Publication: ИССЛЕДОВАНИЕ ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaN В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНОГО СЛОЯ
Дата
2012
Авторы
Макаров, А. А.
Свешников, Ю. Н.
Цыпленков, И. Н.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
В настоящее время заметно возрос интерес к мощным и малошумящим СВЧ-транзисторам на основе GaN. Благодаря своим параметрам, таким как большая ширина запрещенной зоны, высокая концентрация носителей заряда в области двумерного электронного газа, относительно высокая подвижность электронов, данный материал позволяет создавать на его основе транзисторы высокой удельной мощностью, за счет высокой плотности тока в сечении канала и высокого коэффициента усиления сигнала. Однако для увеличения плотности выходной мощности СВЧ-транзисторов на основе нитридов требуется более глубокое понимание роли легирования донорного слоя и конструкции гетероструктур.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Макаров А. А. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaN В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНОГО СЛОЯ/ Ю.Н.Свешников, И.Н.Цыпленков//Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2012 г.: тезисы докладов. М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – с. 46-47.