Publication: РАЗРАБОТКА Р-НЕМТ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ ДЛЯ ПРИБОРОВ KA И V ДИАПАЗОНОВ
Дата
2011
Авторы
Васильевский, И. С.
Галиев, Г. Б.
Климов, Е. А.
Пономарев, Д. С.
Хабибуллин, Р. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Описание
В поиске новых базовых материалов для твердотельной СВЧ электроники на все более высокие частотные диапазоны наиболее быстрым и экономически выгодным путем является максимальная адаптация возможностей существующих материалов и технологий с хорошо разработанным процессингом. Такой устоявшейся технологией сейчас является РНЕМТ гетероструктурная технология. При переходе от традиционных диапазонов ее использования (от Х- до Ка-, т.е. до ~ 37 ГГц), к более высоким частотам, используют уменьшение длины затвора и скейлинг топологии транзистора. При продуманном скейлинге необходимо также изменение конструкции и самой гетероструктуры: уменьшение толщины подзатворного широкозонного барьера и ширины КЯ. Это приводит к концентрации электрического поля затвора и увеличению частоты работы прибора. Недостатком такого скейлинга является сильное увеличение встроенного электрического поля, что приводит к обеднению квантовой ямы. При таком подходе необходимо решить две проблемы – получение достаточной концентрации электронов в КЯ и уменьшение тока утечки затвора. Вторая проблема может быть решена при использовании барьера с увеличенной высотой за счет увеличения мольной доли Al до 0,3−0,35 или с использованием тонких подзатворных окислов в транзисторах типа MOSHEMT [1]. Для решения первой проблемы в данной работе проведено моделирование зонной структуры, выращены методом молекулярнолучевой эпитаксии образцы и исследованы подвижности и концентрации электронов в гетероструктурах с различной толщиной широкозонного барьера Lb.