Персона: Бобровский, Дмитрий Владимирович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Статус
Фамилия
Бобровский
Имя
Дмитрий Владимирович
Имя
17 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 17
- ПубликацияТолько метаданныеThe Effects of the External Conditions of CMOS IC Functioning on Latchup Occurrence under Uniform Laser Irradiation(2021) Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Chumakov, A. I.; Pechenkin, A. A.; Bobrovsky, D. V.; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Печенкин, Александр Александрович; Бобровский, Дмитрий Владимирович© 2021 IEEE.The paper concerns experimental results on external conditions such as temperature, voltage supply, current limit, and features of the power circuit on latchup occurrence under uniform laser irradiation.
- ПубликацияОткрытый доступОСОБЕННОСТИ ОЦЕНКИ СТОЙКОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ИОНОВ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ(НИЯУ МИФИ, 2024) Чумаков, А. И.; Бобровский, Д. В.; Согоян, А. В.; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Согоян, Армен ВагоевичВ работе проводится анализ особенностей экспериментальной оценки зависимости сечений одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) в функции линейных потерь энергии (ЛПЭ) для ионов с энергиями выше 100 МэВ/нуклон. С целью изменения значений ЛПЭ используются ослабители энергии ионов до получения максимально возможных величин ЛПЭ. В работе представлены оценки изменений спектра ЛПЭ при различных толщинах ослабителя на основе поликарбоната на примере воздействия ионов железа с энергиями 100...450 МэВ/нуклон. Оценка значений ЛПЭ в корпусированных изделиях с неизвестным физико-химическим составом предлагается проводить по модифицированной методике, используемой на ускорителе ионов в Брукхейвенской национальной лаборатории в США. Предлагается данную методику дополнить предварительными исследованиями на рентгеновских установках для возможной оценки массовой толщины защитных слоев корпусов интегральных схем. С целью уменьшения влияния неконтролируемых факторов предлагается проводить утонение корпусов по результатам анализа рентгеновских снимков. Предлагаемый подход позволяет корректно определять зависимости сечений ОРЭ от ЛПЭ как корпусированных, так и декапсулированных интегральных схем к воздействию ионов высоких энергий. Полученные результаты предполагаются использоваться на специализированной станции ИСКРА, входящей в состав нуклотронного комплекса НИКА (NICA) в ОИЯИ, г. Дубна. Представленные результаты позволяют провести оценку сбое- и отказустойчивости электронно-информационных систем к воздействию ионов искусственного и естественного происхождений .
- ПубликацияТолько метаданныеApplication of effective LET approach for modern CMOS devices(2019) Akhmetov, A. O.; Bobrovsky, D. V.; Smolin, A. A.; Chumakov, A. I.; Sogoyan, A. V.; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Согоян, Армен Вагоевич© 2019 IEEE.Applicability of effective LET concept to SEE testing of modern CMOS devices was investigated. Heavy ion irradiations of four CMOS ICs were performed for a wide range of LET values and angles of incidence.
- ПубликацияТолько метаданныеConstruction of Stations for Applied Research at the NICA Accelerator Complex(2022) Slivin, A.; Agapov, A.; Butenko, A.; Filatov, G.; Shipulin, K.; Syresin, E.; Tuzikov, A.; Kulevoy, T.; Titarenko, Y.; Bobrovskiy, D.; Chumakov, A.; Soloviev, S.; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Соловьев, Сергей Александрович
- ПубликацияТолько метаданныеNew Heavy Ion Facility Design Project for Single Event Effect Tests(2020) Syresin, E.; Butenko, A.; Filatov, G.; Slivin, A.; Kulevoy, T.; Bobrovskiy, D.; Chumakov, A.; Pechenkin, A.; Sogoyan, A.; Soloviev, S.; Saburov, V.; Кулевой, Тимур Вячеславович; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Печенкин, Александр Александрович; Согоян, Армен Вагоевич; Соловьев, Сергей Александрович
- ПубликацияОткрытый доступВЛИЯНИЕ ИМПУЛЬСНОГО ХАРАКТЕРА ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ К ОДИНОЧНЫМ РАДИАЦИОННЫМ ЭФФЕКТАМ(НИЯУ МИФИ, 2024) Чумаков, А. И.; Бобровский, Д. В.; Соловьев, С. А.; Соловьев, Сергей Александрович; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр ИннокентьевичВ работе проводится анализ особенностей экспериментальной оценки сечений одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) при воздействии импульсных пучков ионов. Анализируются основные эффекты, влияющие на достоверность получаемых результатов. К основным причинам, которые могут исказить результаты экспериментальных исследований, относятся возможные многократные попадания ионов в одну и ту же чувствительную область интегральной схемы (ИС) за время формирования ОРЭ, наличие нескольких ОРЭ в разных элементах ИС за один импульс, одновременное действие эффектов мощности дозы и ионизационной реакции от отдельной ядерной частицы и влияние эффектов мощности поглощенной дозы на условия возникновения ОРЭ. В работе проанализированы данные эффекты и показано, что при воздействии импульса ионов с эффективной поглощенной мощностью дозы менее 106 рад(Si)/с эффекты мощности дозы практически не влияют на параметры чувствительности ИС к ОРЭ. Отдельные сложности могут возникнуть при регистрации одиночных импульсных переходных процессов («иголок»), но из-за разных временных характеристик принципиально разделение эффектов мощности дозы и ОРЭ возможно. Проведена оценка по влиянию конечных пробегов на ограничения по максимальной плотности потока ионов и показано, что учет их дает возможность повысить этот уровень в несколько раз.
