Персона: Печенкин, Александр Александрович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Статус
Фамилия
Печенкин
Имя
Александр Александрович
Имя
26 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 26
- ПубликацияТолько метаданныеRadiation Hardness Evaluation of LEDs Based on InGaN, GaN and AlInGaP Heterostructures(2019) Ukolov, D. S.; Chirkov, N. A.; Mozhaev, R. K.; Pechenkin, A. A.; Можаев, Роман Константинович; Печенкин, Александр Александрович© 2019 IEEE.The radiation hardness results of light emitting diodes (LED) in green, blue and red regions of the spectrum and in white, based on InGaN, GaN and AlInGaP structures are presented. The technical aspects of monitoring parameters during exposure are described, and LEDs response to various radiation exposures are given.
- ПубликацияОткрытый доступПРИМЕНЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ МАШИННОГО ЗРЕНИЯ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ТОЧНОСТИ СФОКУСИРОВАННОГО ЛАЗЕРНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ СТРУКТУРЫ В ПРОЦЕССАХ ИССЛЕДОВАНИЙ И МИКРООБРАБОТКИ(НИЯУ МИФИ, 2023) Можаев, Р. К.; Печенкин, А. А.; Цирков, А. А.; Белозеров, К. Г.; Лукашин, В. П.; Балуев, А, А.; Балуев, Арсений Андреевич; Лукашин, Владислав Павлович; Цирков, Артем Николаевич; Печенкин, Александр Александрович; Можаев, Роман КонстантиновичМашинное зрение – это область искусственного интеллекта, занимающаяся обработкой изображений и видеопотока при помощи специальных алгоритмов. Это позволяет устройствам анализировать визуальную информацию. Машинное зрение помогает в таких задачах, как распознавание образов, сегментация изображений, обнаружение объектов и слежение за ними. В микроскопии машинное зрение играет важную роль, в частности в лазерной сканирующей микроскопии (LSM). Лазерная сканирующая микроскопия, лазерное нанесение надрезов и лазерная коррекция топологии полупроводниковых кристаллов являются важными технологическими процессами в производстве, контроле и наладке полупроводниковых кристаллов, как на отладочных образцах, так и в серийных партиях пластин. Лазерное воздействие позволяет не только механически разделять кристаллы, но и осуществлять более деликатные и малоинвазивные воздействия, в частности подстройки сопротивления тонкопленочных резисторов или пережигание перемычек, необходимых для конфигурирования схемы и отключения неиспользуемых блоков кристалла. В работе проведен анализ основных параметров системы позиционирования в составе лазерной сканирующей установки, их влияние на точность сканирования и координат воздействия сфокусированным излучением в контрольных точках. Описаны принципы алгоритмов машинного зрения при работе с изображением сканируемого объекта и результаты апробации в задаче автоматизированного лазерного пережигания перемычек на полупроводниковой пластине. Поскольку число перемычек может достигать сотен тысяч, а системы позиционирования имеют значительные погрешности машинное зрение позволяет корректировать погрешности позиционирования и повысить точность лазерного воздействия на любом участке и этапе сканирования, что значительно повышает качество итогового результата лазерного воздействия.
- ПубликацияТолько метаданныеNonstable Latchups in CMOS ICs Under Pulsed Laser Irradiation(2020) Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Chumakov, A. I.; Pechenkin, A. A.; Bobrovsky, D. V.; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Печенкин, Александр Александрович; Бобровский, Дмитрий ВладимировичThis article concerns experimental and simulation results on nonstable latchups (SLs) in CMOS integrated circuits (ICs) under pulsed laser irradiation. Different transient responses in elements of the p-n-p-n structure and irregular ionization distribution on the IC surface are the main reasons for non-SLs. Radiation experimental test results are presented as well as a discussion of non-SL mechanisms.
- ПубликацияТолько метаданныеNew Heavy Ion Facility Design Project for Single Event Effect Tests(2020) Syresin, E.; Butenko, A.; Filatov, G.; Slivin, A.; Kulevoy, T.; Bobrovskiy, D.; Chumakov, A.; Pechenkin, A.; Sogoyan, A.; Soloviev, S.; Saburov, V.; Кулевой, Тимур Вячеславович; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Печенкин, Александр Александрович; Согоян, Армен Вагоевич; Соловьев, Сергей Александрович
- ПубликацияТолько метаданныеAdvances in optical sensing techniques application for simulation of space radiation effects in microelectronic devices using wavelength-tunable femtosecond laser(2020) Mavritskii, O. B.; Egorov, A. N.; Pechenkin, A. A.; Savchenkov, D. V.; Boychenko, D. V.; Маврицкий, Олег Борисович; Егоров, Андрей Николаевич; Печенкин, Александр Александрович; Бойченко, Дмитрий Владимирович© COPYRIGHT SPIE. Downloading of the abstract is permitted for personal use only.Singe event effect (SEE) simulation in modern integrated circuits (ICs) by femtosecond laser irradiation through the substrate allows eliminating a lot of problems connected to the presence of multiple opaque metal layers above the IC active layer. With this irradiation geometry, the proper wavelength of laser radiation should be chosen to generate sufficient amount of nonequilibrium charge in the active layer on the one hand, and to avoid significant laser energy losses in the thick substrate on the other hand. In this paper several typical microelectronic ICs were selected to investigate the dependence of SEE generation effectiveness on the laser wavelength when irradiating through the substrate of various thickness. It was found, that the most appropriate laser wavelength for the silicon substrate thicknesses of 300 to 800 μm lies in the 1030 to 1070 nm range.
