Publication: ПОДВИЖНОСТЬ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs С НАНОВСТАВКАМИ InAs
Дата
2011
Авторы
Васильевский, И. С.
Пономарев, Д. С.
Галиев, Г. Б.
Климов, Е. А.
Кульбачинский, В. А.
Юзеева, Н. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Описание
В настоящей работе проведено исследование влияния введения наноразмерных вставок InAs (1,2 нм) в канал InGaAs на концентрацию и подвижность двумерных электронов в СКЯ. Предложен подход к увеличению электронной подвижности за счет уменьшения эффективной массы электронов m* в СКЯ, сочетающий в себе инженерию волновых функций электронов и зонной структуры образцов. Введение двух вставок InAs, смещенных от центра КЯ, приводит к уменьшению m* и предотвращает "сужение" эффективной ширины КЯ, в отличие от одной вставки. Исследуемые наногетероструктуры были выращены методом молекулярнолучевой эпитаксии на InP (100) и имели одностороннее дельталегирование кремнием. Образцы с СКЯ на основе InGaAs отличались составом активного слоя: одиночная КЯ без вставок; 2 вставки InAs; 2 пристенка GaAs; комбинация 2 вставок InAs и 2 пристенков GaAs. Пристенки GaAs специально вводились для снижения частоты интерфейсных фононов на гетерогранице InAlAs/InGaAs и оценки влияния на электронные транспортные свойства. При этом ширина СКЯ не изменялась и составляла 16 нм. В структурах были теоретически рассчитаны значения m* путем усреднения по профилю волновой функции основного состояния.