Publication: ТЕХНОЛОГИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ВАРИЗОННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
Дата
2012
Авторы
Виниченко, А. Н.
Васильевский, И. С.
Грехов, М. М.
Каргин, Н. И.
Стриханов, М. Н.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Дизайн гетероструктур А3В5 имеет достаточно много степеней свободы. Не только толщина и состав слоев, способ легирования, но и изменение профиля состава может обеспечить изменение зонной структуры и условий рассеяния носителей тока, улучшить параметры транзисторов. Использование варизонных слоев в РНЕМТ AlxGa1-xAs/ InyGa1-yAs структурах еще не освоено. Известно, что в транзисторных гетероструктурах сильное легирование и большая концентрация электронов в КЯ приводят к возникновению заметной асимметрии дна КЯ. Это отрицательно сказывается на подвижности двумерных электронов, так как, во-первых, эффективная ширина КЯ снижается, вследствие чего энергетический зазор между подзонами уменьшается, во-вторых, центроид двумерных электронов располагается ближе к ионизированным донорам. Варизонные слои InyGa1-yAs с неоднородным профилем состава y(z) обеспечивают дополнительный вклад в энергетические профили зон 'Еg(z) и 'ЕC(z), что может компенсировать электростатический вклад в формирование зонной диаграммы структур. Кроме того, неоднородное распределение InAs в РНЕМТ может расширить ограничения на псевдоморфный рост канала, а также снизить ударную ионизацию, по сравнении с однородной КЯ с высоким содержанием InAs. Цель работы состояла в реализации технологии варизонных РНЕМТ гетероструктур.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
ТЕХНОЛОГИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ВАРИЗОННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ/ А.Н. Виниченко, И.С. Васильевский, М.М. Грехов, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов//Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2012 г.: тезисы докладов. М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – с. 22-23.