Publication: ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР С РАЗЛИЧНЫМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs В АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И InP
| dc.contributor.author | Галиев, Г. Б. | |
| dc.contributor.author | Васильевский, И. С. | |
| dc.contributor.author | Климов, Е. А. | |
| dc.contributor.author | Пушкарев, С. С. | |
| dc.contributor.author | Рубан, О. А. | |
| dc.contributor.author | Васильевский, Иван Сергеевич | |
| dc.date.accessioned | 2024-03-01T11:08:40Z | |
| dc.date.available | 2024-03-01T11:08:40Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.description | На сегодняшний день псевдоморфные НЕМТ гетероструктуры с квантовой ямой (КЯ) In0.52Al0.48As/In0.70Ga0.30As, выращенные на подложке InP, позволяют изготовить СВЧ транзисторы с рекордной частотой отсечки fT до 681 ГГц [1]. Альтернативой структурам такого типа являются структуры с метаморфным буфером (ММБ), выращенные на подложках GaAs с содержанием InAs в КЯ от 52% и выше. В настоящей работе представлены результаты исследования выращенных методом МЛЭ метаморфных НЕМТ наногетероструктур c δлегированными кремнием КЯ InxAl1–xAs/InyGa1–yAs толщиной 160–200 Å. | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10072 | |
| dc.publisher | НИЯУ МИФИ | |
| dc.title | ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР С РАЗЛИЧНЫМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs В АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И InP | |
| dc.type | тезисы | |
| dspace.entity.type | Publication | |
| relation.isAuthorOfPublication | 8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9 | |
| relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery | 8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9 |