Publication: ИССЛЕДОВАНИЕ ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaN В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНОГО СЛОЯ
| dc.contributor.author | Макаров, А. А. | |
| dc.contributor.author | Свешников, Ю. Н. | |
| dc.contributor.author | Цыпленков, И. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2024-04-26T07:32:55Z | |
| dc.date.available | 2024-04-26T07:32:55Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description.abstract | В настоящее время заметно возрос интерес к мощным и малошумящим СВЧ-транзисторам на основе GaN. Благодаря своим параметрам, таким как большая ширина запрещенной зоны, высокая концентрация носителей заряда в области двумерного электронного газа, относительно высокая подвижность электронов, данный материал позволяет создавать на его основе транзисторы высокой удельной мощностью, за счет высокой плотности тока в сечении канала и высокого коэффициента усиления сигнала. Однако для увеличения плотности выходной мощности СВЧ-транзисторов на основе нитридов требуется более глубокое понимание роли легирования донорного слоя и конструкции гетероструктур. | |
| dc.identifier.citation | Макаров А. А. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaN В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНОГО СЛОЯ/ Ю.Н.Свешников, И.Н.Цыпленков//Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2012 г.: тезисы докладов. М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – с. 46-47. | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10194 | |
| dc.publisher | НИЯУ МИФИ | |
| dc.title | ИССЛЕДОВАНИЕ ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaN В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНОГО СЛОЯ | |
| dc.type | тезисы | |
| dspace.entity.type | Publication |