Publication: ПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ
| dc.contributor.author | Хабибуллин, Р. А. | |
| dc.contributor.author | Васильевский, И. С. | |
| dc.contributor.author | Галиев, Г. Б. | |
| dc.contributor.author | Климов, Е. А. | |
| dc.contributor.author | Кульбачинский, В. А. | |
| dc.contributor.author | Боков, П. Ю. | |
| dc.contributor.author | Васильевский, Иван Сергеевич | |
| dc.date.accessioned | 2024-04-25T13:48:26Z | |
| dc.date.available | 2024-04-25T13:48:26Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description.abstract | Исследование квантовых ям (КЯ), близких к поверхности, в гетероструктурах AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs является актуальной задачей для создания более совершенных транзисторных гетероструктур. При приближении КЯ к поверхности гетероструктуры, с одной стороны, возрастает модуляция потенциала КЯ затворным напряжением, что приводит к увеличению частоты. С другой стороны, при уменьшении толщины барьерного слоя AlxGa1-xAs возрастает влияние поверхностного потенциала, что приводит к изменению зонного профиля в гетероструктуре. | |
| dc.identifier.citation | Боков П. Ю. и др. ПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ//Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2012 г.: тезисы докладов. М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – с. 16-17. | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10186 | |
| dc.publisher | НИЯУ МИФИ | |
| dc.title | ПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ | |
| dc.type | тезисы | |
| dspace.entity.type | Publication | |
| relation.isAuthorOfPublication | 8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9 | |
| relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery | 8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9 |