Персона:
Согоян, Армен Вагоевич

Научные группы

Научная группа

Центр экстремальной прикладной электроники (ЦЭПЭ)

Организационные подразделения

Организационная единица

Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике

Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.

Фамилия

Согоян

Имя

Армен Вагоевич

Полная страница элемента

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 9 из 9

Открытый доступ
ОСОБЕННОСТИ ОЦЕНКИ СТОЙКОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ИОНОВ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ
(НИЯУ МИФИ, 2024) Чумаков, А. И.; Бобровский, Д. В.; Согоян, А. В.; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Согоян, Армен Вагоевич
В работе проводится анализ особенностей экспериментальной оценки зависимости сечений одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) в функции линейных потерь энергии (ЛПЭ) для ионов с энергиями выше 100 МэВ/нуклон. С целью изменения значений ЛПЭ используются ослабители энергии ионов до получения максимально возможных величин ЛПЭ. В работе представлены оценки изменений спектра ЛПЭ при различных толщинах ослабителя на основе поликарбоната на примере воздействия ионов железа с энергиями 100...450 МэВ/нуклон. Оценка значений ЛПЭ в корпусированных изделиях с неизвестным физико-химическим составом предлагается проводить по модифицированной методике, используемой на ускорителе ионов в Брукхейвенской национальной лаборатории в США. Предлагается данную методику дополнить предварительными исследованиями на рентгеновских установках для возможной оценки массовой толщины защитных слоев корпусов интегральных схем. С целью уменьшения влияния неконтролируемых факторов предлагается проводить утонение корпусов по результатам анализа рентгеновских снимков. Предлагаемый подход позволяет корректно определять зависимости сечений ОРЭ от ЛПЭ как корпусированных, так и декапсулированных интегральных схем к воздействию ионов высоких энергий. Полученные результаты предполагаются использоваться на специализированной станции ИСКРА, входящей в состав нуклотронного комплекса НИКА (NICA) в ОИЯИ, г. Дубна. Представленные результаты позволяют провести оценку сбое- и отказустойчивости электронно-информационных систем к воздействию ионов искусственного и естественного происхождений .
Открытый доступ
СПОСОБ ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ТЕПЛОВОГО И МЕХАНИЧЕСКОГО ДЕЙСТВИЯ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕМЕНТЫ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ С ПОМОЩЬЮ ПУЧКА ЭЛЕКТРОНОВ
(Федеральное государственное казенное учреждение "12 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации, 2023) Потапенко, А. И.; Ульяненков, Р. В.; Чепрунов, А. А.; Согоян, А. В.; Чумаков, А. И.; Бойченко, Д. В.; Дианков, С. Ю.; Горелов, А. А.; Герасимов, В. Ф.; Зайцева, А. Л.; Бойченко, Дмитрий Владимирович; Согоян, Армен Вагоевич; Чумаков, Александр Иннокентьевич
Изобретение относится к технике испытаний материалов и элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) с помощью воспроизведения термомеханических нагрузок высокоинтенсивным импульсным пучком электронов (ИПЭ) и может быть использовано для испытаний образцов многослойных материалов и элементов РЭА на стойкость к действию рентгеновского излучения (РИ). Способ воспроизведения теплового и механического действия РИ на элементы РЭА с помощью ИПЭ заключается в том, что выявляют конструктивные элементы РЭА, критичные к тепловым и механическим эффектам (КЭ). Рассчитывают пространственное распределение поглощенной дозы при воздействии РИ и при воздействии ИПЭ для каждого КЭ, определяют максимальные значения растягивающих механических напряжений и температур для каждого КЭ, проводят расчетную оценку по критерию равенства максимума растягивающих напряжений, значений флюенса энергии ИПЭ, эквивалентных значениям флюенса энергии РИ с заданными параметрами для каждого КЭ. Проводят расчетную оценку значений флюенса энергии ИПЭ, эквивалентных значениям флюенса энергии РИ по отношению к тепловым эффектам для каждого КЭ. Создают с помощью моделирующего воздействия ИПЭ механические и тепловые поля в КЭ, эквивалентные возникающим при воздействии РИ с заданными параметрами по критериям равенства максимальных значений растягивающих напряжений и максимальной температуры. Технический результат изобретения: обеспечение возможности определения и прогнозирования уровня стойкости современных изделий РЭА с учетом тепловых и термомеханических эффектов при воздействии РИ посредством применения ИПЭ. 3 ил.
Только метаданные
New Heavy Ion Facility Design Project for Single Event Effect Tests
(2020) Syresin, E.; Butenko, A.; Filatov, G.; Slivin, A.; Kulevoy, T.; Bobrovskiy, D.; Chumakov, A.; Pechenkin, A.; Sogoyan, A.; Soloviev, S.; Saburov, V.; Кулевой, Тимур Вячеславович; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Печенкин, Александр Александрович; Согоян, Армен Вагоевич; Соловьев, Сергей Александрович
Только метаданные
Single event rate estimation based on limited experimental data
(2020) Sogoyan, A. V.; Smolin, A. A.; Chumakov, A. I.; Согоян, Армен Вагоевич; Чумаков, Александр Иннокентьевич
Только метаданные
Application of effective LET approach for modern CMOS devices
(2019) Akhmetov, A. O.; Bobrovsky, D. V.; Smolin, A. A.; Chumakov, A. I.; Sogoyan, A. V.; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Согоян, Армен Вагоевич
© 2019 IEEE.Applicability of effective LET concept to SEE testing of modern CMOS devices was investigated. Heavy ion irradiations of four CMOS ICs were performed for a wide range of LET values and angles of incidence.
Только метаданные
Nonparametric Statistical Analysis of Radiation Hardness Threshold Variation in CMOS IC Wafer Lots Series with the Aim of Process Monitoring
