Publication:
Application of effective LET approach for modern CMOS devices

Дата
2019
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 IEEE.Applicability of effective LET concept to SEE testing of modern CMOS devices was investigated. Heavy ion irradiations of four CMOS ICs were performed for a wide range of LET values and angles of incidence.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Application of effective LET approach for modern CMOS devices / Akhmetov, A.O. [et al.] // 2019 19th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, RADECS 2019. - 2019. - 10.1109/RADECS47380.2019.9745667
Коллекции