Мокеровские чтения
Постоянный URI для этого раздела
Фонд имени члена-корреспондента РАН профессора Мокерова В.Г.
В коллекции представлены полнотекстовые сборники конференций (01_Мокеровские чтения: тезисы докладов), а также полнотекстовые публикации авторов НИЯУ МИФИ.Обзор
Просмотр Мокеровские чтения по Issue Date
Теперь показываю 1 - 20 из 41
Количество результатов на страницу
Sort Options
- ПубликацияОткрытый доступИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР С РАЗЛИЧНЫМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs В АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И InP(НИЯУ МИФИ, 2011) Галиев, Г. Б.; Васильевский, И. С.; Климов, Е. А.; Пушкарев, С. С.; Рубан, О. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
- ПубликацияОткрытый доступВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НЕЙТРОНАМИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ НА СИСТЕМЕ AlGaN/GaN(НИЯУ МИФИ, 2011) Громов, Д. В.; Кузнецов, А. Л.; Матвеев, Ю. А.; Павлов, А. Ю.
- ПубликацияОткрытый доступВЛИЯНИЕ СТРЕССА НАПРЯЖЕНИЕМ ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ И ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МДП-СТРУКТУРЫ Pt/HfO2/Si(НИЯУ МИФИ, 2011) Матвеев, Ю. А.; Зенкевич, А. В.; Лебединский, Ю. Ю.; Thiess, S.; Drube, W.
- ЭлементОткрытый доступ01_Мокеровские чтения: тезисы докладов(НИЯУ МИФИ, 2011)
- ПубликацияОткрытый доступТЕОРИЯ НЕСТАЦИОНАРНЫХ ПРОЦЕССОВ В РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОМ ДИОДЕ(НИЯУ МИФИ, 2011) Елесин, В. Ф.; Сукочев, А. Ю.; Катеев, И. Ю.; Ремнев, М. А.
- ПубликацияОткрытый доступВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ НА ЭЛЕМЕНТЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ(НИЯУ МИФИ, 2011) Громов, Д. В.; Елесин, В. В.; Бобринецкий, И. В.; Неволин, В. К.
- ПубликацияОткрытый доступСТРУКТУРНЫЕ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА СВЕРХТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ BaTiO3(НИЯУ МИФИ, 2011) Миннекаев, М. Н.; Зенкевич, А. В.; Булох, К. В.; Чуприк, А. А.
- ПубликацияОткрытый доступГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С КОМБИНИРОВАННО-ЛЕГИРОВАННЫМ КАНАЛОМ И ВЫСОКОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ В КВАНТОВОЙ ЯМЕ AlGaAs/InGaAs/AlGaAs И ЭКСПЕРИМЕНТ(НИЯУ МИФИ, 2011) Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Васильевский, Иван Сергеевич; Хабибуллин, Рустам Анварович
- ПубликацияОткрытый доступРАЗРАБОТКА Р-НЕМТ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ТОНКИМ ПОДЗАТВОРНЫМ БАРЬЕРОМ ДЛЯ ПРИБОРОВ KA И V ДИАПАЗОНОВ(НИЯУ МИФИ, 2011) Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
- ПубликацияОткрытый доступФОРМИРОВАНИЕ СУБМИКРОННЫХ ЗАТВОРОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ СИСТЕМЫ ДВУХ ДИЭЛЕКТРИКОВ(НИЯУ МИФИ, 2011) Кузнецов, А. Л.; Матвеев, Ю. А.; Павлов, А. Ю.; Щаврук, Н. Е.
- ПубликацияОткрытый доступВЛИЯНИЕ СПЕЙСЕРНЫХ СЛОЁВ НА СТАТИЧЕСКИЕ И ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА(НИЯУ МИФИ, 2011) Ремнев, М. А.; Елесин, В. Ф.; Катеев, И. Ю.
- ПубликацияОткрытый доступО НЕОБХОДИМОСТИ МЕТРОЛОГИЧЕСКОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ РАЗРАБОТОК НАНОЭЛЕКТРОНИКИ(НИЯУ МИФИ, 2011) Кванин, А. Л.; Пушкин, М. А.; Троян, В. И.
