Персона: Бобровский, Дмитрий Владимирович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Статус
Фамилия
Бобровский
Имя
Дмитрий Владимирович
Имя
17 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 17
- ПубликацияТолько метаданныеNICA Beamlines and Stations for Applied Research(2023) Filatov, G. A.; Slivin, A. A.; Syresin, E. M.; Butenko, A. V.; Bobrovskiy, D. V.; Chumakov, A. I.; Soloviev, S. A.; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Соловьев, Сергей Александрович
- ПубликацияТолько метаданныеNon-Contact Temperature Setting System for VLSI with High Heat Dissipation(2022) Kostyuchenko, D.; Bobrovskiy, D.; Pechenkin, A.; Marfin, V.; Tsirkov, A.; Karakozov, A.; Костюченко, Денис Сергеевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Печенкин, Александр Александрович; Цирков, Артем Николаевич© 2022 IEEE.It was required to develop a non-contact cooling system for conducting radiation research of VLSI with high heat generation. During the development process, various available methods for cooling products were considered and tested: immersion cooling and a cold-box - these methods did not bring the desired result.As a result, a cooling system was assembled based on the process of blowing the VLSI crystal with high-pressure compressed air. The system was based on an air compressor. The compressor was supplemented with external sensors to control the temperature of the samples and a control system for the output air flow. The entire process of setting the sample temperature was automatically controlled from a personal computer. The software and hardware parts of the solution are presented in this article.This non-contact cooling system has shown itself well in the conditions of real VLSI radiation research at physical facilities. However, in the future it is planned to improve a number of parameters in order to develop this cooling system to increase its efficiency.
- ПубликацияТолько метаданныеThe Effects of the External Conditions of CMOS IC Functioning on Latchup Occurrence under Uniform Laser Irradiation(2021) Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Chumakov, A. I.; Pechenkin, A. A.; Bobrovsky, D. V.; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Печенкин, Александр Александрович; Бобровский, Дмитрий Владимирович© 2021 IEEE.The paper concerns experimental results on external conditions such as temperature, voltage supply, current limit, and features of the power circuit on latchup occurrence under uniform laser irradiation.
- ПубликацияОткрытый доступОСОБЕННОСТИ ОЦЕНКИ СТОЙКОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ИОНОВ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ(НИЯУ МИФИ, 2024) Чумаков, А. И.; Бобровский, Д. В.; Согоян, А. В.; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Согоян, Армен ВагоевичВ работе проводится анализ особенностей экспериментальной оценки зависимости сечений одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) в функции линейных потерь энергии (ЛПЭ) для ионов с энергиями выше 100 МэВ/нуклон. С целью изменения значений ЛПЭ используются ослабители энергии ионов до получения максимально возможных величин ЛПЭ. В работе представлены оценки изменений спектра ЛПЭ при различных толщинах ослабителя на основе поликарбоната на примере воздействия ионов железа с энергиями 100...450 МэВ/нуклон. Оценка значений ЛПЭ в корпусированных изделиях с неизвестным физико-химическим составом предлагается проводить по модифицированной методике, используемой на ускорителе ионов в Брукхейвенской национальной лаборатории в США. Предлагается данную методику дополнить предварительными исследованиями на рентгеновских установках для возможной оценки массовой толщины защитных слоев корпусов интегральных схем. С целью уменьшения влияния неконтролируемых факторов предлагается проводить утонение корпусов по результатам анализа рентгеновских снимков. Предлагаемый подход позволяет корректно определять зависимости сечений ОРЭ от ЛПЭ как корпусированных, так и декапсулированных интегральных схем к воздействию ионов высоких энергий. Полученные результаты предполагаются использоваться на специализированной станции ИСКРА, входящей в состав нуклотронного комплекса НИКА (NICA) в ОИЯИ, г. Дубна. Представленные результаты позволяют провести оценку сбое- и отказустойчивости электронно-информационных систем к воздействию ионов искусственного и естественного происхождений .
- ПубликацияОткрытый доступВЛИЯНИЕ ИМПУЛЬСНОГО ХАРАКТЕРА ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ К ОДИНОЧНЫМ РАДИАЦИОННЫМ ЭФФЕКТАМ(НИЯУ МИФИ, 2024) Чумаков, А. И.; Бобровский, Д. В.; Соловьев, С. А.; Соловьев, Сергей Александрович; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр ИннокентьевичВ работе проводится анализ особенностей экспериментальной оценки сечений одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) при воздействии импульсных пучков ионов. Анализируются основные эффекты, влияющие на достоверность получаемых результатов. К основным причинам, которые могут исказить результаты экспериментальных исследований, относятся возможные многократные попадания ионов в одну и ту же чувствительную область интегральной схемы (ИС) за время формирования ОРЭ, наличие нескольких ОРЭ в разных элементах ИС за один импульс, одновременное действие эффектов мощности дозы и ионизационной реакции от отдельной ядерной частицы и влияние эффектов мощности поглощенной дозы на условия возникновения ОРЭ. В работе проанализированы данные эффекты и показано, что при воздействии импульса ионов с эффективной поглощенной мощностью дозы менее 106 рад(Si)/с эффекты мощности дозы практически не влияют на параметры чувствительности ИС к ОРЭ. Отдельные сложности могут возникнуть при регистрации одиночных импульсных переходных процессов («иголок»), но из-за разных временных характеристик принципиально разделение эффектов мощности дозы и ОРЭ возможно. Проведена оценка по влиянию конечных пробегов на ограничения по максимальной плотности потока ионов и показано, что учет их дает возможность повысить этот уровень в несколько раз.
