2012 г._2-я ежегодная Международная научно-практическая конференция «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
Постоянный URI для этой коллекции
Обзор
Последние материалы
- ПубликацияОткрытый доступМЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ PHEMT НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Галиев, Г. Б.; Грехов, М. М.; Щербачев, К. Д.; Сарайкин, В. Д.; Лаврухин, Д. В.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Каргин, Николай Иванович; Щербачев, Олег ВячеславовичРНЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs гетероструктуры являются одним из самых широко используемых базовых материалов в СВЧ электронике для создания транзисторов и монолитных интегральных схем (МИС). Данные структуры содержат большое число слоев, как основных, так и вспомогательных, из твердых растворов AlxGa1-xAs и InyGa1-yAs. Для получения требуемой зонной структуры и характеристик образцов необходимо жестко контролировать состав и толщину данных слоев. Цель работы состояла в реализации технологии РНЕМТ гетероструктур с использованием методов нанометрологии, обеспечивающими точность и воспроизводимость технологических параметров не хуже 95%. Для роста на установке МЛЭ Riber Compact 21T использовались импортные ОСЧ металлы производства Azelis Electronics. Предельный вакуум в камере роста при замороженных криопанелях и с перекрытым потоком As4 составлял до 1-2х10-11 Торр. Одним из важных факторов получения стабильной и воспроизводимой скорости роста, состава и толщины слоев РНЕМТ гетероструктур являлось получение долговременной стабильности потоков и учет быстрых переходных процессов при открытии заслонок.
- ПубликацияОткрытый доступОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ПРИМЕНЕНИЯ И РАЗРАБОТКИ УФ СВЕТОДИОДОВ(НИЯУ МИФИ, 2012) Пашков, В. С.В настоящее время актуальным является требование создания источников света с более короткими длинами волн в таких областях, например, как фотолитография, создание датчиков обнаружения токсичных веществ, в области создания устройств с высокой плотностью хранения данных в оптическом диапазоне, биомедицинских исследованиях, очистке и стерилизации воды и воздуха. Современные тенденции в области миниатюризации устройств, обеспечению их максимальной энергоэффективности и безопасности для здоровья человека и окружающей среды, требуют разработки принципиально новых видов источников излучения взамен традиционно используемых для УФ диапазона газоразрядных ламп. Такими источниками могут служить светодиоды УФ диапазона, которые являются новым продуктом на рынке излучателей, работающих в области глубокого УФ.
- ПубликацияОткрытый доступИЗМЕРЕНИЕ МОЛЬНОЙ ДОЛИ АЛЮМИНИЯ В ТРОЙНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ AlxGa1-xAs МЕТОДОМ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИИ ВТОРИЧНЫХ ИОНОВ(НИЯУ МИФИ, 2012) Сарайкин, В. В.; Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Щербачев, К. Д.; Васильевский, Иван СергеевичВ квантовых ямах Р-НЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs гетероструктур с высокой подвижностью электронов структур, применяемых для создания приборов СВЧ электроники, слои AlxGa1-xAs являются и барьерными для квантовой ямы InyGa1-yAs, и одновременнодонорыми. Увеличение мольной доли х приводит к увеличению высоты потенциального барьера квантовой ямы и снижает утечки затвора. С другой стороны, при содержании Al x>24% DX-центры SiAlGaAs захватывают электроны, что ухудшает параметры транзистора - возникают паразитные гистерезис ВАХ, термо- и светочувствительность. При подгонке токов транзисторов верхний контактный слой n+GaAs(Si) стравливается в затворном заглублении, а слой AlxGa1-xAs обеспечивает селективность травления при x = 22-24%. Поэтому важнейшей задачей технологии Р-НЕМТ гетероструктур является метод контроля технологии и состава слоев AlxGa1-xAs. Масс-спектрометрия вторичных ионов (ВИМС) является одним из наиболее информативных аналитических методов для анализа гетероструктур из-за возможности измерения сложного профиля распределения состава по глубине.
- ПубликацияОткрытый доступСАМООРГАНИЗАЦИЯ АНСАМБЛЯ КВАНТОВЫХ КОЛЕЦ GaAs ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ ПРИ КАПЕЛЬНОЙ ЭПИТАКСИИ(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Сибирмовский, Ю. Д.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил НиколаевичМногообразие квантовых объектов, получаемых при помощи самоорганизации, постоянно растет. Так, при помощи капельной эпитаксии примерно 5 лет назад начали создавать новые типы квазинульмерных нанообъектов - квантовые кольца, двойные кольца и точки . Отличительной особенностью капельной эпитаксии является то, что в основе формирования нанообъектов лежит не механическая деформация, как в структурах с самоорганизующимися квантовыми точками по типу Странски-Крастанова, а процессы диффузии и кристаллизации. Ансамбли квантовых колец интересны в связи с применением в оптоэлектронике, квантовой электронике, как элементы кубитов для будущих квантовых компьютеров.
- ПубликацияОткрытый доступИССЛЕДОВАНИЕ ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaN В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНОГО СЛОЯ(НИЯУ МИФИ, 2012) Макаров, А. А.; Свешников, Ю. Н.; Цыпленков, И. Н.В настоящее время заметно возрос интерес к мощным и малошумящим СВЧ-транзисторам на основе GaN. Благодаря своим параметрам, таким как большая ширина запрещенной зоны, высокая концентрация носителей заряда в области двумерного электронного газа, относительно высокая подвижность электронов, данный материал позволяет создавать на его основе транзисторы высокой удельной мощностью, за счет высокой плотности тока в сечении канала и высокого коэффициента усиления сигнала. Однако для увеличения плотности выходной мощности СВЧ-транзисторов на основе нитридов требуется более глубокое понимание роли легирования донорного слоя и конструкции гетероструктур.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »