Publication: ВЛИЯНИЕ СТРЕССА НАПРЯЖЕНИЕМ ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ И ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МДП-СТРУКТУРЫ Pt/HfO2/Si
Дата
2011
Авторы
Матвеев, Ю. А.
Зенкевич, А. В.
Лебединский, Ю. Ю.
Thiess, S.
Drube, W.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Описание
В данной работе было исследовано влияние стресса напряжением при повышенной температуре на распределения электрического потенциала и эволюцию химического состояния границ раздела в МДП-структуре Pt/HfO2/Si, которая является модельной для изучения механизмов образования и миграции вакансий кислорода. Исследования проводились на синхротронном источнике DESY методом высоко-энергетичной (Е = = 6 кэВ) фотоэмиссионной спектроскопии (ВРФЭС), который позволяет осуществлять неразрушающий анализ электронной и химической структуры многослойных образцов общей толщиной до 20 нм, в частности, МДП-структур со сплошным металлическим затвором и реально используемыми толщинами диэлектрика. Параллельно проводились традиционные электрофизические измерения, в частности, вольт-фарадных (ВФХ) и вольт-амперных (ВАХ) характеристик на тех же образцах.