Publication:
DYNAMICS OF CHARGE CARRIERS IN THZ PHOTOCONDUCTIVE ANTENNAS BASED ON SI-DOPED GAAS (111)A

Дата
2023
Авторы
Galiev, G.
Klimov, E.
Pushkarev, S.
Yuzeeva, N.
Klochkov, A.
Solyankin, P.
Shkurinov, A.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
The planar photoconductive dipole antennas (PCAs) with 20 μm gap were fabricated by photolithography on the following photoconductive materials: GaAs:Si layer 0.86 μm thick grown by molecular beam epitaxy on GaAs (111)A substrate at 380 °C (sample # 1000), i-GaAs layer 1.01 μm thick grown on GaAs (100) and (111)A substrates at 240 °C (LTG-GaAs, samples # 27V). Samples 27V were annealed at a temperature of 560 °C for 30’ in an As4 fl ow, sample 1000 wasn’t annealed.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Galiev, G. et. all Dynamics of charge carriers in thz photoconductive antennas based on si-doped GaAs (111)A: thesis // The 5-th lnternational Conference "Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications" (ТЕRА-2023). Abstract book. Moscow, 2023. P. 18-19