Publication:
Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе

Простая страница элемента
creativeworkseries.issn0368-7147
dc.contributor.authorКлимов, Е. А.
dc.contributor.authorКлочков, А. Н.
dc.contributor.authorСолянкин, П. М.
dc.contributor.authorСинько, А. С.
dc.contributor.authorПавлов, А. Ю.
dc.contributor.authorЛаврухин, Д. В.
dc.contributor.authorПушкарёв, С. С.
dc.contributor.authorКлочков, Алексей Николаевич
dc.date.accessioned2024-06-26T13:57:14Z
dc.date.available2024-06-26T13:57:14Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractВыявлен эффект, оказываемый встроенным электрическим полем, которое возникает в упруго напряжённых множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs, на эффективность генерации терагерцевых импульсов при облучении фемтосекундными оптическими лазерными импульсами поверхности данных гетероструктур, а также фотопроводящих антенн на их основе. Встроенное поле возникает в результате пьезоэффекта в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами {InGaAs/GaAs} ´10, выращенных на подложках GaAs с кристаллографическими ориентациями (110) и (111)А. Сравнивается терагерцевое излучение, полученное при одинаковых условиях возбуждения от плёнок с одинаковым составом, но выращенных на подложках с различными ориентациями. Наиболее интенсивное терагерцевое излучение получено от поверхности гетероструктуры {In0.2Ga0.8As/GaAs}´10 на подложке GaAs (110). Среди фотопроводящих антенн наибольшей эффективностью терагерцевой генерации обладают антенны, изготовленные на гетероструктурах {In0.2Ga0.8As/GaAs}´10 с ориентациями (110) и (100). При этом влияние ориентации подложки, ярко проявляющееся при генерации терагерцевого излучения непосредственно поверхностью плёнок, гораздо слабее выражено для фотопроводящих антенн на этих же плёнках
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/12145
dc.subjectФемтосекундный лазер
dc.subjectФотопроводящая антенна
dc.subjectТерагерцевое излучение
dc.subjectОриентация подложки (111)А
dc.subjectОриентация подложки (110)
dc.subjectВстроенное поле
dc.subjectПьезоэффект
dc.subjectInGaAs
dc.subjectGaAs
dc.subjectМолекулярно-лучевая эпитаксия
dc.titleГенерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе
dc.title.alternativeВоздействие лазерного излучения на вещество
dc.typeArticle
dspace.entity.typePublication
relation.isAuthorOfPublication92f74a44-ec8c-4833-bca6-f7f6ba0caf85
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery92f74a44-ec8c-4833-bca6-f7f6ba0caf85
relation.isJournalIssueOfPublicationb788f505-eaf3-4e0c-b09d-0ae268fb28a8
relation.isJournalIssueOfPublication.latestForDiscoveryb788f505-eaf3-4e0c-b09d-0ae268fb28a8
relation.isJournalOfPublication912baea6-a69f-48e5-a2df-af616dd3d576
Файлы
Original bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
0043 (1).pdf
Size:
1.89 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
license.txt
Size:
3.45 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description:
Download
Коллекции