Publication: АКТИВАЦИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs
Дата
2019
Авторы
Гудина, С. В.
Арапов, Ю. Г.
Дерюшкина, Ю. В.
Неверов, В. Н.
Савельев, А. П.
Подгорных, С. М.
Шелушинина, Н. Г.
Якунин, М. В.
Васильевский, И. С.
Виниченко, А. Н.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
The longitudinal ρxx and Hall ρxy resistances in magnetic fields up to
12 T and temperature from 0.3 to 35 K in the n-InyGa1-yAs/InxAl1-xAs structures with high InAs content are measured. Indications pointing out the significant role of spin-orbit interaction for the values of the charge carrier parameters and in localization – delocalization processes are obtained.