Publication: АКТИВАЦИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs
| dc.contributor.author | Гудина, С. В. | |
| dc.contributor.author | Арапов, Ю. Г. | |
| dc.contributor.author | Дерюшкина, Ю. В. | |
| dc.contributor.author | Неверов, В. Н. | |
| dc.contributor.author | Савельев, А. П. | |
| dc.contributor.author | Подгорных, С. М. | |
| dc.contributor.author | Шелушинина, Н. Г. | |
| dc.contributor.author | Якунин, М. В. | |
| dc.contributor.author | Васильевский, И. С. | |
| dc.contributor.author | Виниченко, А. Н. | |
| dc.contributor.author | Васильевский, Иван Сергеевич | |
| dc.date.accessioned | 2023-09-08T12:52:59Z | |
| dc.date.available | 2023-09-08T12:52:59Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.description.abstract | The longitudinal ρxx and Hall ρxy resistances in magnetic fields up to 12 T and temperature from 0.3 to 35 K in the n-InyGa1-yAs/InxAl1-xAs structures with high InAs content are measured. Indications pointing out the significant role of spin-orbit interaction for the values of the charge carrier parameters and in localization – delocalization processes are obtained. | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/214 | |
| dc.publisher | НИЯУ МИФИ | |
| dc.title | АКТИВАЦИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs | |
| dc.title.alternative | ACTIVATED CONDUCTIVITY IN THE QUANTUM HALL REGIME IN THE InGaAs/InAlAs QUANTUM WELLS WITH HIGH InAs CONTENT | |
| dc.type | Конференционные материалы | |
| dspace.entity.type | Publication | |
| relation.isAuthorOfPublication | 8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9 | |
| relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery | 8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9 |