Publication: ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР С РАЗЛИЧНЫМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs В АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И InP
Дата
2011
Авторы
Галиев, Г. Б.
Васильевский, И. С.
Климов, Е. А.
Пушкарев, С. С.
Рубан, О. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Описание
На сегодняшний день псевдоморфные НЕМТ гетероструктуры с квантовой ямой (КЯ) In0.52Al0.48As/In0.70Ga0.30As, выращенные на подложке InP, позволяют изготовить СВЧ транзисторы с рекордной частотой отсечки fT до 681 ГГц [1]. Альтернативой структурам такого типа являются структуры с метаморфным буфером (ММБ), выращенные на подложках GaAs с содержанием InAs в КЯ от 52% и выше. В настоящей работе представлены результаты исследования выращенных методом МЛЭ метаморфных НЕМТ наногетероструктур c δлегированными кремнием КЯ InxAl1–xAs/InyGa1–yAs толщиной 160–200 Å.