2012 г._2-я ежегодная Международная научно-практическая конференция «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
Постоянный URI для этой коллекции
Обзор
Просмотр 2012 г._2-я ежегодная Международная научно-практическая конференция «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ» по Название
Теперь показываю 1 - 15 из 15
Количество результатов на страницу
Sort Options
- ЭлементОткрытый доступ01_Мокеровские чтения: тезисы докладов(НИЯУ МИФИ, 2012)
- ПубликацияОткрытый доступВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СПИНОВЫЕ ИНЖЕКТОРЫ НА ОСНОВЕ МОНООКСИДА ЕВРОПИЯ(НИЯУ МИФИ, 2012) Бамбуров, В. Г.; Каргин, Н. И.Ферромагнитные полупроводники, как функциональные материалы для электроники, продолжают привлекать исследователей и конструкторов своими уникальными возможностями для организации и преобразования энергетических потоков. При этом ожидаемый скачек в развитии элементной базы микроэлектроники связывается в настоящее время с освоением нанотехнологий и размерами активных областей электронных структур, сравнимыми с длиной свободного пробега электрона (менее 100 нм). Как известно, в современной вычислительной технике реализуется идея «один электрон – один бит информации», что является последней ступенью развития элементов памяти для цифровых схем. Дальнейшее развитие этой идеи предполагает спиновая электроника, в которой элементарным носителем информации становится спин электрона, а кодирование информации сводится к закреплению пространственной ориентации спина носителя тока относительно внешнего магнитного поля. При миниатюризации электронных схем в этом случае мы также сможем достигнуть реального повышения плотности записи информации логических систем.
- ПубликацияОткрытый доступДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ НАСЫЩЕНИЯ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С СОСТАВНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ In0,53Ga0,47As/InAs/In0,53Ga0,47As/InAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Васильев, А. Л.; Субботин, И. А.; Васильевский, Иван СергеевичОдним из преимуществ использования гетеросистем InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP является возможность получения более высокой дрейфовой скорости Vдр насыщения электронов в квантовой яме (КЯ) InGaAs по сравнению с другими арсенидными гетеросистемами. В сильных электростатических полях Е~105 В/см, энергия электронов становится сравнимой с энергией полярных оптических фононов, что приводит к дополнительной фононной эмиссии и возрастанию темпа рассеяния “горячих” электронов.
- ПубликацияОткрытый доступИЗМЕРЕНИЕ МОЛЬНОЙ ДОЛИ АЛЮМИНИЯ В ТРОЙНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ AlxGa1-xAs МЕТОДОМ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИИ ВТОРИЧНЫХ ИОНОВ(НИЯУ МИФИ, 2012) Сарайкин, В. В.; Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Щербачев, К. Д.; Васильевский, Иван СергеевичВ квантовых ямах Р-НЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs гетероструктур с высокой подвижностью электронов структур, применяемых для создания приборов СВЧ электроники, слои AlxGa1-xAs являются и барьерными для квантовой ямы InyGa1-yAs, и одновременнодонорыми. Увеличение мольной доли х приводит к увеличению высоты потенциального барьера квантовой ямы и снижает утечки затвора. С другой стороны, при содержании Al x>24% DX-центры SiAlGaAs захватывают электроны, что ухудшает параметры транзистора - возникают паразитные гистерезис ВАХ, термо- и светочувствительность. При подгонке токов транзисторов верхний контактный слой n+GaAs(Si) стравливается в затворном заглублении, а слой AlxGa1-xAs обеспечивает селективность травления при x = 22-24%. Поэтому важнейшей задачей технологии Р-НЕМТ гетероструктур является метод контроля технологии и состава слоев AlxGa1-xAs. Масс-спектрометрия вторичных ионов (ВИМС) является одним из наиболее информативных аналитических методов для анализа гетероструктур из-за возможности измерения сложного профиля распределения состава по глубине.
- ПубликацияОткрытый доступИССЛЕДОВАНИЕ ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaN В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНОГО СЛОЯ(НИЯУ МИФИ, 2012) Макаров, А. А.; Свешников, Ю. Н.; Цыпленков, И. Н.В настоящее время заметно возрос интерес к мощным и малошумящим СВЧ-транзисторам на основе GaN. Благодаря своим параметрам, таким как большая ширина запрещенной зоны, высокая концентрация носителей заряда в области двумерного электронного газа, относительно высокая подвижность электронов, данный материал позволяет создавать на его основе транзисторы высокой удельной мощностью, за счет высокой плотности тока в сечении канала и высокого коэффициента усиления сигнала. Однако для увеличения плотности выходной мощности СВЧ-транзисторов на основе нитридов требуется более глубокое понимание роли легирования донорного слоя и конструкции гетероструктур.
