Мокеровские чтения
Постоянный URI для этого раздела
Фонд имени члена-корреспондента РАН профессора Мокерова В.Г.
В коллекции представлены полнотекстовые сборники конференций (01_Мокеровские чтения: тезисы докладов), а также полнотекстовые публикации авторов НИЯУ МИФИ.Обзор
Просмотр Мокеровские чтения по Название
Теперь показываю 1 - 20 из 41
Количество результатов на страницу
Sort Options
- ПубликацияОткрытый доступ
- ЭлементОткрытый доступ01_Мокеровские чтения: сборник трудов(НИЯУ МИФИ, 2019)
- ЭлементОткрытый доступ01_Мокеровские чтения: тезисы докладов(НИЯУ МИФИ, 2011)
- ЭлементОткрытый доступ01_Мокеровские чтения: тезисы докладов(НИЯУ МИФИ, 2012)
- ПубликацияОткрытый доступАКТИВАЦИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs(НИЯУ МИФИ, 2019) Гудина, С. В.; Арапов, Ю. Г.; Дерюшкина, Ю. В.; Неверов, В. Н.; Савельев, А. П.; Подгорных, С. М.; Шелушинина, Н. Г.; Якунин, М. В.; Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Васильевский, Иван СергеевичThe longitudinal ρxx and Hall ρxy resistances in magnetic fields up to 12 T and temperature from 0.3 to 35 K in the n-InyGa1-yAs/InxAl1-xAs structures with high InAs content are measured. Indications pointing out the significant role of spin-orbit interaction for the values of the charge carrier parameters and in localization – delocalization processes are obtained.
- ПубликацияОткрытый доступВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НЕЙТРОНАМИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ НА СИСТЕМЕ AlGaN/GaN(НИЯУ МИФИ, 2011) Громов, Д. В.; Кузнецов, А. Л.; Матвеев, Ю. А.; Павлов, А. Ю.
- ПубликацияОткрытый доступВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ НА ЭЛЕМЕНТЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ(НИЯУ МИФИ, 2011) Громов, Д. В.; Елесин, В. В.; Бобринецкий, И. В.; Неволин, В. К.
- ПубликацияОткрытый доступВЛИЯНИЕ СПЕЙСЕРНЫХ СЛОЁВ НА СТАТИЧЕСКИЕ И ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА(НИЯУ МИФИ, 2011) Ремнев, М. А.; Елесин, В. Ф.; Катеев, И. Ю.
- ПубликацияОткрытый доступВЛИЯНИЕ СТРЕССА НАПРЯЖЕНИЕМ ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ И ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МДП-СТРУКТУРЫ Pt/HfO2/Si(НИЯУ МИФИ, 2011) Матвеев, Ю. А.; Зенкевич, А. В.; Лебединский, Ю. Ю.; Thiess, S.; Drube, W.
- ПубликацияОткрытый доступВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СПИНОВЫЕ ИНЖЕКТОРЫ НА ОСНОВЕ МОНООКСИДА ЕВРОПИЯ(НИЯУ МИФИ, 2012) Бамбуров, В. Г.; Каргин, Н. И.Ферромагнитные полупроводники, как функциональные материалы для электроники, продолжают привлекать исследователей и конструкторов своими уникальными возможностями для организации и преобразования энергетических потоков. При этом ожидаемый скачек в развитии элементной базы микроэлектроники связывается в настоящее время с освоением нанотехнологий и размерами активных областей электронных структур, сравнимыми с длиной свободного пробега электрона (менее 100 нм). Как известно, в современной вычислительной технике реализуется идея «один электрон – один бит информации», что является последней ступенью развития элементов памяти для цифровых схем. Дальнейшее развитие этой идеи предполагает спиновая электроника, в которой элементарным носителем информации становится спин электрона, а кодирование информации сводится к закреплению пространственной ориентации спина носителя тока относительно внешнего магнитного поля. При миниатюризации электронных схем в этом случае мы также сможем достигнуть реального повышения плотности записи информации логических систем.
- ПубликацияОткрытый доступГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С КОМБИНИРОВАННО-ЛЕГИРОВАННЫМ КАНАЛОМ И ВЫСОКОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ В КВАНТОВОЙ ЯМЕ AlGaAs/InGaAs/AlGaAs И ЭКСПЕРИМЕНТ(НИЯУ МИФИ, 2011) Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Васильевский, Иван Сергеевич; Хабибуллин, Рустам Анварович
- ПубликацияОткрытый доступДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ НАСЫЩЕНИЯ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С СОСТАВНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ In0,53Ga0,47As/InAs/In0,53Ga0,47As/InAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Васильев, А. Л.; Субботин, И. А.; Васильевский, Иван СергеевичОдним из преимуществ использования гетеросистем InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP является возможность получения более высокой дрейфовой скорости Vдр насыщения электронов в квантовой яме (КЯ) InGaAs по сравнению с другими арсенидными гетеросистемами. В сильных электростатических полях Е~105 В/см, энергия электронов становится сравнимой с энергией полярных оптических фононов, что приводит к дополнительной фононной эмиссии и возрастанию темпа рассеяния “горячих” электронов.
