Publication: Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе
Дата
2024
Авторы
Климов, Е. А.
Клочков, А. Н.
Солянкин, П. М.
Синько, А. С.
Павлов, А. Ю.
Лаврухин, Д. В.
Пушкарёв, С. С.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Выявлен эффект, оказываемый встроенным электрическим полем, которое возникает в упруго напряжённых множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs, на эффективность генерации терагерцевых импульсов при облучении фемтосекундными оптическими лазерными импульсами поверхности данных гетероструктур, а также фотопроводящих
антенн на их основе. Встроенное поле возникает в результате пьезоэффекта в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами {InGaAs/GaAs} ´10, выращенных на подложках GaAs с кристаллографическими ориентациями (110) и (111)А. Сравнивается терагерцевое излучение, полученное при одинаковых условиях возбуждения от плёнок с одинаковым составом, но выращенных на подложках с различными ориентациями. Наиболее интенсивное терагерцевое излучение получено от поверхности гетероструктуры {In0.2Ga0.8As/GaAs}´10 на подложке GaAs (110). Среди фотопроводящих антенн наибольшей эффективностью терагерцевой генерации обладают антенны, изготовленные на гетероструктурах {In0.2Ga0.8As/GaAs}´10 с ориентациями (110) и (100). При этом влияние ориентации подложки, ярко проявляющееся при генерации терагерцевого излучения непосредственно поверхностью плёнок, гораздо слабее выражено для фотопроводящих антенн на этих же плёнках
Описание
Ключевые слова
Фемтосекундный лазер , Фотопроводящая антенна , Терагерцевое излучение , Ориентация подложки (111)А , Ориентация подложки (110) , Встроенное поле , Пьезоэффект , InGaAs , GaAs , Молекулярно-лучевая эпитаксия