Publication:
Nonparametric Statistical Analysis of Radiation Hardness Threshold Variation in CMOS IC Wafer Lots Series with the Aim of Process Monitoring

Дата
2019
Авторы
Moskovskaya, Y. M.
Sogojan, A. V.
Nikiforov, A. Y.
Bogdanov, Y. I.
Bogdanova, N. A.
Fastovets, D. V.
Moskovskaya, Y. M.
Sogoyan, A. V.
Nikiforov, A. Y.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 IEEE.Nonparametric statistical criteria usage has been considered for estimating radiation hardness threshold variation of CMOS IC wafer lots series. It gives one the possibility to assess every newly manufactured IC lot by a small sample size to determine whether test sample and the whole lot statistically belong to the previously tested general reference group of samples or not. The approach allows us to minimize the overirradiation factor and obtain a statistically reliable radiation test result even for small-size test samples.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Nonparametric Statistical Analysis of Radiation Hardness Threshold Variation in CMOS IC Wafer Lots Series with the Aim of Process Monitoring / Moskovskaya, Y.M. [et al.] // 2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics, MIEL 2019 - Proceedings. - 2019. - P. 193-196. - 10.1109/MIEL.2019.8889642
Коллекции