Publication: ТЕХНОЛОГИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСЛОЕВ InAs И GaAs В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InAlAs/InGaAs
Дата
2012
Авторы
Васильев, А. В.
Пресняков, М. Ю.
Васильевский, И. С.
Галиев, Г. Б.
Климов, Е. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Слоевой дизайн гетероструктур для СВЧ электроники непрерывно совершенствуется для увеличения дрейфовой скорости насыщения электронов, снижения рассеяния, увеличения поля насыщения. Одним из интересных решений является переход к составным квантовым ямам, содержащим несколько монослоев (МС) чистого InAs. Такое решение позволяет уменьшить эффективную массу электронов в КЯ с одной или двумя вставками InAs. В то же время, этот путь требует оптимизации технологии формирования напряженных наноразмерных слоев. В представленной работе приведены данные исследования образцов гетероструктур с различной конструкцией активной области, с одной и двумя симметрично расположенными вставками InAs методами высокоразрешающей просвечивающей растровой электронной микроскопии (ВР ПРЭМ).
Описание
Ключевые слова
Цитирование
ТЕХНОЛОГИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСЛОЕВ InAs И GaAs В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InAlAs/InGaAs/ А.Л. Васильев, М.Ю.Пресняков, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Климов Е.А. //Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2012 г.: тезисы докладов. М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – с. 14-15.