- ПубликацияОткрытый доступПОДВИЖНОСТЬ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs С НАНОВСТАВКАМИ InAs(НИЯУ МИФИ, 2011) Васильевский, И. С.; Пономарев, Д. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Юзеева, Н. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
- ПубликацияОткрытый доступИССЛЕДОВАНИЕ ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaN В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНОГО СЛОЯ(НИЯУ МИФИ, 2012) Макаров, А. А.; Свешников, Ю. Н.; Цыпленков, И. Н.В настоящее время заметно возрос интерес к мощным и малошумящим СВЧ-транзисторам на основе GaN. Благодаря своим параметрам, таким как большая ширина запрещенной зоны, высокая концентрация носителей заряда в области двумерного электронного газа, относительно высокая подвижность электронов, данный материал позволяет создавать на его основе транзисторы высокой удельной мощностью, за счет высокой плотности тока в сечении канала и высокого коэффициента усиления сигнала. Однако для увеличения плотности выходной мощности СВЧ-транзисторов на основе нитридов требуется более глубокое понимание роли легирования донорного слоя и конструкции гетероструктур.
- ПубликацияОткрытый доступМЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ PHEMT НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Галиев, Г. Б.; Грехов, М. М.; Щербачев, К. Д.; Сарайкин, В. Д.; Лаврухин, Д. В.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Каргин, Николай Иванович; Щербачев, Олег ВячеславовичРНЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs гетероструктуры являются одним из самых широко используемых базовых материалов в СВЧ электронике для создания транзисторов и монолитных интегральных схем (МИС). Данные структуры содержат большое число слоев, как основных, так и вспомогательных, из твердых растворов AlxGa1-xAs и InyGa1-yAs. Для получения требуемой зонной структуры и характеристик образцов необходимо жестко контролировать состав и толщину данных слоев. Цель работы состояла в реализации технологии РНЕМТ гетероструктур с использованием методов нанометрологии, обеспечивающими точность и воспроизводимость технологических параметров не хуже 95%. Для роста на установке МЛЭ Riber Compact 21T использовались импортные ОСЧ металлы производства Azelis Electronics. Предельный вакуум в камере роста при замороженных криопанелях и с перекрытым потоком As4 составлял до 1-2х10-11 Торр. Одним из важных факторов получения стабильной и воспроизводимой скорости роста, состава и толщины слоев РНЕМТ гетероструктур являлось получение долговременной стабильности потоков и учет быстрых переходных процессов при открытии заслонок.
- ПубликацияОткрытый доступНИТРИД ГАЛЛИЯ – ПЕРСПЕКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ РАДИАЦИОННОСТОЙКОЙ СВЧ ГЕТЕРОСТРУКТУРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ(НИЯУ МИФИ, 2012) Громов, Л. В.; Матвеев, Ю. А.; Телец, В. А.В настоящее время активно ведутся исследования по разработке элементной базы РЭА на основе нитрида галлия. Возможность использования этих приборов в устройствах, эксплуатируемых в условиях воздействия радиационных факторов, вызывает необходимость исследования в них радиационных эффектов, которые по существу определяют отказоустойчивость радиоэлектронной аппаратуры в экстремальных условиях эксплуатации. В данной работе проведен анализ базовых радиационных эффектов в нитриде галлия.
- ПубликацияОткрытый доступТЕХНОЛОГИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСЛОЕВ InAs И GaAs В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InAlAs/InGaAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильев, А. В.; Пресняков, М. Ю.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Васильевский, Иван СергеевичСлоевой дизайн гетероструктур для СВЧ электроники непрерывно совершенствуется для увеличения дрейфовой скорости насыщения электронов, снижения рассеяния, увеличения поля насыщения. Одним из интересных решений является переход к составным квантовым ямам, содержащим несколько монослоев (МС) чистого InAs. Такое решение позволяет уменьшить эффективную массу электронов в КЯ с одной или двумя вставками InAs. В то же время, этот путь требует оптимизации технологии формирования напряженных наноразмерных слоев. В представленной работе приведены данные исследования образцов гетероструктур с различной конструкцией активной области, с одной и двумя симметрично расположенными вставками InAs методами высокоразрешающей просвечивающей растровой электронной микроскопии (ВР ПРЭМ).
