Publication:
Contact Potential Difference in the Absence of a Current through a Sample in the Quantum Hall Effect Regime in InGaAs/InAlAs Heterostructure

Дата
2024
Авторы
Gudina, S. V.
Neverov, V. N.
Turutkin, K. V.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Contact Potential Difference in the Absence of a Current through a Sample in the Quantum Hall Effect Regime in InGaAs/InAlAs Heterostructure / Gudina, S.V. [et al.] // Physics of Metals and Metallography. - 2024. - 125. - № 2. - P. 137-141. - 10.1134/S0031918X23603165
URI
https://www.doi.org/10.1134/S0031918X23603165
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85192839463&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/26010
Коллекции
Публикации