Персона:
Клочков, Алексей Николаевич

Научные группы

Научная группа

Научно-исследовательская лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии центра радиофотоники и свч-технологий

Научная группа

Центр радиофотоники и СВЧ-технологий

Организационные подразделения

Организационная единица

Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике

Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.

Фамилия

Клочков

Имя

Алексей Николаевич

Полная страница элемента

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 10 из 22

Только метаданные
Comparison of the thermal interdiffusion phenomena in InGaAs/GaAs and InGaAs/AlGaAs strained heterostructures
(2022) Vasilkova, E. I.; Klochkov, A. N.; Vinichenko, A. N.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Клочков, Алексей Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич
The effect of 5 min high-temperature thermal annealing on InGaAs/GaAs strained superlattices and InGaAs/ AlGaAs PHEMT structures grown by molecular beam epitaxy was studied using the Hall measurements, pho-toluminescence spectroscopy, and high-resolution X-ray diffraction. InGaAs/GaAs superlattices are shown to undergo photoluminescence peak energy blueshift after 700 degrees C annealing and distinguishable heterointerface roughening after 800 degrees C annealing. The magnitude of quantum well smoothing, caused by annealing induced III-group atom interdiffusion, was estimated experimentally using secondary ion mass spectrometry and X-ray reflectivity, and calculated from the modelled electron energy spectra in the diffused wells. InGaAs/AlGaAs PHEMTs appear to be more sensitive to annealing, demonstrating optical and structural changes of a similar nature to InGaAs/GaAs heterostructures, as well as transport properties degradation, at a wider range of annealing temperatures starting 500 degrees C.
Только метаданные
Plasmonic-Metal Nanostructures-Enhanced Photoconductive Terahertz Emission and Detection
(2024) Nomoev, S.; Vasilevskii, I.; Klochkov, A.; Vinichenko, A.; Номоев, Сергей Андреевич; Васильевский, Иван Сергеевич; Клочков, Алексей Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич
Открытый доступ
THZ QUANTUM CASCADE LASERS WITH TWO-PHOTON DESIGN
(НИЯУ МИФИ, 2023) Khabibullin, R. A.; Pushkarev, S. S.; Galie, R. R.; Ponomarev, D. S.; Vasil’evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Klochkov, A. N.; Bagaev, T. A.; Ladugin, M. A.; Marmalyuk, A. A.; Maremyanin, K. V.; Gavrilenko, V. I.; Ushakov, D. V.; Afonenko, A. A.; Клочков, Алексей Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Васильевский, Иван Сергеевич
The possibility of implementing two radiation transitions in the gain module for THz QCL has been shown many times [1,2]. However, the activation of these transitions is achieved at diff erent bias points, which corresponds to the optimal alignment of energy levels for each transition. We propose to add an additional step to the ladder of energy levels in the gain module, equal to the energy of THz photon. Due to the low energy of THz photon, it becomes possible to design the gain module based on the conventional GaAs/Al0.15Ga0.85As heterojunction with two-photon emission at one bias point.
Только метаданные
Effect of a Built-in Electric Field on the Photoluminescence Spectra of Elastically Strained InGaAs/GaAs Superlattices on GaAs (110) and (111)A Substrates
(2022) Klimov, E. A.; Klochkov, A. N.; Pushkarev, S. S.; Клочков, Алексей Николаевич
Только метаданные
THz quantum cascade lasers with two-photon emission in the gain module
(2022) Khabibullin, R. A.; Pushkarev, S. S.; Galiev, R. R.; Ponomarev, D. S.; Vasil'evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Klochkov, A. N.; Васильевский, Иван Сергеевич; Виниченко, Александр Николаевич; Клочков, Алексей Николаевич
A new lasing scheme with sequential two-photon emission in the gain module for terahertz quantum cascade laser (THz QCL) is proposed and experimentally demonstrated. THz QCLs based on MBE-and MOCVD-grown structures with two-photon design have a lasing frequency of 3.8 THz and maximum operation temperature around 100 K. © 2022 IEEE.
Открытый доступ
DYNAMICS OF CHARGE CARRIERS IN THZ PHOTOCONDUCTIVE ANTENNAS BASED ON SI-DOPED GAAS (111)A
(НИЯУ МИФИ, 2023) Galiev, G.; Klimov, E.; Pushkarev, S.; Yuzeeva, N.; Klochkov, A.; Solyankin, P.; Shkurinov, A.; Клочков, Алексей Николаевич
The planar photoconductive dipole antennas (PCAs) with 20 μm gap were fabricated by photolithography on the following photoconductive materials: GaAs:Si layer 0.86 μm thick grown by molecular beam epitaxy on GaAs (111)A substrate at 380 °C (sample # 1000), i-GaAs layer 1.01 μm thick grown on GaAs (100) and (111)A substrates at 240 °C (LTG-GaAs, samples # 27V). Samples 27V were annealed at a temperature of 560 °C for 30’ in an As4 fl ow, sample 1000 wasn’t annealed.
Только метаданные
3.3 THz Quantum Cascade Laser Based on a Three GaAs/AlGaAs Quantum-Well Active Module with an Operating Temperature above 120 K
(2022) Khabibullin, R. A.; Maremyanin, K. V.; Ponomarev, D. S.; Galiev, R. R.; Vasil'evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Klochkov, A. N.; Васильевский, Иван Сергеевич; Виниченко, Александр Николаевич; Клочков, Алексей Николаевич
© 2022, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract—: The design of a terahertz (THz) quantum cascade laser (QCL) with an active module based on three GaAs/Al0.18Ga0.82As quantum wells for high-temperature generation at a frequency of about 3.3 THz is optimized. A heterostructure based on the developed design with an active region thickness of 10 μm is grown by molecular-beam epitaxy with a deviation of the active-module thickness from the nominal of less than 1%. The fabricated THz QCLs with a double metal waveguide demonstrate lasing up to a temperature of 125 K. Investigations of the I–V characteristics, the dependences of the integrated emission on the current, and the lasing spectra show good agreement with the calculated characteristics.
Только метаданные
Surface Morphology and Photoluminescence Spectra of Pseudomorphic {InGaAs/GaAs} Superlattices on GaAs (100), (110), and (111)A Substrates
(2023) Klimov, E. A.; Pushkarev, S. S.; Klochkov, A. N.; Mozhaeva, M. O.; Клочков, Алексей Николаевич
Только метаданные
Structural Properties of {LTG-GaAs/GaAs:Si} Superlattices on GaAs(100) and (111)A Substrates
(2022) Galiev, G. B.; Vasil'evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Grekhov, M. M.; Klochkov, A. N.; Васильевский, Иван Сергеевич; Виниченко, Александр Николаевич; Клочков, Алексей Николаевич
Открытый доступ
Real-Time Technique for Semiconductor Material Parameter Measurement Under Continuous Neutron Irradiation with High Integral Fluence
(2025) Vasil'evskii, I. S.; Klochkov, A. N.; Nekrasov, P. V.; Vinichenko, A. N.; Kargin, N. I.; Васильевский, Иван Сергеевич; Клочков, Алексей Николаевич; Некрасов, Павел Владимирович; Виниченко, Александр Николаевич; Каргин, Николай Иванович