Персона: Виниченко, Александр Николаевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Виниченко
Имя
Александр Николаевич
Имя
31 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 31
- ПубликацияТолько метаданныеPlasmonic-Metal Nanostructures-Enhanced Photoconductive Terahertz Emission and Detection(2024) Nomoev, S.; Vasilevskii, I.; Klochkov, A.; Vinichenko, A.; Номоев, Сергей Андреевич; Васильевский, Иван Сергеевич; Клочков, Алексей Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич
- ПубликацияТолько метаданныеTHz Radiation of Photoconductive Antennas based on {LT-GaAa/GaAa:Si} Superlattice Structures(2020) Klochkov, A. N.; Klimov, E. A.; Solyankin, P. M.; Konnikova, M. R.; Vasil'evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Васильевский, Иван Сергеевич; Виниченко, Александр Николаевич© 2020, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: A material in the form of a multilayer structure based on low-temperature LT-GaAs grown on (111)A-oriented substrates is proposed for fabrication of THz photoconductive antennas. These structures contain active LT-GaAs layers and doping acceptor GaAs:Si-based layers. At the optical pump power of 19 mW and the bias voltage of 30 V, a photoconductive antenna based on the optimized {LT-GaAs/GaAs:Si} (111)A structure emits THz pulses with the average power of 2.3 μW at the pulse repetition frequency of 80 MHz; the conversion efficiency is 1.2 × 10–4. It is shown that the dependence of the integral power of THz pulses of the antenna based on the {LT-GaAs/GaAs:Si} (111)A structure on the applied voltage is superlinear; the dependence of this parameter on the optical pump power is plotted as a curve with saturation. It is shown that the designed antennas have a practical application in THz spectroscopy of biological solutions.
- ПубликацияТолько метаданныеIntegration of 2D pnictides with III-V semiconductors via pnictogen scavenging(2026) Averyanov, D. V.; Sokolov,I.S.; Taldenkov,A.N.; Vinichenko, A. N.; Vasil'evskii, I. S.; Виниченко, Александр Николаевич; Васильевский, Иван Сергеевич
- ПубликацияОткрытый доступTHZ QUANTUM CASCADE LASERS WITH TWO-PHOTON DESIGN(НИЯУ МИФИ, 2023) Khabibullin, R. A.; Pushkarev, S. S.; Galie, R. R.; Ponomarev, D. S.; Vasil’evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Klochkov, A. N.; Bagaev, T. A.; Ladugin, M. A.; Marmalyuk, A. A.; Maremyanin, K. V.; Gavrilenko, V. I.; Ushakov, D. V.; Afonenko, A. A.; Клочков, Алексей Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Васильевский, Иван СергеевичThe possibility of implementing two radiation transitions in the gain module for THz QCL has been shown many times [1,2]. However, the activation of these transitions is achieved at diff erent bias points, which corresponds to the optimal alignment of energy levels for each transition. We propose to add an additional step to the ladder of energy levels in the gain module, equal to the energy of THz photon. Due to the low energy of THz photon, it becomes possible to design the gain module based on the conventional GaAs/Al0.15Ga0.85As heterojunction with two-photon emission at one bias point.
- ПубликацияТолько метаданныеContact Potential Difference in the Absence of a Current through a Sample in the Quantum Hall Effect Regime in InGaAs/InAlAs Heterostructure(2024) Gudina, S. V.; Neverov, V. N.; Turutkin, K. V.; Vasil'evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Васильевский, Иван Сергеевич; Виниченко, Александр Николаевич
- ПубликацияОткрытый доступМЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ PHEMT НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Галиев, Г. Б.; Грехов, М. М.; Щербачев, К. Д.; Сарайкин, В. Д.; Лаврухин, Д. В.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Каргин, Николай Иванович; Щербачев, Олег ВячеславовичРНЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs гетероструктуры являются одним из самых широко используемых базовых материалов в СВЧ электронике для создания транзисторов и монолитных интегральных схем (МИС). Данные структуры содержат большое число слоев, как основных, так и вспомогательных, из твердых растворов AlxGa1-xAs и InyGa1-yAs. Для получения требуемой зонной структуры и характеристик образцов необходимо жестко контролировать состав и толщину данных слоев. Цель работы состояла в реализации технологии РНЕМТ гетероструктур с использованием методов нанометрологии, обеспечивающими точность и воспроизводимость технологических параметров не хуже 95%. Для роста на установке МЛЭ Riber Compact 21T использовались импортные ОСЧ металлы производства Azelis Electronics. Предельный вакуум в камере роста при замороженных криопанелях и с перекрытым потоком As4 составлял до 1-2х10-11 Торр. Одним из важных факторов получения стабильной и воспроизводимой скорости роста, состава и толщины слоев РНЕМТ гетероструктур являлось получение долговременной стабильности потоков и учет быстрых переходных процессов при открытии заслонок.
