Персона:
Васильевский, Иван Сергеевич

Научные группы

Научная группа

Организационные подразделения

Организационная единица

Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике

Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.

Фамилия

Васильевский

Имя

Иван Сергеевич

Полная страница элемента

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 10 из 21

Открытый доступ
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР С РАЗЛИЧНЫМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs В АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И InP
(НИЯУ МИФИ, 2011) Галиев, Г. Б.; Васильевский, И. С.; Климов, Е. А.; Пушкарев, С. С.; Рубан, О. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
Открытый доступ
ПОИСК ОПТИМАЛЬНОЙ КОНСТРУКЦИИ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА ДЛЯ МНЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР In0.68Al0.32As/In0.72Ga0.28As/GaAs
(НИЯУ МИФИ, 2012) Галиев, Г. Б.; Пушкарёв, С. С.; Васильевский, И. С.; Кванин, А. Л.; Климов, Е. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
В настоящее время обнаруживается тенденция вытеснения НЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP, являющихся базой для СВЧ электроники микроволнового диапазона, метаморфными НЕМТ (МНЕМТ) наногетероструктурами. Причина заключается в открывающейся возможности использовать более надёжные и дешёвые подложки GaAs вместо InP и выбирать нужный состав активной области. Эпитаксиально выращенные МНЕМТ наногетероструктуры характеризуются двумя важными параметрами. Первый параметр – плотность дислокаций, прорастающих в активные слои и на поверхность, – во многом определяет подвижность электронов. Второй параметр – шероховатость поверхности, имеющей характерный для метаморфных структур поперечнополосатый рельеф, эта величина влияет на успешное создание наноразмерных топологий при изготовлении МИС.
Открытый доступ
ДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ НАСЫЩЕНИЯ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С СОСТАВНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ In0,53Ga0,47As/InAs/In0,53Ga0,47As/InAs
(НИЯУ МИФИ, 2012) Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Васильев, А. Л.; Субботин, И. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
Одним из преимуществ использования гетеросистем InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP является возможность получения более высокой дрейфовой скорости Vдр насыщения электронов в квантовой яме (КЯ) InGaAs по сравнению с другими арсенидными гетеросистемами. В сильных электростатических полях Е~105 В/см, энергия электронов становится сравнимой с энергией полярных оптических фононов, что приводит к дополнительной фононной эмиссии и возрастанию темпа рассеяния “горячих” электронов.
Открытый доступ
ПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ
(НИЯУ МИФИ, 2012) Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Боков, П. Ю.; Васильевский, Иван Сергеевич
Исследование квантовых ям (КЯ), близких к поверхности, в гетероструктурах AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs является актуальной задачей для создания более совершенных транзисторных гетероструктур. При приближении КЯ к поверхности гетероструктуры, с одной стороны, возрастает модуляция потенциала КЯ затворным напряжением, что приводит к увеличению частоты. С другой стороны, при уменьшении толщины барьерного слоя AlxGa1-xAs возрастает влияние поверхностного потенциала, что приводит к изменению зонного профиля в гетероструктуре.
Открытый доступ
ТЕХНОЛОГИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСЛОЕВ InAs И GaAs В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InAlAs/InGaAs
(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильев, А. В.; Пресняков, М. Ю.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
Слоевой дизайн гетероструктур для СВЧ электроники непрерывно совершенствуется для увеличения дрейфовой скорости насыщения электронов, снижения рассеяния, увеличения поля насыщения. Одним из интересных решений является переход к составным квантовым ямам, содержащим несколько монослоев (МС) чистого InAs. Такое решение позволяет уменьшить эффективную массу электронов в КЯ с одной или двумя вставками InAs. В то же время, этот путь требует оптимизации технологии формирования напряженных наноразмерных слоев. В представленной работе приведены данные исследования образцов гетероструктур с различной конструкцией активной области, с одной и двумя симметрично расположенными вставками InAs методами высокоразрешающей просвечивающей растровой электронной микроскопии (ВР ПРЭМ).
