более совершенных транзисторных гетероструктур. При приближении КЯ к поверхности гетероструктуры, с одной стороны, возрастает модуляция потенциала КЯ затворным напряжением, что приводит к увеличению частоты. С другой стороны, при уменьшении толщины барьерного слоя AlxGa1-xAs возрастает влияние поверхностного потенциала, что приводит к изменению зонного профиля в гетероструктуре.
- ПубликацияТолько метаданныеComputational modeling of THz photoconductive antenna with plasmonic gold nanorod(2023) Nomoev, S.; Vasilevskii, I.; Khartaeva, E.; Номоев, Сергей Андреевич; Васильевский, Иван СергеевичViews Icon Views Article contents Figures and tables Video Audio Supplementary Data Peer Review Share Icon Share Twitter Facebook Reddit LinkedIn Tools Icon Tools Reprints and Permissions Cite Icon Cite Search Site Citation Sergey Nomoev, Ivan Vasilevskii, Erzhena Khartaeva; Computational modeling of THz photoconductive antenna with plasmonic gold nanorod. AIP Conference Proceedings 16 February 2023; 2504 (1): 030041. https://doi.org/10.1063/5.0132407 Download citation file: Ris (Zotero) Reference Manager EasyBib Bookends Mendeley Papers EndNote RefWorks BibTex toolbar search Search Dropdown Menu toolbar search search input Search input auto suggest filter your search All ContentAIP Publishing PortfolioAIP Conference Proceedings Search Advanced Search |Citation Search
- ПубликацияТолько метаданныеIntegration of 2D pnictides with III-V semiconductors via pnictogen scavenging(2026) Averyanov, D. V.; Sokolov,I.S.; Taldenkov,A.N.; Vinichenko, A. N.; Vasil'evskii, I. S.; Виниченко, Александр Николаевич; Васильевский, Иван Сергеевич
- ПубликацияОткрытый доступTHZ QUANTUM CASCADE LASERS WITH TWO-PHOTON DESIGN(НИЯУ МИФИ, 2023) Khabibullin, R. A.; Pushkarev, S. S.; Galie, R. R.; Ponomarev, D. S.; Vasil’evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Klochkov, A. N.; Bagaev, T. A.; Ladugin, M. A.; Marmalyuk, A. A.; Maremyanin, K. V.; Gavrilenko, V. I.; Ushakov, D. V.; Afonenko, A. A.; Клочков, Алексей Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Васильевский, Иван СергеевичThe possibility of implementing two radiation transitions in the gain module for THz QCL has been shown many times [1,2]. However, the activation of these transitions is achieved at diff erent bias points, which corresponds to the optimal alignment of energy levels for each transition. We propose to add an additional step to the ladder of energy levels in the gain module, equal to the energy of THz photon. Due to the low energy of THz photon, it becomes possible to design the gain module based on the conventional GaAs/Al0.15Ga0.85As heterojunction with two-photon emission at one bias point.
- ПубликацияТолько метаданныеContact Potential Difference in the Absence of a Current through a Sample in the Quantum Hall Effect Regime in InGaAs/InAlAs Heterostructure(2024) Gudina, S. V.; Neverov, V. N.; Turutkin, K. V.; Vasil'evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Васильевский, Иван Сергеевич; Виниченко, Александр Николаевич