Publication:
Electron effective masses, nonparabolicity and scattering times in one side delta-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells at high electron density limit

Дата
2021
Авторы
Safonov, D. A.
Klochkov, A. N.
Vinichenko, A.
Sibirmovsky, Y. D.
Kargin, N. I.
Vasil'evskii, I. S.
Сафонов, Данил Андреевич
Показать ещё 2
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021The dependence of electron transport properties of two-dimensional electron gas on sheet doping concentration in one-sided δ-doped pseudomorphic AlxGa1-xAs/In0.2Ga0.8As/GaAs quantum wells is investigated. The wide range of silicon dopant sheet concentrations of (1.6–16) · 1012 cm−2 is investigated. Electron effective masses, nonparabolicity and scattering times are determined by low-temperature Shubnikov-de Haas effect measurements. The dependence of the quantum and transport relaxation times on nH is shown to have nonmonotonic character due to the competition of the Fermi momentum increase and the large angle scattering due to the variation of ionized donor concentration. The nonparabolicity coefficient in the In0.2Ga0.8As quantum well is determined to be 0.68 1/eV.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Electron effective masses, nonparabolicity and scattering times in one side delta-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells at high electron density limit / Safonov, D.A. [et al.] // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. - 2021. - 133. - 10.1016/j.physe.2021.114787
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.physe.2021.114787
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85105252686&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000671121800005
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/24078
Коллекции
Публикации