Publication:
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СПИНОВЫЕ ИНЖЕКТОРЫ НА ОСНОВЕ МОНООКСИДА ЕВРОПИЯ

Дата
2012
Авторы
Бамбуров, В. Г.
Каргин, Н. И.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Научные группы
Организационные подразделения
Выпуск журнала
Аннотация
Ферромагнитные полупроводники, как функциональные материалы для электроники, продолжают привлекать исследователей и конструкторов своими уникальными возможностями для организации и преобразования энергетических потоков. При этом ожидаемый скачек в развитии элементной базы микроэлектроники связывается в настоящее время с освоением нанотехнологий и размерами активных областей электронных структур, сравнимыми с длиной свободного пробега электрона (менее 100 нм). Как известно, в современной вычислительной технике реализуется идея «один электрон – один бит информации», что является последней ступенью развития элементов памяти для цифровых схем. Дальнейшее развитие этой идеи предполагает спиновая электроника, в которой элементарным носителем информации становится спин электрона, а кодирование информации сводится к закреплению пространственной ориентации спина носителя тока относительно внешнего магнитного поля. При миниатюризации электронных схем в этом случае мы также сможем достигнуть реального повышения плотности записи информации логических систем.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Бамбуров В. Г., Каргин Н. И. ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СПИНОВЫЕ ИНЖЕКТОРЫ НА ОСНОВЕ МОНООКСИДА ЕВРОПИЯ//Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2012 г.: тезисы докладов. - М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – с. 9-11.