Персона:
Бобровский, Дмитрий Владимирович

Организационные подразделения

Организационная единица

Другие подразделения НИЯУ МИФИ

Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.

Фамилия

Бобровский

Имя

Дмитрий Владимирович

Полная страница элемента

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 10 из 17

Открытый доступ
ОСОБЕННОСТИ ОЦЕНКИ СТОЙКОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ИОНОВ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ
(НИЯУ МИФИ, 2024) Чумаков, А. И.; Бобровский, Д. В.; Согоян, А. В.; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Согоян, Армен Вагоевич
В работе проводится анализ особенностей экспериментальной оценки зависимости сечений одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) в функции линейных потерь энергии (ЛПЭ) для ионов с энергиями выше 100 МэВ/нуклон. С целью изменения значений ЛПЭ используются ослабители энергии ионов до получения максимально возможных величин ЛПЭ. В работе представлены оценки изменений спектра ЛПЭ при различных толщинах ослабителя на основе поликарбоната на примере воздействия ионов железа с энергиями 100...450 МэВ/нуклон. Оценка значений ЛПЭ в корпусированных изделиях с неизвестным физико-химическим составом предлагается проводить по модифицированной методике, используемой на ускорителе ионов в Брукхейвенской национальной лаборатории в США. Предлагается данную методику дополнить предварительными исследованиями на рентгеновских установках для возможной оценки массовой толщины защитных слоев корпусов интегральных схем. С целью уменьшения влияния неконтролируемых факторов предлагается проводить утонение корпусов по результатам анализа рентгеновских снимков. Предлагаемый подход позволяет корректно определять зависимости сечений ОРЭ от ЛПЭ как корпусированных, так и декапсулированных интегральных схем к воздействию ионов высоких энергий. Полученные результаты предполагаются использоваться на специализированной станции ИСКРА, входящей в состав нуклотронного комплекса НИКА (NICA) в ОИЯИ, г. Дубна. Представленные результаты позволяют провести оценку сбое- и отказустойчивости электронно-информационных систем к воздействию ионов искусственного и естественного происхождений .
Только метаданные
Nonstable Latchups in CMOS ICs Under Pulsed Laser Irradiation
(2020) Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Chumakov, A. I.; Pechenkin, A. A.; Bobrovsky, D. V.; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Печенкин, Александр Александрович; Бобровский, Дмитрий Владимирович
This article concerns experimental and simulation results on nonstable latchups (SLs) in CMOS integrated circuits (ICs) under pulsed laser irradiation. Different transient responses in elements of the p-n-p-n structure and irregular ionization distribution on the IC surface are the main reasons for non-SLs. Radiation experimental test results are presented as well as a discussion of non-SL mechanisms.
Только метаданные
New Heavy Ion Facility Design Project for Single Event Effect Tests
(2020) Syresin, E.; Butenko, A.; Filatov, G.; Slivin, A.; Kulevoy, T.; Bobrovskiy, D.; Chumakov, A.; Pechenkin, A.; Sogoyan, A.; Soloviev, S.; Saburov, V.; Кулевой, Тимур Вячеславович; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Печенкин, Александр Александрович; Согоян, Армен Вагоевич; Соловьев, Сергей Александрович
Только метаданные
Mechanisms of Initiation of Unstable Latchup Effects in CMOS ICs
(2019) Chumakov, A. I.; Bobrovsky, D. V.; Pechenkin, A. A.; Savchenkov, D. V.; Sorokoumov, G. S.; Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Печенкин, Александр Александрович; Сорокоумов, Георгий Сергеевич; Швецов-Шиловский, Иван Иванович
© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of research on nonstationary latchup effects (LEs) under the influence of heavy charged particles and ionizing radiation pulses, which are spontaneously counteracted depending on the operating conditions, are presented. This behavior is caused by the effects of the rail span collapse inside the complementary metal-oxide-system (CMOS) of very large scale integrated (VLSI) circuits. The experimental studies are carried out on both the ion accelerator and the laser facilities.
Только метаданные
Application of effective LET approach for modern CMOS devices
(2019) Akhmetov, A. O.; Bobrovsky, D. V.; Smolin, A. A.; Chumakov, A. I.; Sogoyan, A. V.; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Согоян, Армен Вагоевич
© 2019 IEEE.Applicability of effective LET concept to SEE testing of modern CMOS devices was investigated. Heavy ion irradiations of four CMOS ICs were performed for a wide range of LET values and angles of incidence.
Только метаданные
Proton Accelerator's Direct Ionization Single Event Upset Test Procedure
(2019) Akhmetov, A. O.; Sorokoumov, G. S.; Smolin, A. A.; Bobrovsky, D. V.; Boychenko, D. V.; Nikiforov, A. Y.; Сорокоумов, Георгий Сергеевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Бойченко, Дмитрий Владимирович; Никифоров, Александр Юрьевич
© 2019 IEEE.The paper presents single event upset (SEU) experimental results in Spartan-6 FPGA due to direct and indirect proton ionization. High energy proton beam and aluminum foils were used to decrease proton energy down to 1.. 20 MeV to observe proton direct ionization upsets.
