Персона: Швецов-Шиловский, Иван Иванович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Статус
Фамилия
Швецов-Шиловский
Имя
Иван Иванович
Имя
8 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 8 из 8
- ПубликацияТолько метаданныеMechanisms of Initiation of Unstable Latchup Effects in CMOS ICs(2019) Chumakov, A. I.; Bobrovsky, D. V.; Pechenkin, A. A.; Savchenkov, D. V.; Sorokoumov, G. S.; Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Печенкин, Александр Александрович; Сорокоумов, Георгий Сергеевич; Швецов-Шиловский, Иван Иванович© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of research on nonstationary latchup effects (LEs) under the influence of heavy charged particles and ionizing radiation pulses, which are spontaneously counteracted depending on the operating conditions, are presented. This behavior is caused by the effects of the rail span collapse inside the complementary metal-oxide-system (CMOS) of very large scale integrated (VLSI) circuits. The experimental studies are carried out on both the ion accelerator and the laser facilities.
- ПубликацияТолько метаданныеSolid-State Drives Parameters Control System for Ionizing Radiation Tests(2021) Chepov, V. A.; Shmakov, S. B.; Shvetsov-Shiovsky, I. I.; Petrov, A. G.; Kalashnikov, V. D.; Шмаков, Сергей Борисович; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Петров, Андрей Григорьевич; Калашников, Владислав Дмитриевич© 2021 IEEE.The paper describes an automated system for monitoring the parameters of solid-state drives under the influence of ionizing radiation using National Instruments equipment and NI LabVIEW software. The paper presents a block diagram of a test bench developed based on the National Instruments hardware complex. It allows us to supply voltage to a device under test (DUT), measure the value of the DUT current consumption, and carry out functional control of solid-state drives with NAND flash memory and SATA and USB interfaces in order to register single event latch-ups (SEL) and the loss of the device's ability to read and rewrite information. The paper provides a detailed description of the functional tools included in the software that was developed using the NI LabVIEW programming environment and used for reading and subsequent analysis of data on solid-state drives, as well as for writing new data and the ability to perform various operations on them. The paper describes the main steps of the total ionizing dose testing procedure that was carried out on solid-state drives. The results of the experiment are presented.
- ПубликацияТолько метаданныеTID Impact on SEL Sensitivity in the Case of High Latchup Holding Voltage(2021) Novikov, A. A.; Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Oblova, E. N.; Pechenkin, A. A.; Chumakov, A. I.; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Печенкин, Александр Александрович; Чумаков, Александр Иннокентьевич© 2021 IEEE.In an Integrated Circuit with high SEL holding voltage, pulsed-laser radiation sensitivity was found to change due to TID irradiation. The impact of TID on the DUT SEL holding voltage and SEL sensitivity was investigated.
- ПубликацияОткрытый доступРазвитие методов и средств исследований нестабильных тиристорных эффектов в КМОП СБИС при воздействии ионизирующих излучений(НИЯУ МИФИ, 2022) Швецов-Шиловский, И. И.; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Чумаков, А. И.
- ПубликацияТолько метаданныеThe Effects of the External Conditions of CMOS IC Functioning on Latchup Occurrence under Uniform Laser Irradiation(2021) Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Chumakov, A. I.; Pechenkin, A. A.; Bobrovsky, D. V.; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Печенкин, Александр Александрович; Бобровский, Дмитрий Владимирович© 2021 IEEE.The paper concerns experimental results on external conditions such as temperature, voltage supply, current limit, and features of the power circuit on latchup occurrence under uniform laser irradiation.
- ПубликацияТолько метаданныеLeakage Currents Automated Monitoring System for Memory ICs under Dose Exposure(2021) Gracheva, A. A.; Shvetsov-Shiovsky, I. I.; Shmakov, S. B.; Petrov, A. G.; Yanenko, A. V.; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Шмаков, Сергей Борисович; Петров, Андрей Григорьевич; Яненко, Андрей Викторович© 2021 IEEE.The paper presents an automated control system for leakage currents monitoring in memory ICs based on National Instruments PXI platform. One of the two standard low-level boards used in our laboratory has been modified with an intermediate board to measure the leakage currents. The ability to break the monitored lines was implemented using relays on the intermediate board. Also, lines were added for relay control, and connectors were added for measuring leakage currents and memory access time. After successful testing, a replacement for the second lower-level board was developed and manufactured. A complete list of used equipment is presented, the advantages of using the NI PXI-4141 source measurement unit and possible variants for its replacement were described. The software and front control panel of the automated system were presented. The process of monitoring the leakage current and the specifics of its measurement were described. The features of control and data lines commutation were described. After testing the automated system for the correct commutation, it was used to monitor leakage currents during TID tests. The experimental results of monitoring the leakage current along 7 lines are presented (CE, WE, OE, DQ0, DQ7, A0, A7). The test results, possible options for equipment and a block diagram of the automated system are presented.
- ПубликацияТолько метаданныеNonstable Latchups in CMOS ICs Under Pulsed Laser Irradiation(2020) Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Chumakov, A. I.; Pechenkin, A. A.; Bobrovsky, D. V.; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Печенкин, Александр Александрович; Бобровский, Дмитрий ВладимировичThis article concerns experimental and simulation results on nonstable latchups (SLs) in CMOS integrated circuits (ICs) under pulsed laser irradiation. Different transient responses in elements of the p-n-p-n structure and irregular ionization distribution on the IC surface are the main reasons for non-SLs. Radiation experimental test results are presented as well as a discussion of non-SL mechanisms.
- ПубликацияОткрытый доступИСПОЛЬЗОВАНИЕ СТЕНДА «СОЧИ» ДЛЯ ПОДТВЕРЖДЕНИЯ НЕИЗМЕННОСТИ КРИСТАЛЛА МИКРОСХЕМ(НИЯУ МИФИ, 2025) Бобровский, Д. В.; Швецов-Шиловский, И. И.; Соловьев, С. А.; Чумаков, А. И.; Сыресин, Е. М.; Сливин, А. А.; Филатов, Г. А.; Соловьев, Сергей Александрович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Швецов-Шиловский, Иван ИвановичВ работе проводится анализ возможной области применения стенда «СОЧИ» на базе линейного ускорителя тяжелых ионов (ЛУТИ) для целей контроля неизменности топологии кристалла в целях обеспечения доверенности ЭКБ. Одна из характеристик интегральной схемы (ИС), определяющаяся топологией и проектными нормами – чувствительность к воздействию тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) по тиристорному эффекту и сбоям. Показано, что даже незначительные и не всегда заметные изменения топологии интегральной схемы могут приводить к резким изменениям параметров чувствительности по тиристорным эффектам (ТЭ), тогда как по одиночным сбоям изменения имеют место при изменении проектных норм и библиотечных элементов. Импульсный характер пучка на стенде «СОЧИ» не позволяют проводить испытания только очень чувствительных ЭКБ к воздействию ТЗЧ по тиристорному эффекту в количественном выражении (определение сечения эффекта), однако даже в этом случае возможно определять пороговое значение линейных потерь энергии возникновения ТЭ. Во всех других случаях параметры чувствительности ИС по одиночным радиационным эффектам могут быть определены.