Publication:
TID Impact on SEL Sensitivity in the Case of High Latchup Holding Voltage

Дата
2021
Авторы
Novikov, A. A.
Shvetsov-Shilovskiy, I. I.
Oblova, E. N.
Pechenkin, A. A.
Chumakov, A. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021 IEEE.In an Integrated Circuit with high SEL holding voltage, pulsed-laser radiation sensitivity was found to change due to TID irradiation. The impact of TID on the DUT SEL holding voltage and SEL sensitivity was investigated.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
TID Impact on SEL Sensitivity in the Case of High Latchup Holding Voltage / Novikov, A.A. [et al.] // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM. - 2021. - 2021-September. - P. 371-373. - 10.1109/MIEL52794.2021.9569140
URI
https://www.doi.org/10.1109/MIEL52794.2021.9569140
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85118426914&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/24922
Коллекции
Публикации