Publication:
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ СТЕНДА «СОЧИ» ДЛЯ ПОДТВЕРЖДЕНИЯ НЕИЗМЕННОСТИ КРИСТАЛЛА МИКРОСХЕМ

Дата
2025
Авторы
Бобровский, Д. В.
Швецов-Шиловский, И. И.
Соловьев, С. А.
Чумаков, А. И.
Сыресин, Е. М.
Сливин, А. А.
Филатов, Г. А.
Journal Title
Безопасность информационных технологий
Journal ISSN
Volume Title
Безопасность Информационных Технологий
Издатель
НИЯУ МИФИ
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Выпуск журнала
Аннотация
В работе проводится анализ возможной области применения стенда «СОЧИ» на базе линейного ускорителя тяжелых ионов (ЛУТИ) для целей контроля неизменности топологии кристалла в целях обеспечения доверенности ЭКБ. Одна из характеристик интегральной схемы (ИС), определяющаяся топологией и проектными нормами – чувствительность к воздействию тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) по тиристорному эффекту и сбоям. Показано, что даже незначительные и не всегда заметные изменения топологии интегральной схемы могут приводить к резким изменениям параметров чувствительности по тиристорным эффектам (ТЭ), тогда как по одиночным сбоям изменения имеют место при изменении проектных норм и библиотечных элементов. Импульсный характер пучка на стенде «СОЧИ» не позволяют проводить испытания только очень чувствительных ЭКБ к воздействию ТЗЧ по тиристорному эффекту в количественном выражении (определение сечения эффекта), однако даже в этом случае возможно определять пороговое значение линейных потерь энергии возникновения ТЭ. Во всех других случаях параметры чувствительности ИС по одиночным радиационным эффектам могут быть определены.
Описание
Ключевые слова
Параметры чувствительности , Доверенность , Нуклотрон NICA , Одиночные радиационные эффекты , Импульсные пучки ионов , Безопасность информационных систем
Цитирование
Бобровский, Дмитрий В. и др. Использование стенда «СОЧИ» для подтверждения неизменности кристалла микросхем. Безопасность информационных технологий, [S.l.], т. 32, № 1, с. 46–53, 2025. ISSN 2074-7136. URL: https://bit.spels.ru/index.php/bit/article/view/174. DOI: http://dx.doi.org/10.26583/bit.2025.1.02
Коллекции