РАЗРАБОТКА Р-НЕМТ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ ДЛЯ ПРИБОРОВ KA И V ДИАПАЗОНОВ

Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, Иван Сергеевич

Publication:
РАЗРАБОТКА Р-НЕМТ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ ДЛЯ ПРИБОРОВ KA И V ДИАПАЗОНОВ

dc.contributor.author	Васильевский, И. С.
dc.contributor.author	Галиев, Г. Б.
dc.contributor.author	Климов, Е. А.
dc.contributor.author	Пономарев, Д. С.
dc.contributor.author	Хабибуллин, Р. А.
dc.contributor.author	Васильевский, Иван Сергеевич
dc.date.accessioned	2024-03-01T10:54:34Z
dc.date.available	2024-03-01T10:54:34Z
dc.date.issued	2011
dc.description	В поиске новых базовых материалов для твердотельной СВЧ электроники на все более высокие частотные диапазоны наиболее быстрым и экономически выгодным путем является максимальная адаптация возможностей существующих материалов и технологий с хорошо разработанным процессингом. Такой устоявшейся технологией сейчас является РНЕМТ гетероструктурная технология. При переходе от традиционных диапазонов ее использования (от Х- до Ка-, т.е. до ~ 37 ГГц), к более высоким частотам, используют уменьшение длины затвора и скейлинг топологии транзистора. При продуманном скейлинге необходимо также изменение конструкции и самой гетероструктуры: уменьшение толщины подзатворного широкозонного барьера и ширины КЯ. Это приводит к концентрации электрического поля затвора и увеличению частоты работы прибора. Недостатком такого скейлинга является сильное увеличение встроенного электрического поля, что приводит к обеднению квантовой ямы. При таком подходе необходимо решить две проблемы – получение достаточной концентрации электронов в КЯ и уменьшение тока утечки затвора. Вторая проблема может быть решена при использовании барьера с увеличенной высотой за счет увеличения мольной доли Al до 0,3−0,35 или с использованием тонких подзатворных окислов в транзисторах типа MOSHEMT [1]. Для решения первой проблемы в данной работе проведено моделирование зонной структуры, выращены методом молекулярнолучевой эпитаксии образцы и исследованы подвижности и концентрации электронов в гетероструктурах с различной толщиной широкозонного барьера Lb.
dc.identifier.uri	https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10071
dc.publisher	НИЯУ МИФИ
dc.title	РАЗРАБОТКА Р-НЕМТ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ ДЛЯ ПРИБОРОВ KA И V ДИАПАЗОНОВ
dc.type	тезисы
dspace.entity.type	Publication
relation.isAuthorOfPublication	8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery	8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9