- ПубликацияОткрытый доступМЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ PHEMT НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Галиев, Г. Б.; Грехов, М. М.; Щербачев, К. Д.; Сарайкин, В. Д.; Лаврухин, Д. В.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Каргин, Николай Иванович; Щербачев, Олег ВячеславовичРНЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs гетероструктуры являются одним из самых широко используемых базовых материалов в СВЧ электронике для создания транзисторов и монолитных интегральных схем (МИС). Данные структуры содержат большое число слоев, как основных, так и вспомогательных, из твердых растворов AlxGa1-xAs и InyGa1-yAs. Для получения требуемой зонной структуры и характеристик образцов необходимо жестко контролировать состав и толщину данных слоев. Цель работы состояла в реализации технологии РНЕМТ гетероструктур с использованием методов нанометрологии, обеспечивающими точность и воспроизводимость технологических параметров не хуже 95%. Для роста на установке МЛЭ Riber Compact 21T использовались импортные ОСЧ металлы производства Azelis Electronics. Предельный вакуум в камере роста при замороженных криопанелях и с перекрытым потоком As4 составлял до 1-2х10-11 Торр. Одним из важных факторов получения стабильной и воспроизводимой скорости роста, состава и толщины слоев РНЕМТ гетероструктур являлось получение долговременной стабильности потоков и учет быстрых переходных процессов при открытии заслонок.
- ПубликацияОткрытый доступНИТРИД ГАЛЛИЯ – ПЕРСПЕКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ РАДИАЦИОННОСТОЙКОЙ СВЧ ГЕТЕРОСТРУКТУРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ(НИЯУ МИФИ, 2012) Громов, Л. В.; Матвеев, Ю. А.; Телец, В. А.В настоящее время активно ведутся исследования по разработке элементной базы РЭА на основе нитрида галлия. Возможность использования этих приборов в устройствах, эксплуатируемых в условиях воздействия радиационных факторов, вызывает необходимость исследования в них радиационных эффектов, которые по существу определяют отказоустойчивость радиоэлектронной аппаратуры в экстремальных условиях эксплуатации. В данной работе проведен анализ базовых радиационных эффектов в нитриде галлия.
- ПубликацияОткрытый доступОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ПРИМЕНЕНИЯ И РАЗРАБОТКИ УФ СВЕТОДИОДОВ(НИЯУ МИФИ, 2012) Пашков, В. С.В настоящее время актуальным является требование создания источников света с более короткими длинами волн в таких областях, например, как фотолитография, создание датчиков обнаружения токсичных веществ, в области создания устройств с высокой плотностью хранения данных в оптическом диапазоне, биомедицинских исследованиях, очистке и стерилизации воды и воздуха. Современные тенденции в области миниатюризации устройств, обеспечению их максимальной энергоэффективности и безопасности для здоровья человека и окружающей среды, требуют разработки принципиально новых видов источников излучения взамен традиционно используемых для УФ диапазона газоразрядных ламп. Такими источниками могут служить светодиоды УФ диапазона, которые являются новым продуктом на рынке излучателей, работающих в области глубокого УФ.
- ПубликацияОткрытый доступОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ПАССИВИРУЮЩИХ ПОКРЫТИЙ В ТЕХНОЛОГИИ ПРИБОРОВ И ИС НА ОСНОВЕ GaAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Волосов, А. В.; Кузнецов, А. Л.В качестве основного метода нанесения пассивирующих покрытий в технологии приборов и ИС на основе GaAs уже достаточно давно используется процесс плазмохимического нанесения Si3N4. Современное оборудование для реализации процессов плазмохимического осаждения диэлектрических пленок предоставляет технологам весьма широкий спектр режимов, которые обеспечивают хорошее качество пленок. Однако, наряду с качеством самих пленок, важным требованием к пассивирующим покрытиям является стабилизация характеристик границы раздела GaAs - Si3N4 на оптимальном уровне. Условия реализации плазмохимического осаждения позволяют как «законсервировать» поверхность GaAs, сформированную на подготовительных операциях, так и весьма существенно модифицировать ее за счет бомбардировки ускоренными частицами плазмы. В настоящей работе для осаждения Si3N4 были использованы два типа реакторов, - реактор, обеспечивающий энергию ионов, бомбардирующих подложку на уровне 10 эВ (далее низкоэнергетический реактор - НЭР), и классический планарный реактор с энергией ионов порядка 100 эВ (далее высокоэнергетический реактор - ВЭР).
- ПубликацияОткрытый доступОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ МЕТОДОМ ВЗРЫВНОЙ ЛИТОГРАФИИ(НИЯУ МИФИ, 2012) Блинов, П. И.; Резкова, Е. М.; Ванюхин, Е. М.Прямой метод литографии заключается в осаждении металлической пленки, покрытии ее резистивным слоем, проведении процесса литографии и удалении немаскированных участков металлической пленки. Однако такой метод не подходит для создания приборов на основе арсенида и нитрида галлия. Использование процессов плазмохимического и жидкостного травления (с использованием щелочных и кислотных травителей) для формирования тонкопленочных элементов приводит к травлению структуры кристалла, что является неприемлемым при толщине верхних функциональных слоев в несколько десятков нанометров.