(2019) Moskovskaya, Y. M.; Sogojan, A. V.; Nikiforov, A. Y.; Bogdanov, Y. I.; Bogdanova, N. A.; Fastovets, D. V.; Moskovskaya, Y. M.; Sogoyan, A. V.; Nikiforov, A. Y.; Московская, Юлия Марковна; Согоян, Армен Вагоевич; Никифоров, Александр Юрьевич
© 2019 IEEE.Nonparametric statistical criteria usage has been considered for estimating radiation hardness threshold variation of CMOS IC wafer lots series. It gives one the possibility to assess every newly manufactured IC lot by a small sample size to determine whether test sample and the whole lot statistically belong to the previously tested general reference group of samples or not. The approach allows us to minimize the overirradiation factor and obtain a statistically reliable radiation test result even for small-size test samples.
Открытый доступ
НОРМЫ ИСПЫТАНИЙ НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ОТДЕЛЬНЫХ ЧАСТИЦ: МИНИМАКСНЫЙ ПОДХОД
(НИЯУ МИФИ, 2024) Согоян, А. В.; Чумаков, А. И.; Уланова, А. В.; Смолин, А. А.; Яненко, А. В.; Бойченко, Д. В.; Яненко, Андрей Викторович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Согоян, Армен Вагоевич; Уланова, Анастасия Владиславовна
При проведении испытаний интегральных схем (ИС) и полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию протонов, нейтронов и ионов одним из ключевых является вопрос определения «нормы испытаний» – уровня воздействия испытательной установки (ИУ), позволяющего по результатам эксперимента сделать заключение о соответствии изделия заданным требованиям с определённой доверительной вероятностью. Статистически достоверное определение вероятности безотказной работы (ВБР) изделий по результатам испытаний малых выборок является трудноразрешимой задачей, в особенности – для вновь разрабатываемых ИС. Ещё более сложной задача оказывается при отсутствии отказов в ходе эксперимента. Применительно к возникновению одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) в ИС при воздействии частиц космического пространства (КП) проблема заключается в сочетании высоких уровней заданных флюенсов и требуемых ВБР. Анализ показывает, что даже (гипотетически) детальное воспроизведение характеристик специальных факторов (СФ) в ходе испытаний в общем случае не способно само по себе («автоматически») обеспечить заданную достоверность результата. Обоснованное уменьшение норм испытаний может быть достигнуто за счет использования априорной количественной информации о проявлении ОРЭ в рассматриваемых изделиях в сочетании с модельными представлениями о механизмах ОРЭ. В работе рассмотрен минимаксный подход к определению норм испытаний, в рамках которого априорная информация вводится в форме «жестких» ограничений на значения параметров задачи.
Только метаданные
Limitations of Methods for Evaluating the Hardness of Microelectronic Devices to Single Event Effects on Ion Accelerators
(2022) Chumakov, A. I.; Sogoyan, A. V.; Yanenko, A. V.; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Согоян, Армен Вагоевич; Яненко, Андрей Викторович
© 2022, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of the analysis of limitations on the parameters of ion beams during experimental studies to estimate the sensitivity of a VLSI to the influence of heavy charged particles by single event effects (SEEs) are presented. The restrictions on the ion ranges, the bunch structure of the ion beam, the possibilities of changing the linear energy transfer (LET) by changing the angle of incidence of ions, the type of ions, and the use of energy degraders are substantiated.
Открытый доступ
НОРМЫ ИСПЫТАНИЙ НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ОТДЕЛЬНЫХ ЧАСТИЦ: БАЙЕСОВСКИЙ ПОДХОД
(НИЯУ МИФИ, 2025) Согоян, А. В.; Смолин, А. А.; Уланова, А. В.; Чумаков, А. И.; Яненко, А. В.; Бойченко, Д. В.; Яненко, Андрей Викторович; Согоян, Армен Вагоевич; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Уланова, Анастасия Владиславовна
Ключевым аспектом безопасного функционирования вычислительных систем в условиях воздействия отдельных частиц (ионов, протонов и нейтронов) является обеспечение сбое- и отказоустойчивости их электронных компонентов. Статистически достоверное определение вероятности безотказной работы (ВБР) интегральных схем (ИС) по результатам испытаний на практике сталкивается с рядом принципиальных трудностей. В случае отсутствия наблюдаемых отказов в ходе эксперимента однозначная интерпретация результатов испытаний оказывается невозможна без использования априорной информации об изделии и характере проявления одиночных радиационных эффектов (ОРЭ). Обоснованное уменьшение норм испытаний при сохранении заданной достоверности оценки соответствия может быть достигнуто за счет использования априорной количественной информации о проявлении ОРЭ в изделиях рассматриваемого класса. В работе предложен метод определения норм испытаний, основанный на байесовской методологии. В рамках данного подхода параметры радиационной чувствительности изделий (по ОРЭ) рассматриваются как векторная случайная величина, а априорная плотность распределения этой величины строится на основании имеющихся эмпирических данных. Рассмотрены параметрические и непараметрические способы построения априорного распределения по эмпирической информации. Анализ показывает, что неопределенность расчета нормы практически полностью определяется априорной информацией и способом ее представления, а учет разброса характеристик образцов и погрешностиопределения флюенса частиц приводит к незначительному увеличению нормы испытаний. В рамках предложенного подхода проанализирована достоверность оценки соответствия изделия требованиям на основании априорной информации без проведения испытаний.