Publication:
Structural Characteristics of Epitaxial Low-Temperature Grown {InGaAs/InAlAs} Superlattices on InP(100) and InP(111)A Substrates

Дата
2020
Авторы
Galiev, G. B.
Vasiliev, A. L.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020, Pleiades Publishing, Inc.Abstract: The structural characteristics of {InGaAs/InAlAs} superlattices, grown by molecular-beam epitaxy (MBE) at a temperature of 200°C on InP substrates with the crystallographic orientations (100) and (111)A, have been investigated. The superlattices consist of 100 periods of alternating In0.53Ga0.47As and In0.52Al0.48As layers with nominal thicknesses of 12 and 8 nm, respectively. The structural quality of the samples has been investigated by transmission electron microscopy (TEM). It is shown that the superlattice on the InP(100) substrate is single-crystal with high concentration of stacking faults, twins, and small-angle domains. The superlattice on the InP(111)A substrate is polycrystalline; however, the grown layers can be traced throughout almost the entire superlattice. A wave-like curvature of the layers grown on the InP(111)A substrate is much larger than that of the layers grown on the InP(100) substrate: the angular ranges of layer deviation from the horizontal growth plane reach ±30° and ±18°, respectively.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Structural Characteristics of Epitaxial Low-Temperature Grown {InGaAs/InAlAs} Superlattices on InP(100) and InP(111)A Substrates / Galiev, G.B. [et al.] // Crystallography Reports. - 2020. - 65. - № 3. - P. 496-501. - 10.1134/S1063774520030104
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063774520030104
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85085479607&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000536643700034
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/21857
Коллекции
Публикации