- ПубликацияОткрытый доступИЗМЕРЕНИЕ МОЛЬНОЙ ДОЛИ АЛЮМИНИЯ В ТРОЙНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ AlxGa1-xAs МЕТОДОМ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИИ ВТОРИЧНЫХ ИОНОВ(НИЯУ МИФИ, 2012) Сарайкин, В. В.; Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Щербачев, К. Д.; Васильевский, Иван СергеевичВ квантовых ямах Р-НЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs гетероструктур с высокой подвижностью электронов структур, применяемых для создания приборов СВЧ электроники, слои AlxGa1-xAs являются и барьерными для квантовой ямы InyGa1-yAs, и одновременнодонорыми. Увеличение мольной доли х приводит к увеличению высоты потенциального барьера квантовой ямы и снижает утечки затвора. С другой стороны, при содержании Al x>24% DX-центры SiAlGaAs захватывают электроны, что ухудшает параметры транзистора - возникают паразитные гистерезис ВАХ, термо- и светочувствительность. При подгонке токов транзисторов верхний контактный слой n+GaAs(Si) стравливается в затворном заглублении, а слой AlxGa1-xAs обеспечивает селективность травления при x = 22-24%. Поэтому важнейшей задачей технологии Р-НЕМТ гетероструктур является метод контроля технологии и состава слоев AlxGa1-xAs. Масс-спектрометрия вторичных ионов (ВИМС) является одним из наиболее информативных аналитических методов для анализа гетероструктур из-за возможности измерения сложного профиля распределения состава по глубине.
- ПубликацияОткрытый доступИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР С РАЗЛИЧНЫМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs В АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И InP(НИЯУ МИФИ, 2011) Галиев, Г. Б.; Васильевский, И. С.; Климов, Е. А.; Пушкарев, С. С.; Рубан, О. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
- ПубликацияОткрытый доступИССЛЕДОВАНИЕ ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaN В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНОГО СЛОЯ(НИЯУ МИФИ, 2012) Макаров, А. А.; Свешников, Ю. Н.; Цыпленков, И. Н.В настоящее время заметно возрос интерес к мощным и малошумящим СВЧ-транзисторам на основе GaN. Благодаря своим параметрам, таким как большая ширина запрещенной зоны, высокая концентрация носителей заряда в области двумерного электронного газа, относительно высокая подвижность электронов, данный материал позволяет создавать на его основе транзисторы высокой удельной мощностью, за счет высокой плотности тока в сечении канала и высокого коэффициента усиления сигнала. Однако для увеличения плотности выходной мощности СВЧ-транзисторов на основе нитридов требуется более глубокое понимание роли легирования донорного слоя и конструкции гетероструктур.
- ПубликацияОткрытый доступМЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ PHEMT НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Галиев, Г. Б.; Грехов, М. М.; Щербачев, К. Д.; Сарайкин, В. Д.; Лаврухин, Д. В.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Каргин, Николай Иванович; Щербачев, Олег ВячеславовичРНЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs гетероструктуры являются одним из самых широко используемых базовых материалов в СВЧ электронике для создания транзисторов и монолитных интегральных схем (МИС). Данные структуры содержат большое число слоев, как основных, так и вспомогательных, из твердых растворов AlxGa1-xAs и InyGa1-yAs. Для получения требуемой зонной структуры и характеристик образцов необходимо жестко контролировать состав и толщину данных слоев. Цель работы состояла в реализации технологии РНЕМТ гетероструктур с использованием методов нанометрологии, обеспечивающими точность и воспроизводимость технологических параметров не хуже 95%. Для роста на установке МЛЭ Riber Compact 21T использовались импортные ОСЧ металлы производства Azelis Electronics. Предельный вакуум в камере роста при замороженных криопанелях и с перекрытым потоком As4 составлял до 1-2х10-11 Торр. Одним из важных факторов получения стабильной и воспроизводимой скорости роста, состава и толщины слоев РНЕМТ гетероструктур являлось получение долговременной стабильности потоков и учет быстрых переходных процессов при открытии заслонок.
- ЭлементОткрытый доступМокеровские чтения: сборник трудов(НИЯУ МИФИ, 2015)
- ЭлементОткрытый доступМокеровские чтения: сборник трудов(НИЯУ МИФИ, 2016)
- ЭлементОткрытый доступМокеровские чтения: сборник трудов(НИЯУ МИФИ, 2017)
- ЭлементОткрытый доступМокеровские чтения: сборник трудов(НИЯУ МИФИ, 2017)
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »