Publication:
New Structure for Photoconductive Antennas Based on {LTG-GaAs/GaAs:Si} Superlattice on GaAs(111) A Substrate

Дата
2019
Авторы
Galiev, G. B.
Trunkin, I. N.
Vasiliev, A. L.
Klimov, E. A.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019, Pleiades Publishing, Inc.Abstract: The structural characteristics of a new structure for photoconductive antennas have been investigated. This structure is a multilayered epitaxial film grown on a GaAs(111)A substrate; it consists of alternating undoped low-temperature grown GaAs (LTG-GaAs) layers and GaAs layers synthesized in the standard high-temperature regime and doped with silicon (GaAs:Si). The As4/Ga flow ratio γ is chosen such as to produce p-type GaAs:Si layers. LTG-GaAs layers were grown at an enlarged γ value. The samples grown on GaAs(100) substrates were single-crystal, whereas the single-crystal growth on GaAs(111)A substrates changed to polycrystalline when the film thickness reached 320–340 nm. The sizes of As precipitates in annealed samples, their distribution over the film thickness, and specific features of their crystal structure have been analyzed.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
New Structure for Photoconductive Antennas Based on {LTG-GaAs/GaAs:Si} Superlattice on GaAs(111) A Substrate / Galiev, G.B. [et al.] // Crystallography Reports. - 2019. - 64. - № 2. - P. 205-211. - 10.1134/S1063774519020111
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063774519020111
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85066135015&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000468947500003
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/18086
Коллекции
Публикации