Publication: ВЛИЯНИЕ СТРЕССА НАПРЯЖЕНИЕМ ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ И ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МДП-СТРУКТУРЫ Pt/HfO2/Si
| dc.contributor.author | Матвеев, Ю. А. | |
| dc.contributor.author | Зенкевич, А. В. | |
| dc.contributor.author | Лебединский, Ю. Ю. | |
| dc.contributor.author | Thiess, S. | |
| dc.contributor.author | Drube, W. | |
| dc.date.accessioned | 2024-03-01T10:33:38Z | |
| dc.date.available | 2024-03-01T10:33:38Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.description | В данной работе было исследовано влияние стресса напряжением при повышенной температуре на распределения электрического потенциала и эволюцию химического состояния границ раздела в МДП-структуре Pt/HfO2/Si, которая является модельной для изучения механизмов образования и миграции вакансий кислорода. Исследования проводились на синхротронном источнике DESY методом высоко-энергетичной (Е = = 6 кэВ) фотоэмиссионной спектроскопии (ВРФЭС), который позволяет осуществлять неразрушающий анализ электронной и химической структуры многослойных образцов общей толщиной до 20 нм, в частности, МДП-структур со сплошным металлическим затвором и реально используемыми толщинами диэлектрика. Параллельно проводились традиционные электрофизические измерения, в частности, вольт-фарадных (ВФХ) и вольт-амперных (ВАХ) характеристик на тех же образцах. | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10069 | |
| dc.publisher | НИЯУ МИФИ | |
| dc.title | ВЛИЯНИЕ СТРЕССА НАПРЯЖЕНИЕМ ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ И ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МДП-СТРУКТУРЫ Pt/HfO2/Si | |
| dc.type | тезисы | |
| dspace.entity.type | Publication |