- ПубликацияТолько метаданныеProton Accelerator's Direct Ionization Single Event Upset Test Procedure(2019) Akhmetov, A. O.; Sorokoumov, G. S.; Smolin, A. A.; Bobrovsky, D. V.; Boychenko, D. V.; Nikiforov, A. Y.; Сорокоумов, Георгий Сергеевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Бойченко, Дмитрий Владимирович; Никифоров, Александр Юрьевич© 2019 IEEE.The paper presents single event upset (SEU) experimental results in Spartan-6 FPGA due to direct and indirect proton ionization. High energy proton beam and aluminum foils were used to decrease proton energy down to 1.. 20 MeV to observe proton direct ionization upsets.
- ПубликацияТолько метаданныеInvestigation of Operating System Influence on Single Event Functional Interrupts Using Fault Injection and Hardware Error Detection in ARM Microcontroller(2021) Loskutov, I. O.; Kravchenko, N. D.; Marfin, V. A.; Nekrasov, P. V.; Bobrovsky, D. V.; Smolin, A. A.; Yanenko, A. V.; Лоскутов, Илья Олегович; Кравченко, Николай Дмитриевич; Некрасов, Павел Владимирович; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Яненко, Андрей Викторович© 2021 IEEE.the paper presents a broad investigation of single event effects in ARM microcontroller (MCU) under heavy ion irradiation. Experimental details are presented: device under the test and test setup. The stages of experiments are described: radiation testing using heavy ion accelerator, laser source irradiation and single event functional interrupts simulation campaign. The algorithm of operation of the program injector for conducting campaigns on simulating SEFI is presented. The influence of a real-time operating system on cross-section of SEFI was evaluated. SEFI cross-sections obtained with and without the operating system were compared. A method using fault injection in program and data memory and hardware detection of functional interrupts was tested. The results of SEFI simulation and calculation by engineering model were compared with experimental results. The results obtained differ from each other. Possible explanations of the proposed differences and the correction of the model are proposed. Directions for further research are outlined.
- ПубликацияТолько метаданныеNonstable Latchups in CMOS ICs Under Pulsed Laser Irradiation(2020) Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Chumakov, A. I.; Pechenkin, A. A.; Bobrovsky, D. V.; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Печенкин, Александр Александрович; Бобровский, Дмитрий ВладимировичThis article concerns experimental and simulation results on nonstable latchups (SLs) in CMOS integrated circuits (ICs) under pulsed laser irradiation. Different transient responses in elements of the p-n-p-n structure and irregular ionization distribution on the IC surface are the main reasons for non-SLs. Radiation experimental test results are presented as well as a discussion of non-SL mechanisms.
- ПубликацияТолько метаданныеApplication of effective LET approach for modern CMOS devices(2019) Akhmetov, A. O.; Bobrovsky, D. V.; Smolin, A. A.; Chumakov, A. I.; Sogoyan, A. V.; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Согоян, Армен Вагоевич© 2019 IEEE.Applicability of effective LET concept to SEE testing of modern CMOS devices was investigated. Heavy ion irradiations of four CMOS ICs were performed for a wide range of LET values and angles of incidence.
- ПубликацияТолько метаданныеAPPLIED RESEARCH STATIONS AND NEW BEAM TRANSFER LINES AT THE NICA ACCELERATOR COMPLEX(2021) Slivin, A.; Agapov, A.; Baldin, A.; Butenko, A.; Bobrovskiy, D. V.; Chumakov, A.; Soloviev, S.; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Соловьев, Сергей Александрович© 27th Russian Particle Accelerator Conference, RuPAC 2021. All rights reserved.Applied research at the NICA accelerator complex include the following areas that are under construction: single event effects testing on capsulated microchips (energy range of 150-500 MeV/n) at the Irradiation Setup for Components of Radioelectronic Apparature (ISCRA) and on decapsulated microchips (ion energy up to 3,2 MeV/n) at the Station of CHip Irradiation (SOCHI), space radiobiological research and modelling of influence of heavy charged particles on cognitive functions of the brain of small laboratory animals and primates (energy range 500-1000 MeV/n) at the Setup for Investigation of Medical Biological Objects (SIMBO). Description of main systems and beam parameters at the ISCRA, SOCHI and SIMBO applied research stations is presented. The new beam transfer lines from the Nuclotron to ISCRA and SIMBO stations, and from HILAC to SOCHI station are being constructed. Description of the transfer lines layout, the magnets and diagnostic detectors, results of the beam dynamics simulations are described given.