Publication: ПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ
Дата
2012
Авторы
Хабибуллин, Р. А.
Васильевский, И. С.
Галиев, Г. Б.
Климов, Е. А.
Кульбачинский, В. А.
Боков, П. Ю.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Исследование квантовых ям (КЯ), близких к поверхности, в гетероструктурах AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs является актуальной задачей для создания более совершенных транзисторных гетероструктур. При приближении КЯ к поверхности гетероструктуры, с одной стороны, возрастает модуляция потенциала КЯ затворным напряжением, что приводит к увеличению частоты. С другой стороны, при уменьшении толщины барьерного слоя AlxGa1-xAs возрастает влияние поверхностного потенциала, что приводит к изменению зонного профиля в гетероструктуре.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Боков П. Ю. и др. ПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ//Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2012 г.: тезисы докладов. М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – с. 16-17.