- ПубликацияТолько метаданныеStructural Characteristics of Epitaxial Low-Temperature Grown {InGaAs/InAlAs} Superlattices on InP(100) and InP(111)A Substrates(2020) Galiev, G. B.; Vasiliev, A. L.; Klimov, E. A.; Klochkov, A. N.; Vasil'evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Васильевский, Иван Сергеевич; Виниченко, Александр Николаевич© 2020, Pleiades Publishing, Inc.Abstract: The structural characteristics of {InGaAs/InAlAs} superlattices, grown by molecular-beam epitaxy (MBE) at a temperature of 200°C on InP substrates with the crystallographic orientations (100) and (111)A, have been investigated. The superlattices consist of 100 periods of alternating In0.53Ga0.47As and In0.52Al0.48As layers with nominal thicknesses of 12 and 8 nm, respectively. The structural quality of the samples has been investigated by transmission electron microscopy (TEM). It is shown that the superlattice on the InP(100) substrate is single-crystal with high concentration of stacking faults, twins, and small-angle domains. The superlattice on the InP(111)A substrate is polycrystalline; however, the grown layers can be traced throughout almost the entire superlattice. A wave-like curvature of the layers grown on the InP(111)A substrate is much larger than that of the layers grown on the InP(100) substrate: the angular ranges of layer deviation from the horizontal growth plane reach ±30° and ±18°, respectively.
- ПубликацияТолько метаданныеElectron effective masses, nonparabolicity and scattering times in one side delta-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells at high electron density limit(2021) Safonov, D. A.; Klochkov, A. N.; Vinichenko, A.; Sibirmovsky, Y. D.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Сафонов, Данил Андреевич; Клочков, Алексей Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Сибирмовский, Юрий Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич© 2021The dependence of electron transport properties of two-dimensional electron gas on sheet doping concentration in one-sided δ-doped pseudomorphic AlxGa1-xAs/In0.2Ga0.8As/GaAs quantum wells is investigated. The wide range of silicon dopant sheet concentrations of (1.6–16) · 1012 cm−2 is investigated. Electron effective masses, nonparabolicity and scattering times are determined by low-temperature Shubnikov-de Haas effect measurements. The dependence of the quantum and transport relaxation times on nH is shown to have nonmonotonic character due to the competition of the Fermi momentum increase and the large angle scattering due to the variation of ionized donor concentration. The nonparabolicity coefficient in the In0.2Ga0.8As quantum well is determined to be 0.68 1/eV.
- ПубликацияТолько метаданныеTHz quantum cascade lasers with two-photon emission in the gain module(2022) Khabibullin, R. A.; Pushkarev, S. S.; Galiev, R. R.; Ponomarev, D. S.; Vasil'evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Klochkov, A. N.; Васильевский, Иван Сергеевич; Виниченко, Александр Николаевич; Клочков, Алексей НиколаевичA new lasing scheme with sequential two-photon emission in the gain module for terahertz quantum cascade laser (THz QCL) is proposed and experimentally demonstrated. THz QCLs based on MBE-and MOCVD-grown structures with two-photon design have a lasing frequency of 3.8 THz and maximum operation temperature around 100 K. © 2022 IEEE.
- ПубликацияТолько метаданныеDirect epitaxial integration of the ferromagnetic oxide EuO with GaAs(2024) Averyanov,D.V.; Sokolov,I.S.; Taldenkov,A.N.; Vinichenko,A.N.; Vasil'evskii,I.S.; Виниченко, Александр Николаевич; Васильевский, Иван Сергеевич