Publication: ТЕХНОЛОГИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ВАРИЗОННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
| dc.contributor.author | Виниченко, А. Н. | |
| dc.contributor.author | Васильевский, И. С. | |
| dc.contributor.author | Грехов, М. М. | |
| dc.contributor.author | Каргин, Н. И. | |
| dc.contributor.author | Стриханов, М. Н. | |
| dc.contributor.author | Васильевский, Иван Сергеевич | |
| dc.contributor.author | Стриханов, Михаил Николаевич | |
| dc.date.accessioned | 2024-04-26T06:39:44Z | |
| dc.date.available | 2024-04-26T06:39:44Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description.abstract | Дизайн гетероструктур А3В5 имеет достаточно много степеней свободы. Не только толщина и состав слоев, способ легирования, но и изменение профиля состава может обеспечить изменение зонной структуры и условий рассеяния носителей тока, улучшить параметры транзисторов. Использование варизонных слоев в РНЕМТ AlxGa1-xAs/ InyGa1-yAs структурах еще не освоено. Известно, что в транзисторных гетероструктурах сильное легирование и большая концентрация электронов в КЯ приводят к возникновению заметной асимметрии дна КЯ. Это отрицательно сказывается на подвижности двумерных электронов, так как, во-первых, эффективная ширина КЯ снижается, вследствие чего энергетический зазор между подзонами уменьшается, во-вторых, центроид двумерных электронов располагается ближе к ионизированным донорам. Варизонные слои InyGa1-yAs с неоднородным профилем состава y(z) обеспечивают дополнительный вклад в энергетические профили зон 'Еg(z) и 'ЕC(z), что может компенсировать электростатический вклад в формирование зонной диаграммы структур. Кроме того, неоднородное распределение InAs в РНЕМТ может расширить ограничения на псевдоморфный рост канала, а также снизить ударную ионизацию, по сравнении с однородной КЯ с высоким содержанием InAs. Цель работы состояла в реализации технологии варизонных РНЕМТ гетероструктур. | |
| dc.identifier.citation | ТЕХНОЛОГИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ВАРИЗОННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ/ А.Н. Виниченко, И.С. Васильевский, М.М. Грехов, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов//Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2012 г.: тезисы докладов. М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – с. 22-23. | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10190 | |
| dc.publisher | НИЯУ МИФИ | |
| dc.title | ТЕХНОЛОГИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ВАРИЗОННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ | |
| dc.type | тезисы | |
| dspace.entity.type | Publication | |
| relation.isAuthorOfPublication | 8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9 | |
| relation.isAuthorOfPublication | 85af5626-2b88-4006-9deb-f9293b0bdc4c | |
| relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery | 8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9 |