- ПубликацияОткрытый доступПОИСК ОПТИМАЛЬНОЙ КОНСТРУКЦИИ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА ДЛЯ МНЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР In0.68Al0.32As/In0.72Ga0.28As/GaAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Галиев, Г. Б.; Пушкарёв, С. С.; Васильевский, И. С.; Кванин, А. Л.; Климов, Е. А.; Васильевский, Иван СергеевичВ настоящее время обнаруживается тенденция вытеснения НЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP, являющихся базой для СВЧ электроники микроволнового диапазона, метаморфными НЕМТ (МНЕМТ) наногетероструктурами. Причина заключается в открывающейся возможности использовать более надёжные и дешёвые подложки GaAs вместо InP и выбирать нужный состав активной области. Эпитаксиально выращенные МНЕМТ наногетероструктуры характеризуются двумя важными параметрами. Первый параметр – плотность дислокаций, прорастающих в активные слои и на поверхность, – во многом определяет подвижность электронов. Второй параметр – шероховатость поверхности, имеющей характерный для метаморфных структур поперечнополосатый рельеф, эта величина влияет на успешное создание наноразмерных топологий при изготовлении МИС.
- ПубликацияОткрытый доступПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ(НИЯУ МИФИ, 2012) Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Боков, П. Ю.; Васильевский, Иван СергеевичИсследование квантовых ям (КЯ), близких к поверхности, в гетероструктурах AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs является актуальной задачей для создания более совершенных транзисторных гетероструктур. При приближении КЯ к поверхности гетероструктуры, с одной стороны, возрастает модуляция потенциала КЯ затворным напряжением, что приводит к увеличению частоты. С другой стороны, при уменьшении толщины барьерного слоя AlxGa1-xAs возрастает влияние поверхностного потенциала, что приводит к изменению зонного профиля в гетероструктуре.
- ПубликацияОткрытый доступСАМООРГАНИЗАЦИЯ АНСАМБЛЯ КВАНТОВЫХ КОЛЕЦ GaAs ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ ПРИ КАПЕЛЬНОЙ ЭПИТАКСИИ(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Сибирмовский, Ю. Д.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил НиколаевичМногообразие квантовых объектов, получаемых при помощи самоорганизации, постоянно растет. Так, при помощи капельной эпитаксии примерно 5 лет назад начали создавать новые типы квазинульмерных нанообъектов - квантовые кольца, двойные кольца и точки . Отличительной особенностью капельной эпитаксии является то, что в основе формирования нанообъектов лежит не механическая деформация, как в структурах с самоорганизующимися квантовыми точками по типу Странски-Крастанова, а процессы диффузии и кристаллизации. Ансамбли квантовых колец интересны в связи с применением в оптоэлектронике, квантовой электронике, как элементы кубитов для будущих квантовых компьютеров.
- ПубликацияОткрытый доступТЕХНОЛОГИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ВАРИЗОННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ(НИЯУ МИФИ, 2012) Виниченко, А. Н.; Васильевский, И. С.; Грехов, М. М.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил НиколаевичДизайн гетероструктур А3В5 имеет достаточно много степеней свободы. Не только толщина и состав слоев, способ легирования, но и изменение профиля состава может обеспечить изменение зонной структуры и условий рассеяния носителей тока, улучшить параметры транзисторов. Использование варизонных слоев в РНЕМТ AlxGa1-xAs/ InyGa1-yAs структурах еще не освоено. Известно, что в транзисторных гетероструктурах сильное легирование и большая концентрация электронов в КЯ приводят к возникновению заметной асимметрии дна КЯ. Это отрицательно сказывается на подвижности двумерных электронов, так как, во-первых, эффективная ширина КЯ снижается, вследствие чего энергетический зазор между подзонами уменьшается, во-вторых, центроид двумерных электронов располагается ближе к ионизированным донорам. Варизонные слои InyGa1-yAs с неоднородным профилем состава y(z) обеспечивают дополнительный вклад в энергетические профили зон 'Еg(z) и 'ЕC(z), что может компенсировать электростатический вклад в формирование зонной диаграммы структур. Кроме того, неоднородное распределение InAs в РНЕМТ может расширить ограничения на псевдоморфный рост канала, а также снизить ударную ионизацию, по сравнении с однородной КЯ с высоким содержанием InAs. Цель работы состояла в реализации технологии варизонных РНЕМТ гетероструктур.
- ПубликацияОткрытый доступТЕХНОЛОГИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСЛОЕВ InAs И GaAs В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InAlAs/InGaAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильев, А. В.; Пресняков, М. Ю.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Васильевский, Иван СергеевичСлоевой дизайн гетероструктур для СВЧ электроники непрерывно совершенствуется для увеличения дрейфовой скорости насыщения электронов, снижения рассеяния, увеличения поля насыщения. Одним из интересных решений является переход к составным квантовым ямам, содержащим несколько монослоев (МС) чистого InAs. Такое решение позволяет уменьшить эффективную массу электронов в КЯ с одной или двумя вставками InAs. В то же время, этот путь требует оптимизации технологии формирования напряженных наноразмерных слоев. В представленной работе приведены данные исследования образцов гетероструктур с различной конструкцией активной области, с одной и двумя симметрично расположенными вставками InAs методами высокоразрешающей просвечивающей растровой электронной микроскопии (ВР ПРЭМ).