Только метаданные
Investigation of Operating System Influence on Single Event Functional Interrupts Using Fault Injection and Hardware Error Detection in ARM Microcontroller
(2021) Loskutov, I. O.; Kravchenko, N. D.; Marfin, V. A.; Nekrasov, P. V.; Bobrovsky, D. V.; Smolin, A. A.; Yanenko, A. V.; Лоскутов, Илья Олегович; Кравченко, Николай Дмитриевич; Некрасов, Павел Владимирович; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Яненко, Андрей Викторович
© 2021 IEEE.the paper presents a broad investigation of single event effects in ARM microcontroller (MCU) under heavy ion irradiation. Experimental details are presented: device under the test and test setup. The stages of experiments are described: radiation testing using heavy ion accelerator, laser source irradiation and single event functional interrupts simulation campaign. The algorithm of operation of the program injector for conducting campaigns on simulating SEFI is presented. The influence of a real-time operating system on cross-section of SEFI was evaluated. SEFI cross-sections obtained with and without the operating system were compared. A method using fault injection in program and data memory and hardware detection of functional interrupts was tested. The results of SEFI simulation and calculation by engineering model were compared with experimental results. The results obtained differ from each other. Possible explanations of the proposed differences and the correction of the model are proposed. Directions for further research are outlined.
Только метаданные
Measurement of Parameters of Analog-to-Digital Converters Based on the NI Hardware-Software Complex in the Course of a Radiation Experiment
(2021) Torshin, R. S.; Sorokoumov, G. S.; Bobrovsky, D. V.; Titovets, D. O.; Kalashnikova, M. O.; Торшин, Роман Сергеевич; Сорокоумов, Георгий Сергеевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Титовец, Дмитрий Олегович
© 2021 IEEE.The paper presents an automated system for functional and parametric control of analog-to-digital converters (ADC) during a radiation experiment. The automated measuring system is based on the combined use of modular PXI equipment manufactured by National Instruments and the signal generator SMA100B manufactured by Rohde Schwarz (RS). The PXI-4461 module is the most significant module in the system. Hardware and software operations of the measuring system are discussed in the paper. The parameters controlled during total ionizing dose (TID) tests are listed in the paper alongside the algorithm for parametric control. We describe a histogram method for removing input noise. In order to mitigate drawbacks of histogram method, we measured sample median for each ADC code value during the experiment. With the help of this system, the main static and dynamic parameters of test ADCs are calculated and their degradation during irradiation at the Cs-137 isotope source is shown. Specifications for quantifying ADC dynamic performance were based on an FFT results analysis. Typical TID effects in ADCs are observed: degradation of the transfer function and associated deterioration of the accuracy parameters: integral nonlinearity, differential nonlinearity, offset and gain errors.
Открытый доступ
ВЛИЯНИЕ ИМПУЛЬСНОГО ХАРАКТЕРА ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ К ОДИНОЧНЫМ РАДИАЦИОННЫМ ЭФФЕКТАМ
(НИЯУ МИФИ, 2024) Чумаков, А. И.; Бобровский, Д. В.; Соловьев, С. А.; Соловьев, Сергей Александрович; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич
В работе проводится анализ особенностей экспериментальной оценки сечений одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) при воздействии импульсных пучков ионов. Анализируются основные эффекты, влияющие на достоверность получаемых результатов. К основным причинам, которые могут исказить результаты экспериментальных исследований, относятся возможные многократные попадания ионов в одну и ту же чувствительную область интегральной схемы (ИС) за время формирования ОРЭ, наличие нескольких ОРЭ в разных элементах ИС за один импульс, одновременное действие эффектов мощности дозы и ионизационной реакции от отдельной ядерной частицы и влияние эффектов мощности поглощенной дозы на условия возникновения ОРЭ. В работе проанализированы данные эффекты и показано, что при воздействии импульса ионов с эффективной поглощенной мощностью дозы менее 106 рад(Si)/с эффекты мощности дозы практически не влияют на параметры чувствительности ИС к ОРЭ. Отдельные сложности могут возникнуть при регистрации одиночных импульсных переходных процессов («иголок»), но из-за разных временных характеристик принципиально разделение эффектов мощности дозы и ОРЭ возможно. Проведена оценка по влиянию конечных пробегов на ограничения по максимальной плотности потока ионов и показано, что учет их дает возможность повысить этот уровень в несколько раз.
Только метаданные
Construction of Stations for Applied Research at the NICA Accelerator Complex
(2022) Slivin, A.; Agapov, A.; Butenko, A.; Filatov, G.; Shipulin, K.; Syresin, E.; Tuzikov, A.; Kulevoy, T.; Titarenko, Y.; Bobrovskiy, D.; Chumakov, A.; Soloviev, S.; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Соловьев, Сергей Александрович