- ПубликацияТолько метаданныеSingle-Mode W-Type Optical Fiber Stable Against Bending and Radiation(2020) Eron'yan, M. A.; Kulesh, A. Y.; Reutskii, A. A.; Devet'yarov, D. R.; Pechenkin, A. A.; Печенкин, Александр Александрович© 2020, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: It is shown that single-mode fluorosilicate optical fibers fabricated with the aid of modified chemical vapor deposition exhibit a significant decrease in the radiation resistance when 1 mol % GeO2 is introduced into the silica-glass core. Elimination of chlorine and OH group impurities in the silica glass of the core of the fluorosilicate single-mode fiber leads to a relatively low level of radiation-induced attenuation. Prior to radiation processing, the loss factors of optical fiber are 0.18 and 0.3 dB/km at wavelengths of 1.55 and 1.31 μm, respectively. The dependence of optical loss of such fibers on the bend diameter ranging from 6 to 12 mm is studied.
- ПубликацияТолько метаданныеMechanisms of Initiation of Unstable Latchup Effects in CMOS ICs(2019) Chumakov, A. I.; Bobrovsky, D. V.; Pechenkin, A. A.; Savchenkov, D. V.; Sorokoumov, G. S.; Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Печенкин, Александр Александрович; Сорокоумов, Георгий Сергеевич; Швецов-Шиловский, Иван Иванович© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of research on nonstationary latchup effects (LEs) under the influence of heavy charged particles and ionizing radiation pulses, which are spontaneously counteracted depending on the operating conditions, are presented. This behavior is caused by the effects of the rail span collapse inside the complementary metal-oxide-system (CMOS) of very large scale integrated (VLSI) circuits. The experimental studies are carried out on both the ion accelerator and the laser facilities.
- ПубликацияТолько метаданныеComparative Assessment of Digital and UHF Optoelectronic Transceivers Radiation Hardness(2019) Mozhaev, R. K.; Cherniak, M. E.; Pechenkin, A. A.; Ulanova, A. V.; Nikiforov, A. Y.; Можаев, Роман Константинович; Печенкин, Александр Александрович; Уланова, Анастасия Владиславовна; Никифоров, Александр Юрьевич© 2019 IEEE.A method for radiation hardness evaluation of digital and microwave transmitting-receiving optoelectronic modules is presented. The technical aspects of parameters monitoring during exposure are described. The most vulnerable components of optoelectronic modules are identified.
- ПубликацияТолько метаданныеAutomation of Laser Single-Event Effect Testing of Integrated Circuits for Space Missions(2021) Tsirkov, A. N.; Savchenkov, D. V.; Novikov, A. A.; Pechenkin, A. A.; Цирков, Артем Николаевич; Печенкин, Александр Александрович© 2021 IEEE.a division of labor plays significant role in the efficiency of laser SEE Testing. The highest efficiency can be achieved when testers fulfill their roles in a global task: one is engaged in debugging and monitoring the testing progress at the facility, another one participates in the preparation and performance monitoring of the device under test (DUT). This article describes the architecture of our software for SEE testing that consists of two parts: the one responsible for the functional testing of the DUT and another one responsible for the SEE testing logic. Separating these two parts allows them to be developed independently by different specialists. The DUT part of software controls a wide variety of equipment including National Instruments PXI/PXIe modules which are commonly used for functional testing of the devices under test. The laser SEE testing part of software controls all parts of the laser facility (laser beam positioning and pulse synchronization, visualization of exposure area, etc.) and the acquisition of laser SEE testing data. One of the main points of this paper is the idea of communication between the apps on different platforms (Microsoft.NET and NI LabVIEW) over local area network.
- ПубликацияТолько метаданныеRadiation-resistant optical fiber with oxygen-deficient silica glass core(2021) Eronyan, M. A.; Devetyarov, D. R.; Reytskii, A. A.; Meshkovskiy, I. K.; Pechenkin, A. A.; Печенкин, Александр Александрович© 2021 Elsevier B.V.Oxygen deficiency in a silica glass core of fluorosilicate optical fiber manufactured by the modified chemical vapor deposition method provides extra high level of its radiation resistance. Gamma-radiation-induced attenuation (RIA) in such a fiber increases with decreasing both the test temperature (from + 25 to minus 60 °C) and the wavelength (from 1.55 to 1.31 μm). After exposure to radiation, RIA completely disappears at the room temperature. At the temperature of minus 60 °C, the optical losses restore much worse. RIA increases due to the superposition of Rayleigh scattering and absorption, with the latter decreasing with increasing wavelength.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »