ПОДВИЖНОСТЬ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs С НАНОВСТАВКАМИ InAs

Васильевский, И. С.; Пономарев, Д. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Юзеева, Н. А.; Васильевский, Иван Сергеевич

Publication:
ПОДВИЖНОСТЬ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs С НАНОВСТАВКАМИ InAs

dc.contributor.author	Васильевский, И. С.
dc.contributor.author	Пономарев, Д. С.
dc.contributor.author	Галиев, Г. Б.
dc.contributor.author	Климов, Е. А.
dc.contributor.author	Кульбачинский, В. А.
dc.contributor.author	Юзеева, Н. А.
dc.contributor.author	Васильевский, Иван Сергеевич
dc.date.accessioned	2024-03-01T10:45:50Z
dc.date.available	2024-03-01T10:45:50Z
dc.date.issued	2011
dc.description	В настоящей работе проведено исследование влияния введения наноразмерных вставок InAs (1,2 нм) в канал InGaAs на концентрацию и подвижность двумерных электронов в СКЯ. Предложен подход к увеличению электронной подвижности за счет уменьшения эффективной массы электронов m* в СКЯ, сочетающий в себе инженерию волновых функций электронов и зонной структуры образцов. Введение двух вставок InAs, смещенных от центра КЯ, приводит к уменьшению m* и предотвращает "сужение" эффективной ширины КЯ, в отличие от одной вставки. Исследуемые наногетероструктуры были выращены методом молекулярнолучевой эпитаксии на InP (100) и имели одностороннее дельталегирование кремнием. Образцы с СКЯ на основе InGaAs отличались составом активного слоя: одиночная КЯ без вставок; 2 вставки InAs; 2 пристенка GaAs; комбинация 2 вставок InAs и 2 пристенков GaAs. Пристенки GaAs специально вводились для снижения частоты интерфейсных фононов на гетерогранице InAlAs/InGaAs и оценки влияния на электронные транспортные свойства. При этом ширина СКЯ не изменялась и составляла 16 нм. В структурах были теоретически рассчитаны значения m* путем усреднения по профилю волновой функции основного состояния.
dc.identifier.uri	https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10070
dc.publisher	НИЯУ МИФИ
dc.title	ПОДВИЖНОСТЬ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs С НАНОВСТАВКАМИ InAs
dc.type	тезисы
dspace.entity.type	Publication
relation.isAuthorOfPublication	8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery	8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9