Publication:
Donor ionization tuning in AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT quantum wells with AlAs nanolayers in spacer

Дата
2019
Авторы
Safonov, D. A.
Vinichenko, A. N.
Sibirmovsky, Yu. D.
Kargin, N. I.
Vasil'evskii, I. S.
Сафонов, Данил Андреевич
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. A comparison of the electron transport properties of pseudomorphic quantum well AlxGa1-xAs/In0.2Ga0.8As/GaAs with those of conventional donor layer (x = 0.15 and x = 0.25) and with AlAs nanoinserts around the delta-Si layer or AlAs: delta-Si donor layer is presented. The structures with added AlAs layers exhibit electron concentration decrease, combined with increased electron mobility. This effect is related to the suppression of remote ionized impurity electron scattering, change of band structure and decreasing efficiency of silicon atoms doping when incorporating in pure AlAs.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Donor ionization tuning in AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT quantum wells with AlAs nanolayers in spacer / Safonov, D.A. [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 498. - № 1. - 10.1088/1757-899X/498/1/012031
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/498/1/012031
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85065585743&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000472784800031
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/17955
Коллекции
Публикации