- ПубликацияТолько метаданныеProton Accelerator's Direct Ionization Single Event Upset Test Procedure(2019) Akhmetov, A. O.; Sorokoumov, G. S.; Smolin, A. A.; Bobrovsky, D. V.; Boychenko, D. V.; Nikiforov, A. Y.; Сорокоумов, Георгий Сергеевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Бойченко, Дмитрий Владимирович; Никифоров, Александр Юрьевич© 2019 IEEE.The paper presents single event upset (SEU) experimental results in Spartan-6 FPGA due to direct and indirect proton ionization. High energy proton beam and aluminum foils were used to decrease proton energy down to 1.. 20 MeV to observe proton direct ionization upsets.
- ПубликацияТолько метаданныеInvestigation of Operating System Influence on Single Event Functional Interrupts Using Fault Injection and Hardware Error Detection in ARM Microcontroller(2021) Loskutov, I. O.; Kravchenko, N. D.; Marfin, V. A.; Nekrasov, P. V.; Bobrovsky, D. V.; Smolin, A. A.; Yanenko, A. V.; Лоскутов, Илья Олегович; Кравченко, Николай Дмитриевич; Некрасов, Павел Владимирович; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Яненко, Андрей Викторович© 2021 IEEE.the paper presents a broad investigation of single event effects in ARM microcontroller (MCU) under heavy ion irradiation. Experimental details are presented: device under the test and test setup. The stages of experiments are described: radiation testing using heavy ion accelerator, laser source irradiation and single event functional interrupts simulation campaign. The algorithm of operation of the program injector for conducting campaigns on simulating SEFI is presented. The influence of a real-time operating system on cross-section of SEFI was evaluated. SEFI cross-sections obtained with and without the operating system were compared. A method using fault injection in program and data memory and hardware detection of functional interrupts was tested. The results of SEFI simulation and calculation by engineering model were compared with experimental results. The results obtained differ from each other. Possible explanations of the proposed differences and the correction of the model are proposed. Directions for further research are outlined.
- ПубликацияТолько метаданныеNonstable Latchups in CMOS ICs Under Pulsed Laser Irradiation(2020) Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Chumakov, A. I.; Pechenkin, A. A.; Bobrovsky, D. V.; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Печенкин, Александр Александрович; Бобровский, Дмитрий ВладимировичThis article concerns experimental and simulation results on nonstable latchups (SLs) in CMOS integrated circuits (ICs) under pulsed laser irradiation. Different transient responses in elements of the p-n-p-n structure and irregular ionization distribution on the IC surface are the main reasons for non-SLs. Radiation experimental test results are presented as well as a discussion of non-SL mechanisms.
- ПубликацияОткрытый доступИСПОЛЬЗОВАНИЕ СТЕНДА «СОЧИ» ДЛЯ ПОДТВЕРЖДЕНИЯ НЕИЗМЕННОСТИ КРИСТАЛЛА МИКРОСХЕМ(НИЯУ МИФИ, 2025) Бобровский, Д. В.; Швецов-Шиловский, И. И.; Соловьев, С. А.; Чумаков, А. И.; Сыресин, Е. М.; Сливин, А. А.; Филатов, Г. А.; Соловьев, Сергей Александрович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Швецов-Шиловский, Иван ИвановичВ работе проводится анализ возможной области применения стенда «СОЧИ» на базе линейного ускорителя тяжелых ионов (ЛУТИ) для целей контроля неизменности топологии кристалла в целях обеспечения доверенности ЭКБ. Одна из характеристик интегральной схемы (ИС), определяющаяся топологией и проектными нормами – чувствительность к воздействию тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) по тиристорному эффекту и сбоям. Показано, что даже незначительные и не всегда заметные изменения топологии интегральной схемы могут приводить к резким изменениям параметров чувствительности по тиристорным эффектам (ТЭ), тогда как по одиночным сбоям изменения имеют место при изменении проектных норм и библиотечных элементов. Импульсный характер пучка на стенде «СОЧИ» не позволяют проводить испытания только очень чувствительных ЭКБ к воздействию ТЗЧ по тиристорному эффекту в количественном выражении (определение сечения эффекта), однако даже в этом случае возможно определять пороговое значение линейных потерь энергии возникновения ТЭ. Во всех других случаях параметры чувствительности ИС по одиночным радиационным эффектам могут быть определены.