Publication:
Nonstable Latchups in CMOS ICs Under Pulsed Laser Irradiation

Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
This article concerns experimental and simulation results on nonstable latchups (SLs) in CMOS integrated circuits (ICs) under pulsed laser irradiation. Different transient responses in elements of the p-n-p-n structure and irregular ionization distribution on the IC surface are the main reasons for non-SLs. Radiation experimental test results are presented as well as a discussion of non-SL mechanisms.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Nonstable Latchups in CMOS ICs Under Pulsed Laser Irradiation / Shvetsov-Shilovskiy, II [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. - 2020. - 67. - № 7. - P. 1540-1546. - 10.1109/TNS.2020.3001169
Коллекции