Открытый доступ
ПОДВИЖНОСТЬ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs С НАНОВСТАВКАМИ InAs
(НИЯУ МИФИ, 2011) Васильевский, И. С.; Пономарев, Д. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Юзеева, Н. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
Открытый доступ
АКТИВАЦИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs
(НИЯУ МИФИ, 2019) Гудина, С. В.; Арапов, Ю. Г.; Дерюшкина, Ю. В.; Неверов, В. Н.; Савельев, А. П.; Подгорных, С. М.; Шелушинина, Н. Г.; Якунин, М. В.; Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич
The longitudinal ρxx and Hall ρxy resistances in magnetic fields up to 12 T and temperature from 0.3 to 35 K in the n-InyGa1-yAs/InxAl1-xAs structures with high InAs content are measured. Indications pointing out the significant role of spin-orbit interaction for the values of the charge carrier parameters and in localization – delocalization processes are obtained.
Открытый доступ
РАЗРАБОТКА Р-НЕМТ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ ДЛЯ ПРИБОРОВ KA И V ДИАПАЗОНОВ
(НИЯУ МИФИ, 2011) Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
Открытый доступ
ИЗМЕРЕНИЕ МОЛЬНОЙ ДОЛИ АЛЮМИНИЯ В ТРОЙНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ AlxGa1-xAs МЕТОДОМ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИИ ВТОРИЧНЫХ ИОНОВ
(НИЯУ МИФИ, 2012) Сарайкин, В. В.; Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Щербачев, К. Д.; Васильевский, Иван Сергеевич
В квантовых ямах Р-НЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs гетероструктур с высокой подвижностью электронов структур, применяемых для создания приборов СВЧ электроники, слои AlxGa1-xAs являются и барьерными для квантовой ямы InyGa1-yAs, и одновременнодонорыми. Увеличение мольной доли х приводит к увеличению высоты потенциального барьера квантовой ямы и снижает утечки затвора. С другой стороны, при содержании Al x>24% DX-центры SiAlGaAs захватывают электроны, что ухудшает параметры транзистора - возникают паразитные гистерезис ВАХ, термо- и светочувствительность. При подгонке токов транзисторов верхний контактный слой n+GaAs(Si) стравливается в затворном заглублении, а слой AlxGa1-xAs обеспечивает селективность травления при x = 22-24%. Поэтому важнейшей задачей технологии Р-НЕМТ гетероструктур является метод контроля технологии и состава слоев AlxGa1-xAs. Масс-спектрометрия вторичных ионов (ВИМС) является одним из наиболее информативных аналитических методов для анализа гетероструктур из-за возможности измерения сложного профиля распределения состава по глубине.
Открытый доступ
ТЕХНОЛОГИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ВАРИЗОННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
(НИЯУ МИФИ, 2012) Виниченко, А. Н.; Васильевский, И. С.; Грехов, М. М.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил Николаевич
Дизайн гетероструктур А3В5 имеет достаточно много степеней свободы. Не только толщина и состав слоев, способ легирования, но и изменение профиля состава может обеспечить изменение зонной структуры и условий рассеяния носителей тока, улучшить параметры транзисторов. Использование варизонных слоев в РНЕМТ AlxGa1-xAs/ InyGa1-yAs структурах еще не освоено. Известно, что в транзисторных гетероструктурах сильное легирование и большая концентрация электронов в КЯ приводят к возникновению заметной асимметрии дна КЯ. Это отрицательно сказывается на подвижности двумерных электронов, так как, во-первых, эффективная ширина КЯ снижается, вследствие чего энергетический зазор между подзонами уменьшается, во-вторых, центроид двумерных электронов располагается ближе к ионизированным донорам. Варизонные слои InyGa1-yAs с неоднородным профилем состава y(z) обеспечивают дополнительный вклад в энергетические профили зон 'Еg(z) и 'ЕC(z), что может компенсировать электростатический вклад в формирование зонной диаграммы структур. Кроме того, неоднородное распределение InAs в РНЕМТ может расширить ограничения на псевдоморфный рост канала, а также снизить ударную ионизацию, по сравнении с однородной КЯ с высоким содержанием InAs. Цель работы состояла в реализации технологии варизонных РНЕМТ гетероструктур.