- ПубликацияОткрытый доступОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ПАССИВИРУЮЩИХ ПОКРЫТИЙ В ТЕХНОЛОГИИ ПРИБОРОВ И ИС НА ОСНОВЕ GaAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Волосов, А. В.; Кузнецов, А. Л.В качестве основного метода нанесения пассивирующих покрытий в технологии приборов и ИС на основе GaAs уже достаточно давно используется процесс плазмохимического нанесения Si3N4. Современное оборудование для реализации процессов плазмохимического осаждения диэлектрических пленок предоставляет технологам весьма широкий спектр режимов, которые обеспечивают хорошее качество пленок. Однако, наряду с качеством самих пленок, важным требованием к пассивирующим покрытиям является стабилизация характеристик границы раздела GaAs - Si3N4 на оптимальном уровне. Условия реализации плазмохимического осаждения позволяют как «законсервировать» поверхность GaAs, сформированную на подготовительных операциях, так и весьма существенно модифицировать ее за счет бомбардировки ускоренными частицами плазмы. В настоящей работе для осаждения Si3N4 были использованы два типа реакторов, - реактор, обеспечивающий энергию ионов, бомбардирующих подложку на уровне 10 эВ (далее низкоэнергетический реактор - НЭР), и классический планарный реактор с энергией ионов порядка 100 эВ (далее высокоэнергетический реактор - ВЭР).
- ПубликацияОткрытый доступТЕХНОЛОГИЯ PHEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs С ВАРИЗОННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ(НИЯУ МИФИ, 2012) Виниченко, А. Н.; Васильевский, И. С.; Грехов, М. М.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил НиколаевичДизайн гетероструктур А3В5 имеет достаточно много степеней свободы. Не только толщина и состав слоев, способ легирования, но и изменение профиля состава может обеспечить изменение зонной структуры и условий рассеяния носителей тока, улучшить параметры транзисторов. Использование варизонных слоев в РНЕМТ AlxGa1-xAs/ InyGa1-yAs структурах еще не освоено. Известно, что в транзисторных гетероструктурах сильное легирование и большая концентрация электронов в КЯ приводят к возникновению заметной асимметрии дна КЯ. Это отрицательно сказывается на подвижности двумерных электронов, так как, во-первых, эффективная ширина КЯ снижается, вследствие чего энергетический зазор между подзонами уменьшается, во-вторых, центроид двумерных электронов располагается ближе к ионизированным донорам. Варизонные слои InyGa1-yAs с неоднородным профилем состава y(z) обеспечивают дополнительный вклад в энергетические профили зон 'Еg(z) и 'ЕC(z), что может компенсировать электростатический вклад в формирование зонной диаграммы структур. Кроме того, неоднородное распределение InAs в РНЕМТ может расширить ограничения на псевдоморфный рост канала, а также снизить ударную ионизацию, по сравнении с однородной КЯ с высоким содержанием InAs. Цель работы состояла в реализации технологии варизонных РНЕМТ гетероструктур.
- ПубликацияОткрытый доступОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ МЕТОДОМ ВЗРЫВНОЙ ЛИТОГРАФИИ(НИЯУ МИФИ, 2012) Блинов, П. И.; Резкова, Е. М.; Ванюхин, Е. М.Прямой метод литографии заключается в осаждении металлической пленки, покрытии ее резистивным слоем, проведении процесса литографии и удалении немаскированных участков металлической пленки. Однако такой метод не подходит для создания приборов на основе арсенида и нитрида галлия. Использование процессов плазмохимического и жидкостного травления (с использованием щелочных и кислотных травителей) для формирования тонкопленочных элементов приводит к травлению структуры кристалла, что является неприемлемым при толщине верхних функциональных слоев в несколько десятков нанометров.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »